本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-08 11:22
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本文主要介紹如何理解芯片設計中的IP 在芯片設計中，IP（知識產(chǎn)權核心，Intellectual P....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-08 10:43
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可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高，氫原子....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-07 09:44
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在半導體制造的復雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關鍵環(huán)節(jié)，....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-07 09:41
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但隨著技術迭代，晶體管尺寸持續(xù)縮減，電阻電容（RC）延遲已成為制約集成電路性能的關鍵因素。在90納米....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-07 09:39
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光學操控技術已成為諸多應用領域中的有力工具，它的蓬勃發(fā)展也使得學界對光學器件小型化的需求日益增長。因....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-06 10:16
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SiC外延設備的復雜性主要體現(xiàn)在反應室設計、加熱系統(tǒng)和旋轉系統(tǒng)等關鍵部件的精確控制上。在SiC外延生....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-06 10:10
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2024年12月31日，國家市場監(jiān)督管理總局(國家標準化管理委員會)發(fā)布2024年第32號中華人民共....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-05 14:04
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在數(shù)字支付技術迅猛發(fā)展的今天，支付寶推出的“碰一下”支付功能以其便捷性和高效性迅速吸引了廣泛關注。這....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-05 14:01
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多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技....
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中科院半導體所 發(fā)表于 02-05 13:49
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光刻是芯片制造過程中至關重要的一步，它定義了芯片上的各種微細圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-28 16:36
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晶圓，作為芯片制造的基礎載體，其表面平整度對于后續(xù)芯片制造工藝的成功與否起著決定性作用。
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-24 10:06
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隨著半導體技術不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應晶體管（FinF....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-24 10:03
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激光具有多種特性，使其在許多實際應用中都很有用。激光是單色的、定向的、相干的。相比之下，普通白光是許....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-23 10:10
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ALD 和 ALE 是微納制造領域的核心工藝技術，它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-23 09:59
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朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應晶體管奠定了理論基礎。 雖然第一個工作的....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-23 09:42
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本文簡單介紹了衍射光柵的歷史及其重要作用。 很難指出還有哪一種裝置比衍射光柵為每個科學領域帶來了更重....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-22 11:06
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碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領域有著廣泛的應用。其中，基....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-22 10:59
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本文簡單介紹了連續(xù)波和脈沖波的概念、連續(xù)波電流與脈沖波電源的定義以及脈沖波電源相對于連續(xù)波的電源模式....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-22 10:11
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? 本文簡單介紹了數(shù)據(jù)I/O模塊的概念、特點以及作用。 一、數(shù)據(jù) I/O 模塊是什么 1. 承接內(nèi)外....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-21 11:10
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本文從愛因斯坦追光實驗入手，用通俗易懂的語言介紹了多普勒頻移現(xiàn)象。 ? 愛因斯坦是20世紀最偉大的天....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-21 11:06
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本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中，離子的分布狀況....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-21 10:52
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本文介紹了集成電路制造中良率損失來源及分類。 良率的定義 良率是集成電路制造中最重要的指標之一。集成....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-20 13:54
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本文介紹了硬件處理模塊的概念、特點和在系統(tǒng)中的位置。 一、硬件處理模塊的基本概念?專注于特定功能? ....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-20 13:52
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本文介紹了FinFET（鰭式場效應晶體管）制造過程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-20 11:02
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景深是圖像中看起來可以接受的清晰度的最近和最遠對象之間的距離。拍攝圖像時，將相機聚焦在任意距離的對象....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-20 11:00
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本文簡單介紹了MOS管特征頻率與過驅(qū)動電壓的概念以及二者的關系。
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-20 10:59
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本文介紹了CVD薄膜質(zhì)量的影響因素及故障排除。 CVD薄膜質(zhì)量影響因素 以下將以PECVD技術沉積薄....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-20 09:46
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本文介紹了如何提高光刻機的NA值。 為什么光刻機希望有更好的NA值？怎樣提高？ ? 什么是NA值？ ....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-20 09:44
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本文介紹了什么是原子層刻蝕（ALE, Atomic Layer Etching）。 1.ALE 的基....
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中科院半導體所 發(fā)表于 01-20 09:32
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