三星宣布開始量產(chǎn)單芯片1TB容量的UFS存儲產(chǎn)品 讀取速度最高1000MB/s
天字一號閃存企業(yè)三星電子今天（1月30日）宣布開始量產(chǎn)單芯片1TB容量的UFS存儲產(chǎn)品，主力用于智能手機。
2017年11月，三星宣布量產(chǎn)單芯片容量512GB的 eUFS閃存，去年，三星Galaxy Note 9就用上它。不過，由于S10系列2月20日就要發(fā)布了，從時間上判斷，應(yīng)該來不及用上剛出爐的1TB UFS，可能會選擇和堅果R1類似的方式、即使用兩片512GB。
三星計算后表示，1TB可存儲260段10分鐘長度的4K分辨率短視頻，而64GB只能存儲13段。
規(guī)格方面，芯片封裝大小為11.5mm x 13mm，內(nèi)部有16顆512Gb V-NAND（第五代）堆棧組成。
性能方面，支持UFS 2.1規(guī)范，連續(xù)讀取速度最高1000MB/s、連續(xù)寫入最高260MB/s、隨機讀取速度為58K IOPS、隨機寫入為50K IOPS。三星稱，隨機速度的提升有助于手機相機表現(xiàn)，比如拍攝960幀慢動作視頻。
三星表示，將在位于Pyeongtaek（平澤市）的工廠加大512GB eUFS閃存芯片的產(chǎn)能，以滿足2019年上半年市場的強烈需求?？磥?，三星Galaxy以及不少旗艦將開始大力推廣512GB甚至1TB的機身存儲容量了。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1918瀏覽量
117480 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15897瀏覽量
183238 -
存儲
+關(guān)注
關(guān)注
13文章
4897瀏覽量
90313
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
三星更新了其新款microSD存儲卡的品牌標(biāo)識，旨在幫助消費者更便捷地匹配符合自身特定需求的存儲卡
觀的命名體系及優(yōu)化的設(shè)計，進(jìn)一步強化品牌辨識度，同時提升三星可移動存儲產(chǎn)品的市場競爭力。 三星T7 microSD存儲卡是一款日?？蓴U展
今日看點：鎧俠：300元1TB SSD時代結(jié)束；蘇大維格：常州維普產(chǎn)品已進(jìn)入頭部晶圓廠和掩膜版廠商量產(chǎn)線
鎧俠：300元1TB SSD時代結(jié)束 日前，鎧俠存儲器事業(yè)部執(zhí)行董事中戸浩介（Shunsuke Nakato）在韓國接受采訪時表示花7000日元就買到1TB SSD時代已經(jīng)結(jié)束了，而且這波AI誘發(fā)
發(fā)表于 01-22 17:54
?1254次閱讀
三星eMMC憑借寬溫特性增強電視環(huán)境適應(yīng)性
三星128GB eMMC 5.1以350MB/s讀取速度和-25℃~85℃寬溫工作范圍，為智能電視提供高速穩(wěn)定的系統(tǒng)
簡單認(rèn)識Metorage 1TB MicroSD工業(yè)級存儲卡
在數(shù)據(jù)為王的時代，存儲設(shè)備的重要性不言而喻。無論是智能汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、還是航拍無人機，都在呼喚著更可靠、更高效、更大容量的存儲解決方案。今天，Metorage以卓越的技術(shù)實力，給出了強有力的回應(yīng)—
HBM量價齊飛，UFS加速普及：存儲狂飆下的“最后質(zhì)檢”攻堅戰(zhàn)
HBM 量價齊飛、UFS 4.1 普及推動存儲技術(shù)狂飆，卻凸顯燒錄與測試這一 “最后質(zhì)檢” 難題。高端存儲性能競賽（HBM4 帶寬 2TB/s
PCIe 5.0 8TB SSD挺進(jìn)消費級市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，隨著AI應(yīng)用的廣泛落地，用戶對存儲速率和容量的需求與日俱增。近期高端消費級SSD市場不斷出現(xiàn)PCIe 5.0?8TB SSD產(chǎn)品。 ?
雙UFS4.1 4Lane，速度可達(dá)8.6GB/s，大型文件讀寫速率提升達(dá)70%+
/s。vivo從以往的1個UFS4.1雙通道讀寫升級為2個UFS 4.1四通道并行協(xié)作，真正的雙UFS4.1 4-Lane，大型文件讀寫速率
全球首款HBM4量產(chǎn)：2.5TB/s帶寬超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，AI存儲邁入新紀(jì)元
海力士 HBM4 內(nèi)存的 I/O 接口位寬為 2048-bit，每個針腳帶寬達(dá) 10Gbps，因此單顆帶寬可高達(dá) 2.5TB/s。這一里程碑不僅標(biāo)志著 AI 存儲器正式邁入 “2
發(fā)表于 09-17 09:29
?6637次閱讀
江波龍自研UFS4.1主控芯片，順序讀取速率高達(dá)4350MB/s，性能對標(biāo)主流產(chǎn)品
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）近年來，江波龍自研主控芯片取得較大的進(jìn)展。截止至2025年7月底，江波龍主控芯片全系列產(chǎn)品累計實現(xiàn)超過8000萬顆的批量部署，并且部署規(guī)模仍在保持快速增長。 ? 據(jù)了解
PCIe 8.0 規(guī)范公布：1TB/s 帶寬、256GT/s 速率
將使速率在 PCIe 7.0 的基礎(chǔ)上翻倍至 256.0 GT/s，通過 x16 配置實現(xiàn) 1TB/s 的雙向帶寬。 ? 從 PCI-SIG 目前公布的細(xì)節(jié)來看，PCIe 8.0 首先實現(xiàn)了
三星最新消息：三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會被征收100%關(guān)稅
蘋果稱正與三星公司在奧斯汀的半導(dǎo)體工廠合作，開發(fā)一種創(chuàng)新的新芯片制造技術(shù)。 在新聞稿中蘋果還宣布了將追加1000億美元布局美國制造，這意味著蘋果公司未來四年對美國的總投資承諾達(dá)到600
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
我們來看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600
半導(dǎo)體存儲芯片核心解析
性能和可靠性。當(dāng)前絕對主流。
應(yīng)用：固態(tài)硬盤、eMMC/UFS (手機/平板內(nèi)置存儲)、SD/TF卡、U盤、數(shù)據(jù)中心存儲。
關(guān)鍵指標(biāo)：容量（GB/
發(fā)表于 06-24 09:09
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購三星指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
評論