過去幾十年里，摩爾定律讓處理器的性能快速提升，隨著摩爾定律的放緩，性能和需求之間的矛盾日益明顯。一面是智能手機、HPC、AI對處理器性能不斷增加的需求，另一面則是半導(dǎo)體制程提升的難度的大增與高昂的成本。不過，先進半導(dǎo)體制程依舊是提升處理器性能最為直觀的辦法，因此先進制程更加受到業(yè)界關(guān)注。

英特爾10nm制程一再延期之時，臺積電就已經(jīng)量產(chǎn)了7nm。當(dāng)英特爾10nm制程2019年量產(chǎn)不久之后，臺積電就將在2020年上半年量產(chǎn)5nm制程，曾經(jīng)落后的臺積電為何能取得今天的成就？

本周，臺積電在上海舉辦一年一度的2019中國技術(shù)論壇，不過這是臺積電首次邀請國內(nèi)媒體參與其年度技術(shù)盛會，雷鋒網(wǎng)受邀參加。在技術(shù)論壇的演講中，臺積電全球總裁魏哲家表示，目前市面上7nm的產(chǎn)品全都出自臺積電。他同時透露，臺積電的5nm技術(shù)已經(jīng)有客戶在此技術(shù)基礎(chǔ)上設(shè)計產(chǎn)品，2020年第一到第二季度將會量產(chǎn)。

從落后到反超的兩個技術(shù)節(jié)點

首先需要明確，臺積電能取得今天的成績，并非是一朝一夕努力的結(jié)果，并且，今天的優(yōu)勢并不代表未來的成功。這家目前全球最大的晶圓代工企業(yè)成立于1987年，總部位于中國***新竹。臺積電成立之時，半導(dǎo)體巨頭都是IDM模式，也就是一家公司要完成從設(shè)計到制造再到封測的全部工作。那是，無晶圓芯片公司在設(shè)計完芯片之后，想讓有晶圓廠的巨頭幫他們代工芯片并不容易。

臺積電創(chuàng)始人張忠謀從美國回到***，抓住了機會成立了臺積電，專門從事晶圓代工的業(yè)務(wù)，也就是人們常說的芯片代工。臺積電這種商業(yè)上的創(chuàng)新如今看來深刻影響了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，但在臺積電成立之初，半導(dǎo)體行業(yè)處于低迷期，并且其芯片制造技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于英特爾等芯片巨頭，因此他們只能靠少量的訂單艱難維持生存。

但偉大的企業(yè)家總能帶領(lǐng)公司解決挑戰(zhàn)，在張忠謀的領(lǐng)導(dǎo)下，憑借英特爾認(rèn)證的背書，加上半導(dǎo)體市場的轉(zhuǎn)暖，臺積電的營收迎來了快速增長。1995年營收已經(jīng)超過10億美元，1997年實現(xiàn)13億美元營收，5.35億美元的巨額盈利讓臺積電當(dāng)時就成為了最賺錢的***企業(yè)。

不過，臺積電逐步取得技術(shù)領(lǐng)先是在成立的20年之后。1999年，臺積電領(lǐng)先業(yè)界推出可量產(chǎn)的0.18微米銅制程制造服務(wù)。2001年，臺積電推出業(yè)界第一套參考設(shè)計流程，協(xié)助開發(fā)0.25微米及0.18微米的客戶降低設(shè)計難度，以實現(xiàn)快速量產(chǎn)的目標(biāo)。

2005年，臺積電又領(lǐng)先業(yè)界成功試產(chǎn)65nm芯片。此時，隨著晶體管體積的進一步縮小，難度的增加讓成本大漲，眾多芯片巨頭都停止了對先進晶圓廠的投入，這給專門提供晶圓代工服務(wù)的臺積電帶來的機會。

而進一步擴大臺積電實力的技術(shù)節(jié)點是28nm。進入28nm制程時，有一個關(guān)鍵的技術(shù)選擇——先閘極(Gate-first)與后閘極(Gate-last)，格羅方德和三星都選擇了先閘極技術(shù)，臺積電通過認(rèn)真研究兩種技術(shù)，堅定地選擇后閘極技術(shù)，結(jié)果臺積電2011年一舉成功量產(chǎn)，三星與格羅方德的生產(chǎn)良品率卻始終無法提升。

為鞏固優(yōu)勢，臺積電針對智能手機芯片設(shè)計的主流制程一連推出四個版本，每年新推出的制程不但較前一代速度提高、芯片尺寸微縮4%，還省電30%。借此，臺積電在28nm節(jié)點就建立了很高的壁壘。

