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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 電源/新能源 > 業(yè)界新聞

PCIM Asia 2023 上海國(guó)際電力元件、可再生能源管...

? 砥礪前行二十載 電能驅(qū)動(dòng)新未來 作為全球電力電子頂尖展會(huì)PCIM Europe的姐妹展,PCIM Asia上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)是一場(chǎng)在亞洲領(lǐng)先的電力電子國(guó)際展覽會(huì)及研討會(huì)。PCIM Asia 作為一個(gè)涵蓋組件、驅(qū)動(dòng)控制、散熱管理及終端智能系統(tǒng)的全方位展示平臺(tái),向業(yè)界人士呈現(xiàn)一條完整的產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈。來自消費(fèi)電子、工業(yè)電子、汽車電子、超大功率應(yīng)用、智能家居、可再生能源管理等領(lǐng)域的買家齊聚一堂,參與這場(chǎng)年度電力電子盛會(huì)! ? 展會(huì)理

2023-02-23 標(biāo)簽:電力元件pcim 1566

艾睿光電獲光能杯·2022年中國(guó)儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)最佳儲(chǔ)能電站解決方案...

近日,由索比儲(chǔ)能網(wǎng)主辦的第十屆“光能杯--標(biāo)桿的力量”中國(guó)光儲(chǔ)行業(yè)年度頒獎(jiǎng)盛典在蘇州舉辦。 艾睿光電憑借領(lǐng)先的紅外熱成像技術(shù),獲得“2022年中國(guó)儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)最佳儲(chǔ)能電站解決方案獎(jiǎng)”,賦能光伏、儲(chǔ)能領(lǐng)域。? (艾睿光電獲獎(jiǎng)?wù)掌?作為非制冷紅外芯片領(lǐng)軍者,艾睿光電積極探索,為新能源行業(yè)提供可視化、全覆蓋、非接觸式溫度監(jiān)控方案,充分滿足光儲(chǔ)領(lǐng)域生產(chǎn)運(yùn)維等場(chǎng)景應(yīng)用需求。 紅外熱成像技術(shù)是將熱信息瞬間可視化并加以驗(yàn)證的診斷

2023-02-21 標(biāo)簽:儲(chǔ)能電站艾睿光電 611

超小型隔離單和雙輸出DC-DC高壓電源參數(shù)分析

AEQ系列設(shè)備能夠在0.5W的輸出功率下,將+5VDC的輸入電壓轉(zhuǎn)換為高達(dá)600VDC的電壓,比其它小形狀因數(shù)DC-DC電源具有若干優(yōu)勢(shì)。

2023-02-16 標(biāo)簽:高壓電源DC-DC光電二極管 1120

繼石墨烯電池后,新型液流電池釩電池問世

研人員對(duì)新型電池的研發(fā)已有了新的進(jìn)展,據(jù)有關(guān)機(jī)構(gòu)資料顯示,2020年9月,德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院和超級(jí)電容器廠商Skeleton Technologies共同發(fā)布聲明,表示已聯(lián)合研發(fā)出了“超級(jí)石墨烯電池”。

2023-02-15 標(biāo)簽:鋰離子電池新能源汽車超級(jí)電容器石墨烯電池 1355

泰凌微電子TLSR9218 SoC助力和眾科技智能插座獲得M...

? 上海,2023年2月14日 – 專注于高性能、低功耗系統(tǒng)級(jí)無線連接芯片的領(lǐng)導(dǎo)者泰凌微電子助力和眾科技的智能插座產(chǎn)品獲得Matter認(rèn)證,再次為消費(fèi)者提供了一款滿足最新互聯(lián)互通標(biāo)準(zhǔn)的尖端智能家居產(chǎn)品。 ? ? 泰凌CEO盛文軍博士表示,"泰凌在幫助開發(fā)者實(shí)現(xiàn)Matter產(chǎn)品開發(fā)和認(rèn)證方面現(xiàn)處于業(yè)界領(lǐng)先地位。憑借過去幾年的持續(xù)研發(fā)投入所形成的技術(shù)積累,泰凌已經(jīng)可以全面支持以和眾科技為代表的各界合作伙伴快速實(shí)現(xiàn)滿足新一代互聯(lián)互通標(biāo)準(zhǔn)的物聯(lián)網(wǎng)

2023-02-14 標(biāo)簽:soc智能插座泰凌微 972

聯(lián)芯通 VC735X 被 Wi-SUN聯(lián)盟認(rèn)證為第一個(gè) FA...

聯(lián)芯通 VC735X 被 Wi-SUN聯(lián)盟認(rèn)證為第一個(gè) FAN 1.1 認(rèn)證測(cè)試用基準(zhǔn)器(CTBU)...

