動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-29 18:03

  臺(tái)階儀在鋰電池的應(yīng)用 | 量化表征正負(fù)極與電解質(zhì)膜的厚度變化

  

  微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）與微小型電子器件的快速發(fā)展，推動(dòng)化學(xué)電源向微型化方向急劇迭代。與傳統(tǒng)液態(tài)鋰離子電池相比，全固態(tài)薄膜鋰電池將電解質(zhì)與電極均以微米級(jí)薄膜形式沉積于襯底之上，既解決了漏液與安全性問(wèn)題，又在體積上大幅縮減，已成為微能源領(lǐng)域最受關(guān)注的技術(shù)路線之一。Flexfilm費(fèi)曼儀器探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定

  mems 儀器 電解質(zhì)

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• 發(fā)布了文章 2026-04-27 18:04

  ALD-Al?O?薄膜的制備：基于橢偏儀的前驅(qū)體脈沖時(shí)間優(yōu)化與光學(xué)表征

  

  高功率激光系統(tǒng)（如慣性約束核聚變、激光裝備等）中的復(fù)雜曲面光學(xué)元件對(duì)薄膜的均勻性和精度要求極高。傳統(tǒng)物理氣相沉積（PVD）難以在高陡度曲面上實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋，而原子層沉積（ALD）憑借自限制表面反應(yīng)特性，可實(shí)現(xiàn)原子級(jí)厚度控制和優(yōu)異的三維共形覆蓋。Al?O?薄膜因?qū)拵?、高?dǎo)熱性和良好的化學(xué)穩(wěn)定性而成為代表性材料。已有研究探索了退火、吹掃時(shí)間、沉積厚度等對(duì)薄膜性能

  儀器 光學(xué) 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-24 18:02

  臺(tái)階儀在復(fù)合集流體中的應(yīng)用：厚度測(cè)量與粗糙度表征的完整指南

  

  隨著新能源汽車和儲(chǔ)能行業(yè)的快速發(fā)展，鋰離子電池的能量密度與安全性成為制約其進(jìn)一步應(yīng)用的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)鋰離子電池采用金屬集流體（銅箔/鋁箔），雖技術(shù)成熟，但存在面密度高（銅箔約9μm）、成本占比較高以及穿刺時(shí)易引發(fā)內(nèi)短路、熱失控等問(wèn)題。復(fù)合集流體（聚合物基金屬?gòu)?fù)合薄膜）的出現(xiàn)為上述困境提供了創(chuàng)新解決路徑，以4～8μm聚合物薄膜為基底，沉積0.5～2μm金屬層，

  儀器 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-22 18:04

  橢偏儀在光學(xué)薄膜中的應(yīng)用 | Al?O?膜厚、色差與耐腐蝕性解析

  

  銀制品易變色、硬度低，傳統(tǒng)表面防護(hù)方法存在覆膜不均、缺陷多、結(jié)合力弱等問(wèn)題。原子層沉積（ALD）技術(shù)可實(shí)現(xiàn)均勻、可控的氧化鋁（Al?O?）薄膜，但膜厚過(guò)薄缺陷多、過(guò)厚影響外觀（色差）。Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。本文采用ALD在拋光925銀表面制備不同厚度Al?O

  儀器 光學(xué)薄膜 光譜儀

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• 發(fā)布了文章 2026-04-20 18:03

  臺(tái)階儀在有機(jī)薄膜晶體管應(yīng)用：60 nm有源層等效厚度精確測(cè)量全流程

  

  有機(jī)薄膜晶體管因其低成本、柔性化制備潛力而在光電探測(cè)領(lǐng)域備受關(guān)注，然而有機(jī)薄膜的厚度精準(zhǔn)控制與微觀結(jié)構(gòu)表征始終是制約器件性能優(yōu)化的關(guān)鍵難題。Flexfilm費(fèi)曼儀器探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本研究以光敏有機(jī)半導(dǎo)體材料酞菁鐵（FePc）為有源層，采

  儀器 晶體管 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-17 18:03

  基于均勻樣品的薄膜厚度測(cè)量：橢偏儀vs.反射儀

  

