動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-03 18:01

  臺階儀在薄膜晶體管的應(yīng)用 | 精準(zhǔn)表征有源層厚度均勻性

  

  在薄膜晶體管（TFT）的研發(fā)與性能優(yōu)化中，有源層（即半導(dǎo)體溝道層）的厚度是決定器件電學(xué)特性（如閾值電壓、開關(guān)比、遷移率）的核心參數(shù)之一。本文聚焦于互補(bǔ)型薄膜晶體管（CTFT）的工藝優(yōu)化，系統(tǒng)探究了P型SnO、Te及N型SnO?薄膜的厚度對最終器件性能的影響。為確保實(shí)驗(yàn)結(jié)論的可靠性，精確控制并驗(yàn)證薄膜的實(shí)際沉積厚度成為前提條件。本研究采用Flexfilm費(fèi)曼儀

  儀器 晶體管 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-01 18:05

  光譜橢偏法對大面積室溫直流濺射AZO薄膜均勻性的表征研究

  

  鋁摻雜氧化鋅（Al:ZnO，AZO）兼具高透明度與高導(dǎo)電性，且組成元素儲量豐富、無毒，適用于多種大面積光電器件。光譜橢偏法通過引入振蕩子模型，可以同時提取薄膜的多個光學(xué)和電學(xué)參數(shù)，是評估大面積沉積質(zhì)量的有效手段。本研究用該方法對沉積在15cm×15cm玻璃襯底上的AZO薄膜進(jìn)行多點(diǎn)測量，獲取方塊電阻和可見光透過率的空間分布。對照測量（分光光度法和四探針法）顯

  光譜 測量 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-30 18:02

  臺階儀在Mo?C薄膜測量中的應(yīng)用 | 粗糙化比率>1的薄膜材料

  

  在薄膜科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域，表面粗糙度是評價薄膜質(zhì)量、理解生長機(jī)制的重要指標(biāo)。Flexfilm費(fèi)曼儀器探針式臺階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本文基于臺階儀對Mo?C薄膜表面粗糙度的測量結(jié)果，結(jié)合晶粒邊界修正，系統(tǒng)分析了其快速粗糙化現(xiàn)象，并對常規(guī)粗糙化理論難以解釋的

  測量 薄膜 薄膜材料

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• 發(fā)布了文章 2026-03-27 18:02

  基于橢偏儀的大尺寸MPALD氧化鋁薄膜厚度均勻性與n、k值表征

  

  隨著半導(dǎo)體制造工藝不斷向更小線寬和更高精度演進(jìn)，原子層沉積技術(shù)因其原子級厚度可控性及優(yōu)異的均勻性、保形性，在集成電路制造領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。然而，傳統(tǒng)熱驅(qū)動原子層沉積工藝受限于配體交換反應(yīng)的溫度要求，難以滿足熱敏感基底的低溫沉積需求。為此，等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)通過引入高活性自由基替代熱反應(yīng)，有效拓寬了材料范圍并降低了沉積溫度。在各類等離子體源中，微波等離

  儀器 半導(dǎo)體制造 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-23 18:03

  AlN薄膜表征難點(diǎn)解析：橢偏儀從光學(xué)常數(shù)到附著性能的系統(tǒng)表征

  

  氮化鋁（AlN）作為Al-N二元體系中唯一的穩(wěn)定相，具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，禁帶寬度達(dá)6.2eV。其具備高電阻率、低熱膨脹系數(shù)、高硬度、良好的化學(xué)穩(wěn)定性以及優(yōu)異的熱導(dǎo)率（3.2W/cm·K），在可見光至紅外波段也表現(xiàn)出較高的光學(xué)透過率。這些特性使AlN薄膜在微電子器件、光電器件以及防護(hù)涂層等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。Flexfilm費(fèi)曼儀器

  光學(xué) 測試儀 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-20 18:05

  臺階儀在集成電路制造中的應(yīng)用：高端光刻膠材料純化研究進(jìn)展

  

