三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片
3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
第三代10nm級工藝即1z nm（在內(nèi)存制造中，用x/y/z指代際，工藝區(qū)間是10~20nm），整合了EUV極紫外光刻技術(shù)，單芯片容量8Gb（1GB）。
三星表示，1z nm是業(yè)內(nèi)目前最頂尖的工藝，生產(chǎn)效率較1y nm提升了20%，可以更好地滿足日益增長的市場需求。
量產(chǎn)時間敲定在今年下半年，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標(biāo)領(lǐng)域是下一代企業(yè)級服務(wù)器和2020年的高端PC產(chǎn)品。
三星還表示，將在平澤市（Pyeongtaek）提高DRAM芯片的產(chǎn)能，同時上述先進技術(shù)還將應(yīng)用于未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產(chǎn)品上。
不過，就在昨天（3月20日），三星電子聯(lián)席CEO金基南（Kim Ki-nam）還指出，由于智能機市場增長乏力，數(shù)據(jù)中心公司削減投資，公司的存儲芯片等零部件業(yè)務(wù)預(yù)計將面臨艱難一年。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
41文章
2403瀏覽量
189632 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15897瀏覽量
183238 -
內(nèi)存芯片
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
132瀏覽量
23042
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
大突破！三星產(chǎn)出10nm以下DRAM
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）近日消息，三星電子已經(jīng)成功產(chǎn)出全球首個10納米以下制程的DRAM工程裸晶（Working Die）。這一里程碑式的成果，標(biāo)志著DRAM制造
輕薄、AI、數(shù)日續(xù)航、性能強勁，第三代英特爾酷睿Ultra新品重磅上市
今日，英特爾在上海舉辦了第三代英特爾酷睿Ultra處理器新品分享會。作為全球首款基于Intel 18A工藝打造的計算平臺，第三代英特爾酷睿
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
三星發(fā)布Exynos 2600，全球首款2nm SoC，NPU性能提升113%
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，三星電子正式發(fā)布其手機芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首
CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會
10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認證
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認知
全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn) 三星Exynos 2600
據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn)；三星公司已確認 Exynos 2600 將成為全球
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
Performance Body-bias）方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
芯科科技第三代無線開發(fā)平臺SoC的三大領(lǐng)先特性
Silicon Labs（芯科科技）第三代無線開發(fā)平臺SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無線產(chǎn)品開發(fā)趨勢，該系列產(chǎn)品升級了三大功能特性：可擴展性、輕松
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
，這一革新使電池儲電能力顯著增強，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲存更多電能，為手機制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極
評論