導通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3811 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083396 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業(yè)內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 瑞薩電子開發(fā)第三代車載SJ-MOSFET，計劃1～2年內開始量產(chǎn)。該器件降低了導通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201805 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:341861 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關
2019-03-08 15:06:392742 日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 （1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數(shù)，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結合了瑞薩廣泛產(chǎn)品的全新“成功產(chǎn)品組合”——其中包括電動汽車（EV）充電、儀表盤
2023-03-02 14:29:51
2024 年 3 月 26 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布率先在業(yè)內推出基于內部自研CPU內核構建的通用32位RISC-V微控制器（MCU
2024-03-30 22:08:03
瑞薩電子與3db Access合作推出安全超寬帶解決方案
2021-02-05 07:05:13
瑞薩電子（又稱：Renesas注1)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開發(fā)時該注意哪些事項？具體該怎么操作？
2019-08-19 06:47:04
移動電話、汽車電子、電腦/影視以及家電等各種領域中的需求。從低端的4位、8位產(chǎn)品到高端的16位、32位產(chǎn)品中，都有瑞薩科技的身影。并且，瑞薩科技還將在面向下一代市場的開發(fā)方面繼續(xù)加大投入力度，展開以
2012-08-08 19:59:58
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU作者：時間：2009-04-21來源：電子產(chǎn)品世界字號： 小 中 大關鍵詞： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞薩
2022-01-26 06:01:47
看到瑞薩也入手RISC-V，我只了解到了R9A02G021已經(jīng)出了，不知道瑞薩還有繼續(xù)出強一點的產(chǎn)品嗎？
2024-05-30 07:35:21
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P對管
2011-04-15 11:51:00
MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導通電阻特性的系列產(chǎn)品。下面是ROHM第一代標準特性的AN系列、其他公司同等產(chǎn)品及EN系列的噪聲特性比較圖。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導通電阻
2018-12-05 10:00:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同的導通電阻。 不僅能夠以小封裝實現(xiàn)低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小?！ J-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現(xiàn)低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
近日，慣性傳感器模塊制造商XSENS宣布，隨著該公司推出新款兼容RTK的慣導產(chǎn)品，新一代高性價比的慣性傳感器產(chǎn)品將具備厘米級定位能力?！ 』诔Ｒ?guī)衛(wèi)星定位信號使用RTK（實時動態(tài)定位）擴展功能
2020-07-07 09:01:12
、降低噪音、解放人力并最大限度地節(jié)能，瑞薩電子（本文涉及產(chǎn)品主要為瑞薩電子原NEC部分）推出了一系列變頻控制專用的8位MCU。本文主要介紹了8位MCU――uPD78F0712的主要特點及基于該產(chǎn)品的變頻抽油煙機解決方案。
2019-07-19 07:40:34
安國半導體主要是在u***主控 sd卡這方面處于領先地位，現(xiàn)在為擴大經(jīng)營范圍 特推出新款觸摸按鍵 價格比義隆合泰都更有優(yōu)勢 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以過要是感興趣的話可以 聯(lián)系***
2013-10-08 15:48:39
”這個參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數(shù)導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他用途。這樣，是否可以將導電通道以高摻雜較低電阻率實現(xiàn)，而在MOS
2018-11-01 15:01:12
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
（屏蔽柵極槽）技術。是一款高效、低導通電阻的N溝道MOSFET，適合用于各種高頻、高效電源管理應用，尤其在DC/DC轉換器、無線充電和同步整流等領域表現(xiàn)優(yōu)異。
---產(chǎn)品特點---
· 低導通電阻
2024-10-14 09:40:16
不能降低高壓MOSFET的導通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除 導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他
2023-02-27 11:52:38
Vishay Siliconix推出業(yè)內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI發(fā)布具備更低導通電阻的集成負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54877 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡設備的高速存儲器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時延 DRAM。
2011-01-25 09:18:04831 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出新款系統(tǒng)SoC——CE150。新產(chǎn)品面向智能手機及高端移動電話的內置照相機應用
2011-03-21 11:18:11918 瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK
2011-03-21 11:20:251352 瑞薩電子(Renesas Electronics)及其子公司瑞薩通信技術(Renesas Mobile)(以下簡稱瑞薩行動)宣布推出新款32位元微控制器(MCU) SH7734
2011-07-04 09:07:343158 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統(tǒng)內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
2011-07-12 08:40:541219 瑞薩電子宣布推出面向機頂盒(STB)的新款系統(tǒng)芯片EMMA3SE/P，它支持用于全球數(shù)字電視廣播的視頻標準和播放基于互聯(lián)網(wǎng)的內容所需的各種視頻格式
2011-07-13 09:35:031736 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業(yè)內首個4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:072548 瑞薩電子宣布推出新款 SiGe :C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳
