內(nèi)存瘋狂漲價背后的原因,擴產(chǎn)后漲勢繼續(xù)

　我們看過很多關(guān)于存儲器價格暴漲的新聞，三家DRAM供應(yīng)商也都曾明確表示自己的態(tài)度。三星表示2018年DRAM產(chǎn)能增長不會超過20%，需求量卻要增長25%。關(guān)于NAND，三星表示：“供應(yīng)方面，雖說64層產(chǎn)量在擴大，因為技術(shù)難度增加，與需求增長相比，供應(yīng)增長預(yù)計將受到限制，”

2017-11-20 標簽：dramnand三星電子sk海力士 2573

東芝計劃明年3月底完成芯片業(yè)務(wù)出售,并稱不接受貝恩財團單一成...

東芝的閃存產(chǎn)品品質(zhì)和穩(wěn)定性高于海力士、美光等同類產(chǎn)品，但由于日本企業(yè)經(jīng)營保守，市場反應(yīng)的速度和彈性都不如海力士，美光等韓美企業(yè)，企業(yè)經(jīng)營的策略調(diào)整較慢。由于東芝公司陷入財報問題及收購核能廠所衍生出財務(wù)泥沼，讓其未來財務(wù)運作及籌資能力上出現(xiàn)疑慮，也讓其半導體業(yè)務(wù)面臨考驗。

2017-11-17 標簽：東芝sk海力士貝恩資本 1050

SSD出貨量大幅度下滑,PCI-E SSD卻增長15.6％

總體而言，企業(yè)級SSD市場出貨量環(huán)比下跌7％，其中只有PCI-E SSD大幅增長了15.6％，顯示行業(yè)正在迅速告別SATA時代，但目前SATA SSD仍然是企業(yè)市場主力，出貨量略高于400萬塊。

2017-11-17 標簽：東芝nand三星電子ssd西數(shù) 1391

UFS發(fā)力,二代UFS 2.1閃存重磅來襲,安卓蘋果差距不再

據(jù)媒體Benchlife報道，知名主控廠商群聯(lián)電子已經(jīng)研制出了第二代UFS2.1主控，并且已經(jīng)通過了華為和高通的認證測試，這意味著這款閃存距離上市不遠了，而搭載麒麟處理器和高通處理器的產(chǎn)品，都能夠用上這塊閃存，會為手機帶來更好的系統(tǒng)流暢性，特別是在應(yīng)用安裝、游戲讀寫等方面。

2017-11-17 標簽：閃存蘋果安卓驍龍ufs麒麟 3699

三星2017年半導體行業(yè)巨額開支,欲打擊中國存儲器競技資格

2017-11-17 標簽：dram三星電子存儲器半導體行業(yè) 1603

受內(nèi)存需求,第三季度三星季增28.4%,SK海力士增30.1...

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強勁，以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下，并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場需求，Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價（Average Selling Price）墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。

2017-11-17 標簽：dram三星電子美光sk海力士 990

新型存儲器材料“鈧銻碲”,低功耗,循環(huán)壽命大于1000萬次

存儲器是集成電路最重要的技術(shù)之一，能否開發(fā)自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲器芯片事關(guān)國家信息安全。目前，國際上通用的存儲器材料是“鍺銻碲”。近年來，消費電子產(chǎn)品的普及對存儲器芯片的功耗、壽命、尺寸、持久力等各項性能指標均提出了更高要求，世界各國科學家都在加緊攻關(guān)存儲器芯片的制造材料。

2017-11-16 標簽：集成電路存儲器 3379

存儲器競技場,DRAM、NAND量產(chǎn)大PK

中國半導體發(fā)展風起云涌，購并、建廠消息不斷，在市場、國安等考量下，存儲器更是中國重點發(fā)展項目，成為多方人馬競逐的主戰(zhàn)場。中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何？有相關(guān)研究機構(gòu)做了圖表簡單解析。

2017-11-16 標簽：dramnand存儲器 1093

美光科技32GB NVDIMM離久性存儲更進一步

通過以超快的 DRAM 速度處理關(guān)鍵數(shù)據(jù)，持久存儲器在延遲、帶寬、容量和成本之間實現(xiàn)了獨有的平衡。而讓其在普通服務(wù)器 DRAM 中獨樹一幟的原因在于，它能夠在斷電的情況下保存信息。美光科技的先進技術(shù)為近端存儲數(shù)據(jù)分析提供了獨到的解決方案，解決了金融、醫(yī)藥、零售以及石油和天燃氣勘探等市場中承載海量數(shù)據(jù)的應(yīng)用不斷攀升的帶寬需求。

2017-11-15 標簽：nand美光科技 1287

三星巨額投資3D NAND閃存,占據(jù)整個半導體行業(yè)的33%

三星的開支計劃到底有多么兇猛？IC Insights預(yù)計，三星2017年第四季度的半導體資本支出為86億美元，將占到整個半導體行業(yè)的33%（整個行業(yè)第四季度支出預(yù)計達到262億美元）。同時，三星在第四季度的半導體銷售額占整個行業(yè)的16%左右。

2017-11-15 標簽：英特爾三星電子臺積電nand閃存 1360

DRAM開啟殺戮戰(zhàn),存儲廠商調(diào)漲DRAM合約價

調(diào)研機構(gòu)研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃，都為未來DRAM市場投下新變數(shù)，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價格戰(zhàn)下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。

2017-11-15 標簽：dram三星電子sk海力士 782

英特爾聯(lián)合美光宣布晶圓廠擴建完成,3D XPoint被推上產(chǎn)...