  本研究利用高質(zhì)量二氧化硅（SiO?）和氧化鋁（Al?O?）薄膜（硅襯底）對(duì)光譜橢偏儀和反射儀進(jìn)行了系統(tǒng)比較。通過(guò)詳細(xì)的不確定度分析，發(fā)現(xiàn)兩種方法在10nm至2000nm的膜厚范圍內(nèi)結(jié)果高度一致，偏差均在測(cè)量不確定度之內(nèi)。橢偏儀在較薄薄膜上不確定度更低，而反射儀在較厚薄膜上更具優(yōu)勢(shì)。這項(xiàng)工作強(qiáng)調(diào)了嚴(yán)格的厚度表征和不確定度評(píng)估對(duì)薄膜計(jì)量學(xué)的重要性。Flexfil

  儀器 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-15 18:04

  磁控濺射工藝時(shí)間對(duì)金屬及氧化物靶材濺射速率的影響：基于臺(tái)階儀的薄膜厚度表征

  

  磁控濺射是物理氣相沉積（PVD）領(lǐng)域的主流技術(shù)之一，具有沉積溫度低、速率快、多靶共沉積靈活等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于金屬、半導(dǎo)體及絕緣體薄膜的制備。實(shí)際工程中，由于不同材料濺射原子的角分布差異懸殊，晶振片監(jiān)測(cè)往往誤差較大，工程師們通常采用"以工藝時(shí)間換算薄膜厚度"的方法：在短時(shí)間內(nèi)濺射沉積一定厚度的薄膜，經(jīng)臺(tái)階儀測(cè)量折算出沉積速率，再按比例推算目標(biāo)厚度所需的濺射時(shí)

  儀器 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2026-04-13 18:04

  「納米光柵無(wú)損檢測(cè)」告別破壞性表征，光譜橢偏儀實(shí)現(xiàn)99.97%精度無(wú)損測(cè)量

  

  隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，器件特征尺寸不斷縮減，而量產(chǎn)化的工藝需求卻日益提高，納米壓印技術(shù)因此應(yīng)運(yùn)而生。納米壓?。∟IL）的基本原理是將模具上的圖形直接轉(zhuǎn)移至襯底，從而實(shí)現(xiàn)批量化復(fù)制。與傳統(tǒng)光刻工藝相比，納米壓印還具有工藝簡(jiǎn)單、分辨率高、生產(chǎn)效率高、成本低等顯著優(yōu)勢(shì)，已成為半導(dǎo)體加工工藝中最重要的技術(shù)路線之一。在納米壓印工藝過(guò)程中，模板和器件的關(guān)鍵尺寸（CD

  儀器 光譜 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-10 18:04

  磁控濺射SiO?薄膜工藝優(yōu)化：臺(tái)階儀在膜厚與粗糙度表征中的應(yīng)用

  

  氧化硅（SiO?）薄膜作為典型的功能薄膜材料，具有優(yōu)良的光學(xué)、電學(xué)及機(jī)械性能，在液晶顯示、太陽(yáng)能電池、建筑玻璃及汽車玻璃等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。其低折射率和高透光特性，使其在光學(xué)減反射膜和表面保護(hù)層中具有重要作用。在太陽(yáng)能電池中，氧化硅薄膜不僅可作為隔離層抑制載流子復(fù)合，還可作為抗反射層提升光吸收效率，從而改善器件整體性能與穩(wěn)定性。隨著高性能薄膜需求的不斷提升，

  儀器 材料 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-08 18:05

  橢偏儀薄膜測(cè)試解決方案：半導(dǎo)體、聚合物與生物傳感的高精度表征

  

  近年來(lái)，隨著材料科學(xué)的快速發(fā)展，薄膜制備技術(shù)及表界面研究逐漸成為研究熱點(diǎn)。納米加工技術(shù)的不斷成熟，使得器件性能要求持續(xù)提高，相應(yīng)地，各類微納表征技術(shù)也得到了快速發(fā)展。SEM、AFM及TEM等方法雖具備高空間分辨率與良好的可視化能力，但普遍存在對(duì)樣品造成不可逆損傷的問(wèn)題，且難以實(shí)現(xiàn)原位檢測(cè)。相比之下，橢圓偏振光譜（SpectroscopicEllipsomet

  半導(dǎo)體 測(cè)試 薄膜

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