2023-02-14 標(biāo)簽:聯(lián)芯通 2023

PTVS20-015C-H專用于大功率直流母線鉗位應(yīng)用

Bourns PTVS20-015C-H PTVS 二極管符合 IEC 61000-4-2 4 級(jí) ESD 保護(hù)要求,同時(shí)具有峰值脈沖電流下的低鉗位電壓,有助于滿足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 電流浪涌的防雷要求。

2023-02-13 標(biāo)簽:二極管電壓抑制器 854

功率半導(dǎo)體起飛,制程向12英寸拓展

作為中國(guó)功率半導(dǎo)體業(yè)界龍頭之一的華潤(rùn)微電子宣布,重慶12英寸晶圓制造產(chǎn)線,以及先進(jìn)功率封裝測(cè)試基地等兩大建設(shè)計(jì)劃,均已建成投產(chǎn),標(biāo)志著華潤(rùn)微車用功率裝置產(chǎn)業(yè)基地已初步成形。

2023-02-10 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體晶圓制造 1103

上游原材料價(jià)格全線走低 動(dòng)力電池降價(jià)已經(jīng)箭在弦上

據(jù)高工鋰電昨日消息,開年以來,鋰電材料全線降價(jià),價(jià)格相較2022年12月呈現(xiàn)不同程度地下滑。

2023-02-10 標(biāo)簽:動(dòng)力電池磷酸鐵鋰 828

瑞薩電子全新汽車級(jí)智能功率器件(IPD)特性

隨著E/E架構(gòu)不斷發(fā)展,全新IPD的推出滿足了日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。在傳統(tǒng)的分布式E/E架構(gòu)中,來自電池的電能通過機(jī)械繼電器和熔斷器組成的電箱,經(jīng)由長(zhǎng)而粗的線束分配給各個(gè)電子控制單元(ECU)。

2023-02-09 標(biāo)簽:繼電器功率器件電源控制IPD 855

要測(cè)量和分析電能穩(wěn)態(tài)及瞬態(tài)數(shù)據(jù)?世健的電能質(zhì)量分析儀小型導(dǎo)軌...

電能質(zhì)量問題的提出由來已久,隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,直流輸電和FACTS技術(shù)、風(fēng)力和光伏新能源技術(shù)及沖擊性和波動(dòng)性負(fù)荷等不斷投入實(shí)際工程運(yùn)行使得電網(wǎng)出現(xiàn)諧波、電壓波動(dòng)和閃變等諸多電能質(zhì)量問題;同時(shí)各種對(duì)電能質(zhì)量敏感的用電設(shè)備不斷普及,系統(tǒng)對(duì)電能質(zhì)量的要求越來越高。電能質(zhì)量設(shè)備一方面能夠解決電力電子設(shè)備大量使用以及新能源分布式電網(wǎng)所產(chǎn)生的電能質(zhì)量問題,另一方面為設(shè)備的正常運(yùn)行提供可靠的保障。 電能質(zhì)量IEC61000-

2023-02-08 標(biāo)簽:adi電能世健電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)電能質(zhì)量分析 1144

2021 ~ 2027年IGBT全球市場(chǎng)規(guī)模CAGR將達(dá)7%

絕緣閘雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)受益于新能源與碳中和發(fā)展趨勢(shì),2021~2027年市場(chǎng)規(guī)模將以復(fù)合年均成長(zhǎng)率(CAGR) 7%成長(zhǎng)至93.8億美元。

2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT晶體管 1639

瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AG...

RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。

2023-02-07 標(biāo)簽:逆變器IGBTSiC柵極驅(qū)動(dòng) 955

Vishay推出兩款新型30 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSF...

SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導(dǎo)通電阻分別為2.02 m和2.93 m,SiZF5302DT相同條件下導(dǎo)通電阻分別為2.7 m和4.4 m。

2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 982

納微關(guān)于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況

目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件,除去世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外,其授權(quán)率高達(dá)約80%,目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。

2023-02-06 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片 1199

淺談SiC 和 GaN 的未來發(fā)展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān),其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。

2023-02-06 標(biāo)簽:SiCGaNGaN晶體管SiC MOSFET 1473

瑞薩電子推出用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFE...

瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。

2023-02-03 標(biāo)簽:逆變器IGBT瑞薩電子SiC MOSFET 975

多氟多的鈉離子電池已經(jīng)在國(guó)內(nèi)著名車企成功裝車

2022年以來,鋰電池原材料價(jià)格上漲、新能源汽車需求快速增長(zhǎng)、以及鈉離子電池技術(shù)持續(xù)進(jìn)步等多種因素導(dǎo)致其備受關(guān)注。

2023-02-03 標(biāo)簽:新能源汽車鈉離子電池寧德時(shí)代 2880

功率半導(dǎo)體行業(yè)特點(diǎn)趨勢(shì)及機(jī)遇挑戰(zhàn)

作為電子系統(tǒng)中的基本單元,功率半導(dǎo)體是電力電子設(shè)備正常運(yùn)行不可或缺的部件,應(yīng)用場(chǎng)景廣泛,且需求日益豐富。從行業(yè)技術(shù)和性能發(fā)展來看,功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn),功率半導(dǎo)體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展;由于不同結(jié)構(gòu)和不同襯底材料的功率半導(dǎo)體電學(xué)性能和成本各有差異,在不同應(yīng)用場(chǎng)景各具優(yōu)勢(shì),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)多器件結(jié)構(gòu)和多襯底材料共存的特點(diǎn)。

2023-02-03 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)IGBT功率半導(dǎo)體 2265

納微半導(dǎo)體宣布攜手KATEK,加快高效和低成本太陽能應(yīng)用普及

納微半導(dǎo)體宣布攜手KATEK,加快高效和低成本太陽能應(yīng)用普及...

2023-02-02 標(biāo)簽:納微半導(dǎo)體KATEK 1075

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