東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，開始提供1200V溝槽柵SiC MOSFET——“TW007D120E”的測試樣品出貨，該產(chǎn)品主要面向下一代AI數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)，同時也適用于可再生能源相關(guān)設(shè)備。

隨著生成式AI的快速發(fā)展，功耗不斷上升已成為數(shù)據(jù)中心面臨的緊迫課題。尤其是高功率AI服務(wù)器的廣泛應(yīng)用以及800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)部署的增加，推動了市場對更高功率轉(zhuǎn)換效率和更高功率密度電源系統(tǒng)的需求。針對下一代人工智能數(shù)據(jù)中心的這些需求，東芝開發(fā)了TW007D120E，該產(chǎn)品將有助于降低功耗，并實現(xiàn)電源系統(tǒng)的小型化和更高效率。

TW007D120E采用東芝專有的溝槽柵結(jié)構(gòu)[1]，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先[2]的單位面積低導(dǎo)通電阻（RDS(on)A）；其通過更低的導(dǎo)通電阻降低導(dǎo)通損耗，同時實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比，TW007D120E將RDS(on)A降低了約58%[3]，品質(zhì)因數(shù)（導(dǎo)通電阻×柵漏電荷，即RDS(on)×Qgd，代表導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之間的平衡）提高了約52%[3]。這些特性將幫助數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)實現(xiàn)高效運行并減少發(fā)熱，從而提升整體系統(tǒng)效率。

這有助于提高功率密度并增強功率級的散熱性能，這對下一代AI數(shù)據(jù)中心的功率轉(zhuǎn)換至關(guān)重要。

東芝計劃在2026財年實現(xiàn)TW007D120E的量產(chǎn)，并將繼續(xù)拓展其產(chǎn)品線，包括面向汽車應(yīng)用的產(chǎn)品開發(fā)。憑借這款溝槽柵SiC MOSFET，東芝將助力數(shù)據(jù)中心及各類工業(yè)設(shè)備提升能效、降低二氧化碳排放，為低碳社會的實現(xiàn)做出貢獻。

TW007D120E基于JPNP21029項目取得的成果，該項目由日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）資助。

應(yīng)用

·數(shù)據(jù)中心電源（AC-DC、DC-DC）

·光伏逆變器

·不間斷電源（UPS）

·電動汽車充電站

·儲能系統(tǒng)

·工業(yè)電機

特性

·低導(dǎo)通電阻和低RDS(on)A

·低開關(guān)損耗和低RDS(on)×Qgd

·較低的柵極驅(qū)動電壓：VGS_ON＝15V至18V

·高熱性能QDPAK封裝

主要規(guī)格

（除非另有說明，Tvj＝25°C）

注：開發(fā)中產(chǎn)品的規(guī)格和時間計劃如有變更，恕不另行通知。

性能對比圖表

新產(chǎn)品TW007D120E與現(xiàn)有產(chǎn)品TW015Z120C

在RDS(ON)A和RDS(ON)×Qgd方面的對比

測試條件：VGS＝18V（TW015Z120C），VGS＝15V（TW007D120E），Tvj＝25°C。截至2026年5月的東芝調(diào)研。

注：

[1]在半導(dǎo)體襯底中形成微細溝槽，并將柵電極嵌入溝槽內(nèi)部的器件結(jié)構(gòu)。

[2]截至2026年5月的東芝調(diào)研。

[3]新開發(fā)的1200V SiC MOSFET與東芝第三代SiC MOSFET（TW015Z120C）的比較。截至2026年5月的東芝調(diào)研。

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