英特爾（INTC. US）、美光科技（MU. US）13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴建工程。 新聞稿指出，規(guī)模擴大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D XPoint內(nèi)存媒體。 成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性內(nèi)存，初期生產(chǎn)用于SSD、手機、平板的NAND。

2017-11-15 標簽：英特爾晶圓美光nand閃存 1521

DRAM產(chǎn)業(yè)屢創(chuàng)新高,擴產(chǎn)計劃指日可待

觀察各廠技術(shù)與產(chǎn)能布局，三星今年的目標除了專注于18nm制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進外，近幾季DRAM同業(yè)的高獲利，亦刺激三星開始思索可能的DRAM擴產(chǎn)計劃，一方面應(yīng)對供給吃緊狀況，另一方面則期望提高DRAM產(chǎn)出量，壓抑DRAM價格上漲幅度。三星此舉將可鞏固領(lǐng)先地位，維持與其他DRAM大廠1-2年以上的技術(shù)差距。

2017-11-14 標簽：dram三星電子sk海力士 814

數(shù)據(jù)中心存儲結(jié)構(gòu)的未來也許會是RDMA

英特爾公司將RDMA技術(shù)直接應(yīng)用在至強服務(wù)器的主板上。DataON公司正在使用新型Lightning Trac System Windows Server2016超融合系統(tǒng)，這些系統(tǒng)包括Optane固態(tài)硬盤，用于快速緩存層的NVMe，以及SMB3RDMA結(jié)構(gòu)。現(xiàn)在，HPE公司在其新的Store FabricM系列存儲優(yōu)化交換機中使用了Mellanox基于RDMA的以太網(wǎng)存儲結(jié)構(gòu)，為客戶提供了用于光纖通道的存儲管理工具。

2017-11-10 標簽：英特爾以太網(wǎng)數(shù)據(jù)中心 2699

DNA存儲延續(xù)千年的承載介質(zhì)，可將數(shù)據(jù)壓縮至方糖大小

微軟與華盛頓大學的研究員們指出，他們開發(fā)出了“一種新型方案”，能夠?qū)㈤L字符串轉(zhuǎn)換為DNA序列的四種基本組成部分——腺嘌呤、鳥嘌呤、胞嘧啶與胸腺嘧啶，分別簡寫為A、G、C與T。要訪問這些數(shù)據(jù)，研究員們在DNA序列內(nèi)編制出類似于郵編及街道地址的符號。聚合酶鏈反應(yīng)（簡稱PCR）技術(shù)——常用于分子生物學當中——幫助他們能夠更為輕松地識別自己正在搜索的郵編。

2017-11-09 標簽：dna存儲 1410

虛擬化環(huán)境是否會對閃存造成耗損

關(guān)于VMware和微軟閃存工作的方式有一些問題需要討論。閃存被認為是大有前途的技術(shù)，很多人認為他們可以在服務(wù)器中部署閃存充當緩存的角色。但殊不知閃存適合讀，而并不適合寫。你需要十分注意閃存的耗損，并充分利用其有限的壽命。虛擬存儲廠商經(jīng)常做的就是寫聚集（write coalescence）。

2017-11-09 標簽：閃存dram虛擬化 1314

臺電發(fā)布極光DDR4 A30內(nèi)存,自帶散熱裝甲

A30的主要亮點一是高頻，二是自主研發(fā)的散熱裝甲（御風者）。據(jù)悉，極光A30 DDR4內(nèi)存分為4GB/8GB/16GB可選，頻率達到2400MHz，比常規(guī)普條（2133Mhz）更高。

2017-11-09 標簽：arm臺電ddr4內(nèi)存 1741

昂達瞄準內(nèi)存市場,DDR3面向低端,面向AMD

這段時間，DDR4內(nèi)存條價格持續(xù)處于高位，于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價，組個入門機還挺合適。

2017-11-07 標簽：amdddr3內(nèi)存昂達 5114

QNAP首發(fā)Ryzen NAS,多核心,可同時運行16個虛擬...

AMD Ryzen今年絕對是PC領(lǐng)域的一股清流，直接帶動了整個行業(yè)的前進步伐，也獲得了廣泛認可，產(chǎn)品相當豐富。幾年6月初，QNAP（威聯(lián)通）就發(fā)布了首款基于AMD Ryzen平臺的NAS網(wǎng)絡(luò)存儲設(shè)備。

2017-11-02 標簽：處理器amd虛擬機 3761

西數(shù)首款14TB硬盤全球發(fā)貨,八碟裝,內(nèi)部讀寫傳輸率233M...

西部數(shù)據(jù)旗下HGST發(fā)布了全球第一款14TB容量的機械硬盤，該硬盤型號UltraStar Hs14，采用第四代HelioSeal充氦封裝技術(shù)，內(nèi)部基于第二代企業(yè)級熱管理SMR疊瓦式磁記錄存儲，存儲密度1034Gb每平方英寸。

2017-11-02 標簽：機械硬盤西數(shù) 2105