安森美數(shù)字晶體管：簡化電路設(shè)計的理想之選
安森美數(shù)字晶體管：簡化電路設(shè)計的理想之選
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，如何簡化電路設(shè)計、降低成本并節(jié)省電路板空間是一個永恒的話題。安森美（onsemi）推出的一系列數(shù)字晶體管（BRT），為我們提供了一個出色的解決方案。本文將詳細(xì)介紹安森美MUN2134、MMUN2134L、MUN5134、DTA124XE、DTA124XM3、NSBA124XF3等PNP晶體管的特點、參數(shù)及應(yīng)用。
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產(chǎn)品概述
安森美的這一系列數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管（BRT）包含一個帶有由兩個電阻組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個晶體管，即一個串聯(lián)基極電阻和一個基極 - 發(fā)射極電阻。通過將這些組件集成到單個器件中，BRT消除了這些單獨的組件，從而降低了系統(tǒng)成本并節(jié)省了電路板空間。
產(chǎn)品特點
簡化電路設(shè)計
將偏置電阻集成到晶體管中，減少了外部元件的使用，使電路設(shè)計更加簡潔。工程師無需再為設(shè)計和布局外部電阻而煩惱，大大縮短了設(shè)計周期。
減少電路板空間
由于減少了外部元件，電路板上的空間得到了有效利用，有助于實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計。這對于空間受限的應(yīng)用，如便攜式設(shè)備和小型電子產(chǎn)品來說尤為重要。
降低組件數(shù)量
集成化的設(shè)計減少了組件數(shù)量，降低了采購成本和庫存管理的復(fù)雜性。同時，也減少了焊接點，提高了系統(tǒng)的可靠性。
符合多種應(yīng)用需求
S和NSV前綴適用于汽車和其他需要獨特站點和控制變更要求的應(yīng)用，并且符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備PPAP能力。此外，這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
主要參數(shù)
最大額定值
| 在環(huán)境溫度 (T_{A}=25^{circ}C) 時，這些晶體管的主要最大額定值如下： | 額定值 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | (V_{CBO}) | 50 | (V_{dc}) | |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | (V_{CEO}) | 50 | (V_{dc}) | |
| 集電極連續(xù)電流 | (I_{C}) | 100 | (mA_{dc}) | |
| 輸入正向電壓 | (V_{IN(fwd)}) | 40 | (V_{dc}) | |
| 輸入反向電壓 | (V_{IN(rev)}) | 7 | (V_{dc}) |
需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能，可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。
熱特性
| 不同封裝的晶體管具有不同的熱特性，以下是部分封裝的熱特性參數(shù)： | 封裝 | 總器件耗散功率 (T_{A}=25^{circ}C) | 高于 (25^{circ}C) 時的降額 | 熱阻（結(jié)到環(huán)境） | 熱阻（結(jié)到引腳） | 結(jié)和存儲溫度范圍 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SC - 59（MUN2134） | 230mW（注1），338mW（注2） | 1.8mW/°C（注1），2.7mW/°C（注2） | 540°C/W（注1），370°C/W（注2） | 264°C/W（注2），287°C/W（注2） | -55 至 +150°C | |
| SOT - 23（MMUN2134L） | 246mW（注1），400mW（注2） | 2.0mW/°C（注1），3.2mW/°C（注2） | 508°C/W（注1），311°C/W（注2） | 174°C/W（注1），208°C/W（注2） | -55 至 +150°C | |
| SC - 70/SOT - 323（MUN5134） | 202mW（注2），310mW（注2） | 1.6mW/°C（注1），2.5mW/°C（注2） | 618°C/W（注1） | 280°C/W（注1），332°C/W（注2） | -55 至 +150°C |
