論壇以“Cool 芯領(lǐng)航 英華綻放”為主題，英飛凌科技高級總監(jiān)Peter Friedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術(shù)布局”發(fā)表主旨演講，為整個大會拉開了序幕。

英飛凌科技高級總監(jiān)Peter Friedrichs

此外，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院盛況教授、英飛凌科技大中華區(qū)副總裁及工業(yè)功率控制事業(yè)部負責(zé)人于代輝、英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部亞太區(qū)技術(shù)總監(jiān)馬國偉、臺達電力電子研發(fā)中心執(zhí)行主任潘琪、中國科學(xué)院電工研究所研究員李子欣、伊頓電氣關(guān)鍵電源系統(tǒng)部門研發(fā)總監(jiān)鄭大為、德國萊茵TüV集團太陽能技術(shù)服務(wù)大中華區(qū)總經(jīng)理李衛(wèi)春、IHS Markit資深分析師胡丹等資深業(yè)內(nèi)專家也出席了論壇，并做了精彩報告。

在中國產(chǎn)業(yè)革新的浪潮下，新興工業(yè)，能源產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，技術(shù)也不斷更新迭代，要求功率器件具有更加出色的性能表現(xiàn)。碳化硅功率器件憑借高頻，高效，高功率密度等優(yōu)勢，將迎來爆發(fā)期，廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。在快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、新能源汽車領(lǐng)域，軌道交通等行業(yè)，碳化硅器件的市場規(guī)模將迅速擴大，有望占據(jù)未來的科技制高點。

作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)，英飛凌與時俱進、開拓創(chuàng)新，推出了先進的碳化硅技術(shù)和完整的解決方案，將在以下應(yīng)用領(lǐng)域為中國企業(yè)和合作伙伴助力：

1

太陽能領(lǐng)域：碳化硅技術(shù)可以在提高效率的同時，減小系統(tǒng)的體積和重量；

2

電動汽車充電領(lǐng)域：可以實現(xiàn)高速充電，簡化電路，減少損耗；

3

電機領(lǐng)域：SiC MOSFET可以降低損耗及噪音，可望減少55%的逆變器體積及重量；

4

新能源汽車領(lǐng)域：SiC MOSFET將成為主要的技術(shù)，將會在新能源汽車的各個部分都能得到應(yīng)用。

在論壇上，各位專家還詳細探討了碳化硅技術(shù)的優(yōu)勢，深入剖析了碳化硅技術(shù)帶給市場的機遇與挑戰(zhàn)，并就碳化硅市場的現(xiàn)狀與前景分享了自己的獨到見解。不同的觀點碰撞、交鋒，可謂高潮迭起、精彩紛呈。

1. 碳化硅駕到，帶給市場的是機遇還是挑戰(zhàn)？

SiC給市場帶來的機遇遠遠大于挑戰(zhàn)，SiC器件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，但是SiC領(lǐng)域的專業(yè)人士往往對SiC器件是 “又愛又恨” ，一方面SiC在縮小了體積同時提高了效率，一方面在SiC在應(yīng)用技術(shù)方面又有很高的要求，為了把短路保護做到極致，解決噪聲問題和散熱問題，這幾年我們在不斷的提升技術(shù)。無論是器件的研發(fā)還是系統(tǒng)的應(yīng)用，SiC仍面臨著很多技術(shù)門檻，我們會在這方面與SiC元器件廠商共同努力進步。

——臺達電力電子研發(fā)中心執(zhí)行主任

潘琪女士

2. 英飛凌在SiC領(lǐng)域的市場定位，SiC對英飛凌的重要性？

SiC是英飛凌規(guī)劃領(lǐng)域中的核心產(chǎn)品，英飛凌在SiC產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)方面做出了很多的努力。就生產(chǎn)而言，雖說在SiC原材料供應(yīng)方面，晶圓的生產(chǎn)周期和產(chǎn)能是一個挑戰(zhàn)，但是英飛凌現(xiàn)有的冷切割技術(shù)，推動晶圓的產(chǎn)能得到大幅提升和更高效的應(yīng)用。培養(yǎng)SiC技術(shù)領(lǐng)域人才方面，英飛凌不斷擴充頂尖技術(shù)團隊，希望把Si器件方面的生產(chǎn)能力、產(chǎn)能規(guī)模能延續(xù)到SiC，生產(chǎn)出高質(zhì)量、可靠的SiC產(chǎn)品，進一步鞏固和提升我們的市場地位：為業(yè)界提供最可靠的SiC產(chǎn)品與服務(wù)！

