中芯國際2月14日發(fā)布截至2018年12月31日止的2018年Q4財報及2018年全年營收數(shù)據(jù)。因應(yīng)全球半導(dǎo)體形勢的嚴(yán)峻，中芯國際2018年Q4營收較上一季有所下滑，并且預(yù)期2019年Q1收入預(yù)計為2019年相對低點。

中芯聯(lián)席CEO梁孟松于15日電話會議上表示持續(xù)加碼先進工藝的決心，他表示，中芯國際第一代FinFET14nm技術(shù)進入客戶驗證階段，產(chǎn)品可靠度與良率已進一步提升。同時，12nm的工藝開發(fā)也取得突破。

2018營收連續(xù)增長 2019Q1為低點

中芯國際2018年Q4財報顯示，銷售額達(dá)到7.876億美元，毛利潤1.34億美元，同比下降9.7％；凈利潤2652萬美元，同比減少44.4％，其中中國區(qū)增長12％。

2018年全年，中芯國際收入33.6億美元，創(chuàng)歷史新高，較2017年成長8.3%，其中中國區(qū)占比達(dá)到歷史新高59.1％，比上年增長11.8個百分點；毛利率22.2％，下滑1.7個百分點，凈利潤1.34億美元，減少25.6％。

由于受行業(yè)淡季影響，公司預(yù)估2019年第1季銷售收入環(huán)比下滑16%至18%左右；預(yù)估毛利率介于20%至22%之間，環(huán)比增加3至5個百分點。

中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍指出：“面對2019年大環(huán)境許多的不確定，我們努力尋求成長機遇；穩(wěn)中帶進，積極開發(fā)客戶，拓展成熟和特色工藝的產(chǎn)品組合和應(yīng)用范圍，發(fā)掘市場價值機會，為成長儲備力量?！?/p>

趙海軍透露，中芯在2019年看好NOR / NAND存儲、面板驅(qū)動IC、CMOS傳感器、電源管理 IC等。他表示，NOR / NAND 存儲產(chǎn)品線受惠新客戶加入，預(yù)計營收將倍數(shù)成長，指紋辨識技術(shù)會朝 underglass 技術(shù)發(fā)展，而需要采用高壓工藝技術(shù)的面板驅(qū)動 IC 產(chǎn)品線，今年也會受惠新客戶加入，一起搶占市占率，8吋晶圓廠的需求持續(xù)熱絡(luò)到年底，整體客戶組合會以國內(nèi)、國際雙向發(fā)展。

上一季度財報會議時梁孟松表示，2019年下半年，中芯將專注于開發(fā)Cowos以及FinFET，尤其FinFET已經(jīng)上軌道并受到客戶認(rèn)證，將提供移動與無線客戶，未來14nm將應(yīng)用于AI、IoT和自駕車等領(lǐng)域，并導(dǎo)入新興市場等區(qū)域。而在此次電話會議上，梁孟松也重申AI、IoT以及自動駕駛的重要性。

中芯先進工藝大進展：14nm量產(chǎn)在即、12nm取得突破

縱觀全球晶圓代工廠，龍頭企業(yè)臺積電已量產(chǎn)7nm，5nm即將登場，三星亦已量產(chǎn)7nm，盡管中芯國際與臺積電等先進工藝落后兩代，但距離正在逐漸縮小——中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松表示，中芯第一代 FinFET 工藝 14 nm 技術(shù)已進入客戶驗證階段，產(chǎn)品可靠度與良率已進一步提升。同時，12nm 的工藝開發(fā)也取得突破，下一代的 FinFET 工藝（N+1 FF）也會根據(jù)客戶需求推出。

梁孟松指出，相較于14 nm工藝，12 nm在表現(xiàn)上功耗減少20 %、效能增加10 % 、面積減少20 %，兩個工藝有部分客戶重疊，預(yù)計在消費性、中端手機 AP、 wireless connectivity 、 AI 等應(yīng)用都會有需求。

此外，據(jù)悉中芯國際正準(zhǔn)備在2019年批量生產(chǎn)14nm智能手機SoC。整體來看，因應(yīng)新功能加入包括BCD工藝的charger應(yīng)用、CMOS、高壓HV、AMOLED驅(qū)動IC等，2019年手機產(chǎn)業(yè)仍會有較多商機。

值得注意的是，梁孟松于15日電話會議上強調(diào)，中芯提供全系列IP以及封裝測試服務(wù)等，從IC制造到后端封裝、測試“一條龍”服務(wù)發(fā)展。

中芯國際于上海建造的高端工藝12吋晶圓廠房“中芯南方”也將進入量產(chǎn)。中芯南方是由大基金、上海集成電路基金、中芯國際三方投資成立合資廠，專門生產(chǎn) 14 nm 以下的高端工藝技術(shù)，預(yù)計在 2019 年第二季移入機臺設(shè)備，年底將開始小量生產(chǎn)。

超前臺積電南京廠 中芯志在必得

事實上，中芯開發(fā)14 nm 以下的高端工藝技術(shù)，還有一項重大意義，就是正式超前臺積電在南京的16納米工藝布局，但后續(xù)有待觀察的是，中芯國際能否以良好的良率批量生產(chǎn)FinFET?！半S著FinFET上的知識和工藝模塊配方的增加，中芯國際的開發(fā)只是時間問題，”Gartner的分析師Samuel Wang認(rèn)為?！吧鲜袝r間至關(guān)重要。如果早一點他們就能成功。如果太遲了，那就有挑戰(zhàn)性了。”

如果中芯國際能夠批量生產(chǎn)14納米FinFET場效應(yīng)晶體管，并且，進一步向前推進“半世代”工藝12納米，那么將使中芯與競爭對手并駕齊驅(qū)，甚至超前，居于國內(nèi)晶圓代工的領(lǐng)先地位。尤其，臺積電受限于登陸投資，工藝卡位在16納米，那么12納米對于中芯而言，就具備地利優(yōu)勢。

事實上，在政策資助下，中芯計劃在一個新12吋廠中開發(fā)更先進的工藝?！爸行緡H將獲得100億美元資助以建設(shè)14、10和7納米的產(chǎn)能。到2021年第四季度，他們將每月生產(chǎn)7萬片晶圓，”國際商業(yè)戰(zhàn)略首席執(zhí)行官Handel Jones透露?！安⑶乙呀?jīng)買了一些非關(guān)鍵設(shè)備。”中芯國際還面臨一些挑戰(zhàn)。14納米場FinFET效應(yīng)晶體管開發(fā)已初步有成，但7納米代表了一個重大進展。