2011-09-28 09:08:461203 高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（瑞薩電子）宣布推出19款新型低功耗V850E2/Fx4-L系列32位微控制器MCU。 新系列產(chǎn)品主要應用于車身控制，與先進的外設功能相結合，
2012-03-30 08:41:051826 日本知名半導體制造商羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電的功率調節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101749 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004 高級半導體解決方案領軍廠商瑞薩電子（中國）有限公司宣布推出瑞薩先進電機控制算法- 瑞薩先進電機控制解決方案Renesas Advanced Motor Drive Algorithm。
2012-07-24 15:56:112262 
Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301152 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業(yè)內最低的導通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 日本東京訊—全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社，推出新款集成式汽車駕駛艙解決方案，以提升駕駛體驗。
2014-11-13 18:04:571286 4月13日－Bourns-全球知名電子零組件領導制造與供貨商日前推出新款抗硫化系列薄膜精密貼片電阻- 型號CRT-AS。
2016-05-30 15:13:04831 不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負載開關產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導通電阻集成電源開關，集合了頂級FETIP與系統(tǒng)級保護功能。
2017-09-19 17:34:59
7 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節(jié)省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01728 瑞薩電子為工業(yè)應用推出支持EtherCAT?協(xié)議的微控制器產(chǎn)品組
2019-07-02 14:13:113448 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404976 對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:121262 日本東京訊 - 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布卡西歐計算機有限公司（以下簡稱“卡西歐”）已采用瑞薩超低功耗RE產(chǎn)品家族控制器作為新款卡西歐GBD-H1000“G-SHOCK”手表的主控制器。該產(chǎn)品具備心率監(jiān)測與GPS功能，已于2020年2月26日發(fā)布。
2020-08-09 00:08:15778 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-19 16:11:224353 
3.3 mm PowerPAK?1212-8S 封裝，10 V 條件下導通電阻僅為 0.95 mΩ，比上一代產(chǎn)品低 5 %。此外， 4.5 V 條件下器件導通電阻為 1.5 mΩ，而 4.5 V 條件下導通電阻與柵極電荷乘積，即 MOSFET 開關應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為 29.
2021-05-28 17:25:573908 導通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029359 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 )(統(tǒng)稱“東芝”)已經(jīng)開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:391985 瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11847 超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:071710 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
瑞薩電子今日宣布面向電機控制應用領域發(fā)布三個全新MCU產(chǎn)品群，其中超過35種來自于RX和RA家族的新產(chǎn)品。這些新款MCU擴充了瑞薩包括多種MCU與MPU、模擬和電源解決方案、傳感器、通信設備、信號調節(jié)器等的卓越電機控制產(chǎn)品組合。
2023-05-31 11:38:10805 兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:561060 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出新款低功耗藍牙（LE）片上系統(tǒng)（SoC），即DA14592。這款產(chǎn)品憑借其超低功耗和微型尺寸，成為瑞薩電子系列中功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+）低功耗藍牙產(chǎn)品。
2024-01-19 16:18:151930 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導通電阻負載開關數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:51:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS22912 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 13:46:040 近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。MOSFET的導通電壓，也稱為閾值電壓（Vth），是MOSFET從截止狀態(tài)到導通狀態(tài)的電壓值。 MOSFET
2024-08-01 09:19:552997 近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 瑞薩生態(tài)合作伙伴RT-Thread推出了一款高性能、多功能以太網(wǎng)MPU開發(fā)板EtherKit，搭載瑞薩電子RZ/N2L，并攜手瑞薩電子舉辦了產(chǎn)品發(fā)布會和產(chǎn)品研討。瑞薩電子在本次活動中介紹了瑞薩明星產(chǎn)品RZ/N2L。
2024-12-19 16:50:551916 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業(yè)領先的技術表現(xiàn)成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強型MOSFET，采用SGT屏蔽柵技術，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱，產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標準，以低導通電阻和高電流承載，可適配封閉環(huán)境應用，如儲能電池包BMS和車載OBC應用。
2025-08-12 16:54:001608 
圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動、電流監(jiān)測和輸出放電功能的低導通電阻負載開關。該器件可應用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設備、固態(tài)硬盤和手持設備。
2025-11-05 17:24:162153 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13198 
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