存儲技術(shù)
美光起訴臺灣聯(lián)電,離職員工攜帶機(jī)密跳槽聯(lián)電
美國記憶體大廠美光 （Micron）在臺灣控告晶圓代工大廠聯(lián)電 （UMC），表示聯(lián)電透過美光離職員工竊取 DRAM 相關(guān)機(jī)密商業(yè)資料而遭檢方起訴之后， 6 日又在美國加州地方法院提起民事訴訟，控告聯(lián)電及其技術(shù)協(xié)助的福建晉華侵害該公司的 DRAM 專利技術(shù)。
NAS網(wǎng)絡(luò)存儲需求增長,NAS存儲將會是新趨勢
SAN（Storage Area Network）存儲方式存儲方式創(chuàng)造了存儲的網(wǎng)絡(luò)化。存儲網(wǎng)絡(luò)化順應(yīng)了計算機(jī)服務(wù)器體系結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)化的趨勢。SAN的支撐技術(shù)是光纖通道（FC Fiber Channel）技術(shù)。它是ANSI為網(wǎng)絡(luò)和通道I/O接口建立的一個標(biāo)準(zhǔn)集成。FC技術(shù)支持HIPPI、IPI、SCSI、IP、ATM等多種高級協(xié)議，其最大特性是將網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備的通信協(xié)議與傳輸物理介質(zhì)隔離開，這樣多種協(xié)議可在同一個物理連接上同時傳送。
2017-12-07 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)存儲nas 2100
基于7nm打造的HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)公布
Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限，因為到了7nm節(jié)點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能，7nm是一項非常復(fù)雜的技術(shù)。
長江存儲備戰(zhàn)2年,發(fā)布324G 3D NAND芯片,明年可量...
紫光集團(tuán)董事長趙偉國近日在第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會表示，近年來，紫光集團(tuán)把企業(yè)發(fā)展的重點聚焦在了集成電路上。在移動領(lǐng)域，紫光現(xiàn)在每年向全球提供的手機(jī)芯片超過7億部套片;在存儲領(lǐng)域，紫光已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產(chǎn)權(quán)的三維閃存芯片，明年將實現(xiàn)量產(chǎn)。
2017-12-07 標(biāo)簽：集成電路紫光集團(tuán)長江存儲 2202
韓企占據(jù)全球存儲芯片主導(dǎo)權(quán),中國競爭實力有限
整體而言，第三季度全球DRAM內(nèi)存芯片市場的規(guī)模達(dá)到197億美元，較前一季度增長大約35%，再創(chuàng)歷史新高。報告顯示，按照營收計算，三星電子第三季度占據(jù)了全球DRAM內(nèi)存芯片市場44.5%的份額；另一家韓國廠商SK海力士緊隨其后，市場份額達(dá)到27.9%。美國存儲芯片制造商美光科技在該榜單中位居第三，市場份額達(dá)到22.9%；中國臺灣的南亞科技位居第四，市場份額為2.2%。
三星增產(chǎn)NAND,分析師預(yù)測明年內(nèi)存將供過于求
IHS Markit報告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2，441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7%至2，424億GB，供給超出需求17億GB，供給過剩比率約為0.7%。
三星發(fā)布512GB閃存芯片,面向移動設(shè)備開發(fā),手機(jī)存儲將匹敵...
三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個多層存儲數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機(jī)設(shè)計帶來了福音。
紫光國芯現(xiàn)金扶持紫光同創(chuàng),與長江存儲合作有望
西安紫光國芯主要從事DRAM存儲晶圓的設(shè)計，目前產(chǎn)品主要為專業(yè)代工廠生產(chǎn)。近年來，由于下游智能手機(jī)等智能終端產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，存儲芯片需求大大增加，而目前市場上的代工廠數(shù)量較少，為了爭取到有限的產(chǎn)能，公司提升了給代工廠的費用，導(dǎo)致在需求旺盛的時候，公司存儲芯片產(chǎn)品的毛利卻持續(xù)下降。
2017-12-05 標(biāo)簽：dram紫光國芯長江存儲紫光同創(chuàng) 2660
三星首款512GB嵌入式UFS閃存量產(chǎn),可6秒下載5GB的高...
三星512GB UFS閃存開始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度，它的存在必將滅亡手機(jī)存儲卡。
東芝、西數(shù)達(dá)成和解,歸回東芝閃存芯片業(yè)務(wù)出售自由權(quán)
知情人士稱，東芝公司和西部數(shù)據(jù)公司接近達(dá)成一項協(xié)議，和解雙方的法律糾紛。根據(jù)協(xié)議，西數(shù)將不再阻止東芝以180億美元出售閃存芯片業(yè)務(wù)，以延長雙方的合資公司協(xié)議。
東芝推出新型UFS2.1閃存,讀取速度900MB/s,寫入速...
目前，東芝設(shè)計了32GB、64GB、128GB和256GB四種容量，全部單芯片封裝，尺寸在11.5x13mm以內(nèi)。
儲存市場陷入無DRAM可買窘境,PC廠商欲哭無淚
受惠于DRAM市場交易熱絡(luò)，三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）持續(xù)締造業(yè)績高峰，但韓國中小規(guī)模個人電腦（PC）廠商卻苦不堪言。因為這些廠商已經(jīng)取得公部門的PC采購訂單，卻因無DRAM可用，導(dǎo)致產(chǎn)品無法如期出貨。
打破存儲器國外把持,紫光要圓自產(chǎn)夢,啟動南京存儲器基地
紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實質(zhì)啟動。
2017-11-28 標(biāo)簽：存儲器紫光集團(tuán) 2489
NAND閃存超級周期將發(fā)生逆轉(zhuǎn),三星重挫其他閃存供應(yīng)商
2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預(yù)估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng)10月底以來最大跌幅。韓國股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。
NOR與NAND的閃存不同之處在哪
閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術(shù)達(dá)到存儲電子信息的存儲器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。
紫光國芯攜手長江存儲開展DRAM合作
紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
淺談分析性數(shù)據(jù)庫的讀寫分離實現(xiàn)原理
數(shù)據(jù)倉庫當(dāng)中需要同時存在 WOS 和 ROS，這樣對于所有的寫操作我們都生成 WOS 型文件；同時所有的讀操作，則主要依賴于 ROS 文件，但也要查詢少量的 WOS 文件
2017-11-26 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)庫mysql 5292
三星、NAND先后延遲投產(chǎn)，對半導(dǎo)體設(shè)備市況是個很大的沖擊
三星電子、NAND型快閃存儲器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn)，分析師擔(dān)憂這恐怕會沖擊明年的半導(dǎo)體設(shè)備市況。
三星持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND，需求上漲但價格可能會繼續(xù)下降
在持續(xù)一年半的漲價之后，閃存價格終于止住步伐。在今年年初和Q1季度，其價格開始逐漸松動并開始下滑，在Q2季度達(dá)到了一段時間內(nèi)比較理想的價格，大品牌的固態(tài)價格基本上是1.5元1G。
新華三獲得雙料冠軍，光纖網(wǎng)絡(luò)存儲與全閃存儲Q1國內(nèi)第一
2018世界杯賽程中，出人意料的結(jié)果層出不窮。球迷們認(rèn)為足球賽場必須實力與運氣并存才能笑到最后。但是，在中國的存儲市場上，市場領(lǐng)先的核心要素基本與運氣無關(guān)，一切皆以技術(shù)領(lǐng)先水平和實踐為衡量實力的基本準(zhǔn)繩。
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