注：1. FR - 4 @ 最小焊盤；2. FR - 4 @ 1.0 x 1.0 英寸焊盤；3. FR - 4 @ (100mm^{2})，1 oz. 銅走線，靜止空氣；4. FR - 4 @ (500mm^{2})，1 oz. 銅走線，靜止空氣。
電氣特性
| 在 (T_{A}=25^{circ}C) 時，晶體管的主要電氣特性如下： | 特性 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 截止特性 | ||||||
| 集電極 - 基極截止電流（(V{CB}=50V)，(I{E}=0)） | (I_{CBO}) | 100 | (nA_{dc}) | |||
| 集電極 - 發(fā)射極截止電流（(V{CE}=50V)，(I{B}=0)） | (I_{CEO}) | 500 | (nA_{dc}) | |||
| 發(fā)射極 - 基極截止電流（(V{EB}=6.0V)，(I{C}=0)） | (I_{EBO}) | 0.13 | (mA_{dc}) | |||
| 集電極 - 基極擊穿電壓（(I{C}=10A)，(I{E}=0)） | (V_{(BR)CBO}) | 50 | (V_{dc}) | |||
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（注5）（(I{C}=2.0mA)，(I{B}=0)） | (V_{(BR)CEO}) | 50 | (V_{dc}) | |||
| 導(dǎo)通特性 | ||||||
| 直流電流增益（注5）（(I{C}=5.0mA)，(V{CE}=10V)） | (h_{FE}) | 80 | 130 | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（注5）（(I{C}=10mA)，(I{B}=1.0mA)） | (V_{CE(sat)}) | 0.25 | (V_{dc}) | |||
| 輸入電壓（關(guān)）（(V{CE}=5.0V)，(I{C}=100A)） | (V_{i(off)}) | 0.5 | 0.9 | (V_{dc}) | ||
| 輸入電壓（開）（(V{CE}=0.3V)，(I{C}=2.0mA)） | (V_{i(on)}) | 1.2 | 2.0 | (V_{dc}) | ||
| 輸出電壓（開）（(V{CC}=5.0V)，(V{B}=2.5V)，(R_{L}=1.0k)） | (V_{OL}) | 0.2 | (V_{dc}) | |||
| 輸出電壓（關(guān)）（(V{CC}=5.0V)，(V{B}=0.5V)，(R_{L}=1.0k)） | (V_{OH}) | 4.9 | (V_{dc}) | |||
| 輸入電阻 (R_{1}) | 15.4 | 22 | 28.6 | (kOmega) | ||
| 電阻比 (R{1}/R{2}) | 0.38 | 0.47 | 0.56 |
注5：脈沖條件：脈沖寬度 = 300msec，占空比 ≤ 2%。
訂購信息
| 這些晶體管提供多種封裝和包裝形式，具體如下： | 器件 | 零件標(biāo)記 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|---|---|
| MUN2134T1G | 6L | SC - 59（無鉛） | 3000 / 卷帶包裝 | |
| MMUN2134LT1G，SMMUN2134LT1G* | A6L | SOT - 23（無鉛） | 3000 / 卷帶包裝 | |
| MUN5134T1G，NSVMUN5134T1G* | 6L | SC - 70/SOT - 323（無鉛） | 3000 / 卷帶包裝 | |
| DTA124XET1G | 6L | SC - 75（無鉛） | 3000 / 卷帶包裝 | |
| DTA124XM3T5G | 6L | SOT - 723（無鉛） | 8000 / 卷帶包裝 | |
| NSBA124XF3T5G | R (180°)** | SOT - 1123（無鉛） | 8000 / 卷帶包裝 |
機(jī)械尺寸
文檔中還提供了各種封裝的機(jī)械尺寸圖和詳細(xì)的尺寸參數(shù)，包括SOT - 23、SC - 59 - 3、SC - 70（SOT - 323）、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等封裝。這些尺寸信息對于電路板布局和設(shè)計非常重要，工程師可以根據(jù)實際需求選擇合適的封裝。
總結(jié)
安森美的這一系列數(shù)字晶體管通過集成偏置電阻，為電子工程師提供了一種簡化電路設(shè)計、降低成本和節(jié)省電路板空間的有效解決方案。其豐富的封裝選擇和良好的電氣性能，使其適用于各種應(yīng)用場景。在實際設(shè)計中，工程師可以根據(jù)具體需求選擇合適的器件，并參考文檔中的參數(shù)和尺寸信息進(jìn)行設(shè)計。你在使用這類數(shù)字晶體管時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
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