臺積電成功的3個關(guān)鍵

魏哲家表示，臺積電成功最主要靠三個支撐點：技術(shù)、生產(chǎn)和各位的信任。

臺積電全球總裁魏哲家

技術(shù)路線

根據(jù)臺積電的說法，臺積電7nm已經(jīng)獲得60個NTO（New Tape Out，新產(chǎn)品流片），2019年將會突破100個。7nm之后，臺積電推出了7nm+工藝，作為臺積電首個使EUV光刻技術(shù)的節(jié)點，7nm+的邏輯密度是7nm的1.2倍，良率方面和量產(chǎn)的7nm相比不分伯仲。根據(jù)規(guī)劃，臺積電7nm+將會在2019下半年投入量產(chǎn)。

7nm+之后，臺積電先推出的并非6nm而是5nm。魏哲家表示，5nm的生態(tài)系統(tǒng)設(shè)計已經(jīng)完成，并且已經(jīng)有客戶可以開始在其技術(shù)基礎(chǔ)上設(shè)計產(chǎn)品。5nm已經(jīng)在風(fēng)險試產(chǎn)，預(yù)計將在2020年第一季度到第二季度開始量產(chǎn)。5nm之后，臺積電也規(guī)劃了5nm+。

魏哲家解釋稱，6nm（N6）之所以選擇在7nm+和5nm后推出，是希望借助7nm+和5nm的經(jīng)驗，讓6nm比7nm+有更優(yōu)的邏輯密度，且與7nm的IP相容，使用7nm+工藝的IP可以繼續(xù)使用6nm工藝，減少制程復(fù)雜度的同時降低成本。

在臺積電的規(guī)劃中7nm將會是一個過渡的節(jié)點，而6nm將會是一個主要節(jié)點，預(yù)計會在相當(dāng)長的的一段時間內(nèi)都扮演重要的角色。

產(chǎn)能投資

魏哲家介紹，2018年臺積電的產(chǎn)能是1200萬片的12寸晶圓，1100萬片8寸晶圓，8寸晶圓相較2013年增長540萬片，平均每年增加14.3%。產(chǎn)能的持續(xù)增長源于不斷的投入，去年年底開工的臺積電南京廠（晶圓十六廠，F(xiàn)ab 16）主要是16nm晶圓代工。另外，臺積電在臺南的18廠于去年1月動工，主攻5nm制程工藝。

據(jù)悉，臺積電的資本支出每年將近100億美元，過去五年總計投入近500億美元，今年這一數(shù)值預(yù)計將超過100億美元。

不過魏哲家強調(diào)，真正重要的不是生產(chǎn)，而是生產(chǎn)的品質(zhì)。他說：“如果生產(chǎn)的產(chǎn)品品質(zhì)不夠好，那就不要讓它出去?！币虼伺_積電的目標(biāo)是“zero excursion，zero defect（零偏移，零缺陷）”，希望客戶得知這個產(chǎn)品生產(chǎn)自臺積電后，就會放下心來，不會再問第二個問題。

關(guān)于臺積電成功的另外一個關(guān)鍵因素——信任，魏哲家并沒有闡述更多。但信任也非常重要，特別是向新的進程邁進的時候，無論對臺積電還是客戶而言都將是一筆巨額的投入，并且存在巨大的風(fēng)險，臺積電需要客戶的信任，只有這樣，臺積電才能保證巨額的投入可以獲得回報，當(dāng)然，也只有信任，雙方才能達成更多長期的合作。畢竟臺積電提供的是晶圓代工服務(wù)，如果無法獲得足夠的晶圓代工訂單，經(jīng)營都將面臨困境。

臺積電如何保持領(lǐng)先？

從目前的情況看，臺積電實現(xiàn)了先進半導(dǎo)體工藝的領(lǐng)先，這背后是一個良性的循環(huán)。在晶圓代工中，先進的制程投入量產(chǎn)之初成本非常高，只有大量的生產(chǎn)才能快速降低成本，成本和技術(shù)的優(yōu)勢可以幫助代工廠獲得更高的利潤，最終，獲得的營收又可以用于推進更先進制程的研究和量產(chǎn)。

以臺積電為例，他們每年的資本支出就達到100億甚至高于這一數(shù)值，如果無法從先進制程中獲得足夠的利潤，很難支撐更先進工藝的研發(fā)，畢竟隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度的增加，無論是研發(fā)還是生產(chǎn)成本都將大幅增長。并且先進制程帶來高風(fēng)險的同時，對營收的貢獻也存在滯后性。通過臺積電的營收我們可以看到，去年已經(jīng)有多款7nm處理器量產(chǎn)，但7nm當(dāng)時貢獻的營收很少，到了2019 Q1，臺積電7nm的營收已經(jīng)高達22%，也是營收貢獻最多的節(jié)點。