英飛凌和國內(nèi)的很多企業(yè)都有關(guān)于SiC的探討，在以下行業(yè)更是有著成熟和深度的合作：快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、車載電源、軌道交通。我認為SiC能在某個行業(yè)對其效率有革命性的提升，比如：提高能效方面和減少重量與體積方面，它一定會對這個領(lǐng)域有著極大的作用。但是SiC器件也不是萬金油，在接下來的很長一段時間，Si與SiC器件都會長期并存，共同發(fā)展。

——英飛凌大中華區(qū)副總裁于代輝先生

3. SiC和Si是一脈相承還是相去萬里？

可以從SiC與Si器件的原理方面進行分析，就結(jié)構(gòu)來講，Si與SiC材料之間最主要的差別是他們承受的電場能力不同，彼此之間差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之間是可以有借鑒之處的。SiC器件現(xiàn)在所做的事情和Si之前所涉的技術(shù)大致相同，所以在原理方面是有借鑒之處的。

——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院盛況教授

4. 怎樣才能實現(xiàn)合理的SiC價格定位？

SiC的價格問題是一直是很嚴(yán)峻，客戶永遠希望價格越低越好。作為一個新興技術(shù)，SiC也有新興技術(shù)所存在的普遍問題：產(chǎn)量小、穩(wěn)定度不夠、價格高。雖然大家都希望SiC技術(shù)可以普及，但是從新興技術(shù)發(fā)展到通用技術(shù)這個過程往往是十分漫長的。IGBT，從1990年至今，一共發(fā)展了30年，走過了7代的技術(shù)，從晶圓來講走過了4英寸、6英寸，8英寸、12英寸，從芯片的厚度從300降到了60 μm，最終成本降到了原先的五分之一。所以SIC技術(shù)也同樣需要時間來進行技術(shù)上的打磨，從而降低成本。

——英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)

馬國偉博士

5. 現(xiàn)代電力系統(tǒng)的特點是什么？

電力電子技術(shù)使電能在發(fā)生、輸送、分配、利用及存儲等環(huán)節(jié)都處于精確可控狀態(tài)，可顯著提高電能變換系統(tǒng)的靈活性和兼容性，在現(xiàn)代電力系統(tǒng)或電網(wǎng)中獲得了廣泛應(yīng)用。

——中國科學(xué)院電工研究所李子欣博士

6. 供電網(wǎng)絡(luò)呈現(xiàn)出怎樣的變化發(fā)展趨勢？

隨著新半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)，我們有機會將電力電子的工作模式發(fā)生比較大的變化。通過這種變化，更利于通過不間斷電源對電網(wǎng)和負載的各種問題做主動性的預(yù)防。

——伊頓電氣研發(fā)總監(jiān)鄭大為先生

多年來，晶圓走過了4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的發(fā)展歷程，芯片的厚度也從300μm一路超薄化為60μm，半導(dǎo)體技術(shù)的日新月異不僅造就了先進的碳化硅器件，還有更加滿足特定行業(yè)需求的芯片，模塊拓撲和封裝。

伴隨著技術(shù)的革新，碳化硅將在未來的光伏與儲能領(lǐng)域扮演重要的角色。英飛凌順應(yīng)市場大勢，在此次碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇上，首次設(shè)置了光伏與儲能分論壇，為行業(yè)交流搭建了全新平臺。會上不僅有業(yè)界最資深的分析咨詢公司解讀光儲市場的未來走向，還有最權(quán)威的認證機構(gòu)詳解光儲產(chǎn)品設(shè)計規(guī)范和認證，更有英飛凌的技術(shù)專家深入淺出地為參會者介紹最全面的光伏產(chǎn)品解決方案，現(xiàn)場互動頻頻、驚喜不斷，掀起了一場半導(dǎo)體業(yè)的技術(shù)交流熱潮。

IHS Markit 資深分析師 胡丹

百尺竿頭，更進一步。歷經(jīng)一載春華秋實，英飛凌碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇已在中國生根發(fā)芽，結(jié)出了累累碩果。未來，英飛凌將繼續(xù)矢志創(chuàng)“芯”，引領(lǐng)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并與合作伙伴攜手共筑新能源領(lǐng)域的美好未來。

英飛凌設(shè)計、開發(fā)、制造并銷售各種半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。其業(yè)務(wù)重點包括汽車電子、工業(yè)電子、射頻應(yīng)用、移動終端和基于硬件的安全解決方案等。

英飛凌將業(yè)務(wù)成功與社會責(zé)任結(jié)合在一起，致力于讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。半導(dǎo)體雖幾乎看不到，但它已經(jīng)成為了我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。不論在電力生產(chǎn)、傳輸還是利用等方面，英飛凌芯片始終發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，它們在保護數(shù)據(jù)通信，提高道路交通安全性，降低車輛的二氧化碳排放等領(lǐng)域同樣功不可沒。