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立昂微電擬13.5億元建設(shè)8英寸硅片項目

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2018-12-24 16:19 ? 次閱讀
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日前上海新昇大硅片剛通過了中芯國際的認(rèn)證,如今另一家大硅片企業(yè)杭州立昂微電子股份有限公司(以下簡稱“立昂微電”)亦遞交了IPO招股書,擬登陸A股。

招股書顯示,立昂微電擬在上海證券交易所首次公開發(fā)行新股4058萬股,占發(fā)行后總股本的比例不低于10.00%、不超過10.131%,募集資金13.5億元用于年產(chǎn)120萬片集成電路8英寸硅片項目和年產(chǎn)12萬片6英寸第二代半導(dǎo)體射頻集成電路芯片項目。

橫跨分立器件、硅片兩大細(xì)分領(lǐng)域

資料顯示,立昂微電成立于2002年3月,是一家專注于集成電路用半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體功率芯片設(shè)計、開發(fā)、制造、銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

立昂微電自身主要從事半導(dǎo)體分立器件業(yè)務(wù),主要產(chǎn)品包括肖特基二極管芯片、MOSFET芯片、肖特基二極管等。據(jù)悉,立昂微電成立之初引進(jìn)安森美的全套肖特基芯片工藝技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備及質(zhì)量管理體系,建立了6英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線,隨后于2012年收購日本三洋半導(dǎo)體和日本旭化成MOSFET功率器件生產(chǎn)線。

招股書顯示,2016年立昂微電順利通過博世和大陸集團(tuán)的體系認(rèn)證,成為國內(nèi)少數(shù)獲得車載電源開關(guān)資格認(rèn)證的肖特基二極管芯片供應(yīng)商,2017年立昂微電以委外加工模式將產(chǎn)品線拓展延伸至半導(dǎo)體分立器件成品。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會最新統(tǒng)計,立昂微電在2017年中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)評選中位列第八名。

2015年,立昂微電全資收購國內(nèi)半導(dǎo)體硅片制造企業(yè)浙江金瑞泓,其主營業(yè)務(wù)從分立器件延伸至上游半導(dǎo)體硅片。目前擁有浙江金瑞泓、立昂半導(dǎo)體、立昂東芯、衢州金瑞泓、金瑞泓微電子5家控股子公司,以及綠發(fā)農(nóng)銀、綠發(fā)金瑞泓、綠發(fā)立昂3家參股有限合伙企業(yè)。

其中,浙江金瑞泓、衢州金瑞泓主要從事半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù),主要產(chǎn)品包括硅研磨片、硅拋光片、硅外延片等;金瑞泓微電子主要從事12英寸半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù),立昂東芯主要從事微波射頻集成電路芯片業(yè)務(wù)。

2016年12月,在衢州市委、市政府的支持下,立昂微電在衢州投資50億元,建設(shè)集成電路用大硅片基地,成立了金瑞泓科技(衢州)有限公司。今年3月,立昂微電投資的8英寸硅片生產(chǎn)線項目已正式投產(chǎn);今年5月,立昂微電子與衢州政府簽約,在衢州再追加投資83億元,建設(shè)年產(chǎn)360萬片集成電路用12英寸硅片項目。

截至2017年底,浙江金瑞泓具備月產(chǎn)12萬片8英寸硅拋光片的生產(chǎn)能力,還具有8英寸硅外延片的批量生產(chǎn)能力,并已完成12英寸硅片的相關(guān)技術(shù)開發(fā),客戶群體包括AOS、ONSEMI、日本東芝、中芯國際、華虹宏力、華潤上華、華潤微電子、士蘭微等企業(yè)。

根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,報告期內(nèi)浙江金瑞泓在2015年至2017年中國半導(dǎo)體材料十強(qiáng)企業(yè)評選中均位列第一名。

立昂微電于2015年、2016年、2017年、2018年1-6月依次實現(xiàn)營收為5.91億元、6.70億元、9.32億元、5.26億元,實現(xiàn)凈利潤依次為3824.03萬元、6574.29萬元、1.05億元、5601.43萬元。分立器件和硅片兩大主營業(yè)務(wù)收入占其營收比重均在98%以上,其中半導(dǎo)體硅片收入占主營業(yè)務(wù)收入的比例依次為60.11%、57.00%、52.30%、60.71%。

募資13.5億元用于兩大主業(yè)

招股書顯示,立昂微電本次公開發(fā)行不超過4058萬股A股普通股,實際募集資金扣除發(fā)行費(fèi)用后的凈額將依次用于與公司主營業(yè)務(wù)相關(guān)的兩大投資項目:年產(chǎn)120萬片集成電路8英寸硅片項目和年產(chǎn)12萬片6英寸第二代半導(dǎo)體射頻集成電路芯片項目。

這次募投項目總投資約17.12億元,擬使用募集資金投入不超過13.5億元,若實際募集資金(扣除發(fā)行費(fèi)用后)不能滿足上述項目的投資需要,資金缺口由公司通過自籌方式解決。

其中,8英寸硅片項目總投資約7.04億元,擬投入募集資金5.5億元,項目用地約136畝,將新增單晶爐等共計360臺(套)設(shè)備,項目設(shè)計年產(chǎn)能為120萬片集成電路用8英寸硅片,項目計劃建設(shè)期為24個月,項目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年新增銷售收入4.8億元。

立昂微電表示,該硅片項目是現(xiàn)有業(yè)務(wù)的擴(kuò)大再生產(chǎn),為公司發(fā)揮規(guī)模效應(yīng)、提高市場占有率提供有力保障,能快速擴(kuò)大企業(yè)8英寸硅片產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模,緩解當(dāng)前產(chǎn)能壓力,提升公司盈利能力。

此外,6英寸射頻芯片項目總投資約10.08億元,擬投入募集資金8億元,將新增刻蝕機(jī)等各類生產(chǎn)、檢測及輔助設(shè)備、儀器共計248臺(套),項目設(shè)計年產(chǎn)能為12萬片6英寸第二代半導(dǎo)體射頻集成電路芯片(砷化鎵微波射頻集成電路芯片),項目建設(shè)期為60個月,項目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年新增銷售收入10.08億元。

立昂微電亦指出,公司現(xiàn)已具備量產(chǎn)砷化鎵芯片的能力,相關(guān)產(chǎn)品已處于認(rèn)證階段,該射頻芯片項目是對現(xiàn)已業(yè)務(wù)的延伸和擴(kuò)展,將豐富和完善公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)體系,進(jìn)一步提升公司的市場競爭力。

近年來不斷有半導(dǎo)體企業(yè)沖刺IPO,今年更甚。證監(jiān)會今年曾發(fā)聲支持國內(nèi)符合條件的芯片產(chǎn)業(yè)企業(yè)上市融資,業(yè)界認(rèn)為該表態(tài)將明顯利好于芯片企業(yè)沖刺IPO,此次立昂微電能否順利過會?我們且拭目以待。

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