顯然，臺積電進入了一個良性循環(huán)的過程，并且在晶圓代工市場，領(lǐng)先者將憑借技術(shù)和時間優(yōu)勢將獲得最多的利潤，即便市占排名第二，營收和市場龍頭也有巨大的差距，在這種情況下想要實現(xiàn)超越非常困難。

不過，即便具備優(yōu)勢，臺積電依舊保持著對市場和競爭者的敬畏之心。現(xiàn)在，臺積電在努力將邏輯的優(yōu)勢向更多領(lǐng)域拓展。在進入28nm之后，想通過晶體管的微縮保持芯片性能的提升已經(jīng)面臨巨大挑戰(zhàn)，業(yè)界開始探索借助封裝提升性能。臺積電率先布局，并推出了Bumping服務(wù)，根據(jù)臺積電的說法，現(xiàn)在超過90%的7nm客戶都選擇了臺積電的Bumping服務(wù)。

2011年第三季度的法說會上，張忠謀毫無預(yù)兆擲出重磅炸彈──臺積電要進軍封裝領(lǐng)域。他們推出的第一個先進封裝產(chǎn)品是CoWoS（Chip on Wafer on Substrate），具體而言是將邏輯芯片和DRAM 放在硅中介層（interposer）上，然后封裝在基板上。

如今，臺積電的封裝技術(shù)主要分為前端3D（Frontend 3D）的SoIC和WoW兩種集成技術(shù)，以及后端3D（Backend 3D）的Bump（凸塊）/WLCSP、CoWoS、InFO三種技術(shù)，這些技術(shù)都有助于推動系統(tǒng)級創(chuàng)新，面向不同的市場。

據(jù)介紹，CoWoS主要面向AI、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)，InFO_PoP將主要應(yīng)用于手機，InFO_MS主要應(yīng)用于AI推理，InFO_oS主要應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)。未來，3D封裝將在高性能計算中發(fā)揮非常重要的作用，臺積電擁有先進封裝技術(shù)將非常重要。不過，臺積電并不準(zhǔn)備與封測廠爭奪市場，臺積電表示他們將聚焦于晶圓層面的封裝。

5G作為推動未來半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要技術(shù)，臺積電也在進行探索RF以及模擬器件的可能性。在Wi-FI和毫米波市場，臺積電在將工藝往16nm FinFET 推進，另外，臺積電還將推出7nm RF，相關(guān)的Spice和SDK也會在2020年下半年準(zhǔn)備就緒。模擬方面臺積電也有廣泛的布局。

臺積電在手機圖像傳感器、高靈敏度MEMS、高端OLED、PMIC方面也有相應(yīng)的技術(shù)。在存儲領(lǐng)域，臺積電的40nm RRAM在2018年上半年就進行風(fēng)險試產(chǎn)，28nm/22 nm的RRAM也會在2019年下半年風(fēng)險試產(chǎn)。臺積電也擁有比eFlash快三倍寫速度的22nm MRAM，這個工藝也在2018年下半年開始風(fēng)險試產(chǎn)。

最后需要關(guān)注的是，半導(dǎo)體制程提升的兩大關(guān)鍵是晶體管結(jié)構(gòu)和材料，關(guān)于結(jié)構(gòu)的進展，臺積電沒有透露新的消息，但材料方面提到了創(chuàng)新Low—k材料。

小結(jié)

臺積電引領(lǐng)了半導(dǎo)體行業(yè)晶圓代工的模式，歷經(jīng)三十多年，臺積電成功從落后的追隨者變?yōu)榱祟I(lǐng)先者，也是先進處理器背后的幕后支撐者。不過，在晶圓代工領(lǐng)域取得領(lǐng)先并且處于良性周期的臺積電依舊保持著對市場和所有競爭對手的敬畏，不僅在提升半導(dǎo)體制程關(guān)鍵的晶體管結(jié)構(gòu)和材料持續(xù)投入，努力保持邏輯優(yōu)勢，也正在將邏輯優(yōu)勢拓展至5G、模擬等領(lǐng)域。還有，臺積電生態(tài)超過1000名的工程師也是其很難超越的優(yōu)勢。

至于存儲，臺積電有所布局，但如何在這一領(lǐng)域取得領(lǐng)先優(yōu)勢，臺積電的思考是關(guān)注新的存儲技術(shù)而非已有的技術(shù)，這也許是臺積電取得成功的重要因素之一。當(dāng)然，新的技術(shù)也是臺積電最有可能進行收購的動力。

還有一點，對于未來制程技術(shù)的提升，技術(shù)或許不是最難的，最大的挑戰(zhàn)或許來自對于成本的考量。