  隨著集成電路制程節(jié)點(diǎn)不斷向納米尺度邁進(jìn)，光刻技術(shù)已從紫外全譜（g線、i線）發(fā)展到深紫外（KrF、ArF）乃至極紫外（EUV）光源。光刻膠作為光刻工藝的核心材料，其純度直接影響光刻圖案的分辨率與芯片良率。尤其在EUV光刻時代，對光刻膠中金屬雜質(zhì)和顆粒物的控制要求已趨極致，因此光刻膠原料及成品的純化處理成為決定光刻技術(shù)水平的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。Flexfilm費(fèi)曼儀器

  光刻膠 材料 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2026-03-18 18:02

  光譜橢偏儀在AR衍射光波導(dǎo)工藝表征中的應(yīng)用研究

  

  增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)顯示技術(shù)通過將虛擬信息與真實(shí)場景無縫融合，為用戶提供全新的視覺體驗(yàn)，在娛樂、教育、醫(yī)療、設(shè)計(jì)及導(dǎo)航等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。AR近眼顯示設(shè)備作為下一代顯示技術(shù)的代表，正逐步從軍用領(lǐng)域向消費(fèi)電子領(lǐng)域拓展。其核心挑戰(zhàn)在于如何在輕薄化的設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高畫質(zhì)、大視場角和高光效的圖像傳輸。Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表

  Ar 光波 光譜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-16 18:06

  一文讀懂高精度衍射光學(xué)分束器的光刻制備、工藝優(yōu)化與表征分析

  

  衍射光學(xué)分束器的性能表現(xiàn)，既依賴于優(yōu)化的仿真設(shè)計(jì)方案，也深受材料選擇與加工工藝的影響。當(dāng)前相關(guān)研究多聚焦于通過理論仿真和設(shè)計(jì)優(yōu)化追求高性能，而針對加工誤差對器件性能影響的探索相對薄弱。光刻技術(shù)作為半導(dǎo)體加工領(lǐng)域的高精度核心技術(shù)，能夠通過精細(xì)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)，精準(zhǔn)控制光致聚合物的折射率與高度，且適配衍射光學(xué)分束器的規(guī)?；圃煨枨?。該技術(shù)可在單步加工中完成器件結(jié)構(gòu)成

  光刻 光學(xué) 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2026-03-13 18:02

  SU-8光刻膠的光學(xué)特性研究：190-1680nm波段的光譜橢偏分析

  

  SU-8是一種在微納加工領(lǐng)域應(yīng)用廣泛的環(huán)氧基負(fù)性光刻膠，因其能夠制備高深寬比微結(jié)構(gòu)而備受關(guān)注，在微機(jī)電系統(tǒng)、光波導(dǎo)和生物醫(yī)學(xué)器件等領(lǐng)域具有重要價值。準(zhǔn)確掌握其光學(xué)常數(shù)（折射率n和消光系數(shù)k）對于器件設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化至關(guān)重要。然而，現(xiàn)有研究多集中于有限波段（300-800nm），且缺乏系統(tǒng)的測量與建模，難以滿足寬光譜應(yīng)用的需求。Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏

  光刻膠 光譜 材料

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• 發(fā)布了文章 2026-03-11 18:03

  臺階儀常見問題解答：原理、精度與薄膜厚度測量方法

  

  在半導(dǎo)體制造、微納結(jié)構(gòu)加工以及薄膜材料研究中，表面形貌和臺階高度測量是基礎(chǔ)而重要的表征手段。隨著薄膜工藝向納米尺度發(fā)展，對測量設(shè)備的精度與穩(wěn)定性提出了更高要求。臺階儀作為一種成熟的表面輪廓測量設(shè)備，被廣泛應(yīng)用于薄膜厚度測量、臺階高度檢測以及表面粗糙度分析等領(lǐng)域。本文基于這些技術(shù)文獻(xiàn)，對臺階儀的常見問題進(jìn)行系統(tǒng)梳理，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用說明其在薄膜厚度測量中的作用。

  測量 測量設(shè)備 薄膜

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