安森美（onsemi）的Elite Pairing Studio是一款在線設計環(huán)境，幫助工程師在高要求的電力電子應用（包括AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和工業(yè)系統(tǒng)）設計中，簡化碳化硅（SiC）MOSFET與柵極驅(qū)動器的配對。通過可視化呈現(xiàn)器件級行為和配對權(quán)衡，Elite Pairing Studio能助力工程師更早地做出明智決策，并有助于減少設計迭代。Elite Pairing Studio作為安森美更廣泛設計工具集的入口，為系統(tǒng)級的性能、能效和熱特性評估提供了無縫路徑。

新聞亮點

Elite Pairing Studio基于系統(tǒng)需求分析器件組合，并推薦優(yōu)化的SiC MOSFET與柵極驅(qū)動器配對方案

支持在設計早期評估器件級的開關行為、損耗和權(quán)衡，在進入系統(tǒng)級分析前減少設計反復

交互式、個性化的仿真環(huán)境直觀展示時序、波形及每個推薦配對背后的權(quán)衡取舍

未來Elite Pairing Studio將持續(xù)集成更多安森美技術

安森美（美國納斯達克股票代號：ON）宣布率先在業(yè)界推出在線設計工具Elite Pairing Studio，使工程師能夠突破傳統(tǒng)器件級選型方式，根據(jù)特定應用需求快速確定推薦的SiC MOSFET與柵極驅(qū)動器配對組合。該交互式工具簡化了配對行為與權(quán)衡取舍的評估，有助于加速電力電子設計的開發(fā)進程，同時作為安森美更廣泛工具集的入口，用于進行系統(tǒng)級的性能和能效分析。

重要意義

隨著電力電子系統(tǒng)日益復雜，工程師需要精準匹配柵極驅(qū)動器與開關器件，以實現(xiàn)更高能效、更低損耗并確保安全工作溫度。早期的器件選型決策將直接影響系統(tǒng)級性能，尤其是在團隊需要平衡相互競爭的需求時更加關鍵。傳統(tǒng)流程通常需要通過繁瑣的數(shù)據(jù)表對比、電子表格分析和實證測試來進行耗時的手動評估和仿真。

安森美的Elite Pairing Studio引導工程師根據(jù)需求逐步確定理想的安森美柵極驅(qū)動器與SiC MOSFET配對方案，簡化了這一挑戰(zhàn)。工程師可以快速對比匹配良好的配對方案，從而在開發(fā)早期減少迭代并優(yōu)化電源架構(gòu)。這降低了設計風險，縮短產(chǎn)品上市周期，并有助于確保系統(tǒng)在實際工況下按預期運行。

工作原理

這一基于云端的環(huán)境為工程師提供了在安森美官網(wǎng)（onsemi.com）上的安全、專屬的工作區(qū)，他們可基于輸入?yún)?shù)，通過直觀流程探索不同器件配對方案。該工具基于行業(yè)標準公式及真實應用性能計算，對所選SiC MOSFET與多種柵極驅(qū)動器組合進行分析，其評估邏輯對用戶清晰可見且可追溯。

通過Elite Pairing Studio，工程師可檢查每種配對的關鍵指標，包括：

開關時序

柵極電壓與電流（V/I）波形

相對于器件額定值的電壓過沖裕量

開通與關斷等開關能量損耗

這些洞察使工程師能夠?qū)Ρ扰c應用相關的配對權(quán)衡，并提前了解影響電磁干擾（EMI）及可靠性裕量的因素。結(jié)果通過交互式波形查看器呈現(xiàn)，使工程師在設計進入全面系統(tǒng)級仿真前就能做出更明智的配對決策。未來，Elite Pairing Studio將持續(xù)集成更多安森美技術。

通過提供面向具體應用的SiC MOSFET與柵極驅(qū)動器的優(yōu)化配對方案，安森美的Elite Pairing Studio使工程師能在設計早期更清晰地理解開關行為和系統(tǒng)權(quán)衡，更早地做出設計決策。這些配對洞察可利用Studio生成的PLECS系統(tǒng)級仿真模型加以推進，并在安森美Elite Power Simulator中進行進一步評估以優(yōu)化能效、熱性能和損耗。這一無縫的開發(fā)路徑幫助設計人員將早期的配對洞察轉(zhuǎn)化為更優(yōu)的系統(tǒng)級能效和性能，適用于AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、工業(yè)系統(tǒng)和電氣化基礎設施等嚴苛應用。

Elite Pairing Studio現(xiàn)已在安森美官網(wǎng)上線。歡迎蒞臨在德國紐倫堡舉行的PCIM Europe 2026展會安森美展臺（9號館332號展臺）現(xiàn)場觀摩演示。