存儲技術(shù)
4GDDR4對比8G/16G實(shí)測，你的電腦內(nèi)存真的夠嘛？
雖然，SSD現(xiàn)在經(jīng)取代內(nèi)存成為電腦升級的明星硬件，但坦率講，這應(yīng)當(dāng)基于這些年內(nèi)存升級“玄學(xué)”誘導(dǎo)的多數(shù)主機(jī)內(nèi)存容量水平已然十分優(yōu)秀的前提，比如4G其實(shí)已經(jīng)少見，6G/8G甚至16G成為主流。
2016-11-11 標(biāo)簽：DDR4 47392
Intel借610p固態(tài)硬盤重歸消費(fèi)級市場，3D閃存+2TB...
曾經(jīng)在SSD固態(tài)硬盤市場上頗受青睞的Intel前兩年主要精力都放在企業(yè)級市場上，不過從今年開始，Intel將加大對消費(fèi)級市場的投入，SSD 600p就是其首款導(dǎo)入3D TLC閃存的消費(fèi)級產(chǎn)品，還有SMI慧榮主控、M.2/PCI-E規(guī)格加持，一經(jīng)推出便大受歡迎。
Marvell推出業(yè)界首個(gè)完全兼容IEEE 802.3by ...
對于應(yīng)用廣泛、增長迅速的 25G 以太網(wǎng)來說，與標(biāo)準(zhǔn)兼容的設(shè)備的可用性至關(guān)重要。通過交付業(yè)內(nèi)首個(gè)完全符合 IEEE 802.3by 25G 以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的 PHY 器件，我們的客戶能夠開發(fā)出符合新標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品和應(yīng)用，從而在 25G 以太網(wǎng)市場上占有一席之地。
強(qiáng)大的技術(shù)儲備，足以推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步
在“如何推動(dòng)分布式與微電網(wǎng)的結(jié)合？”主題討論環(huán)節(jié)，樂葉光伏科技有限公司總裁助理唐旭輝表示，強(qiáng)大的技術(shù)儲備，可以節(jié)約資源，進(jìn)而推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步，降低度電成本。
2016-11-05 標(biāo)簽：存儲技術(shù)半導(dǎo)體芯片智能硬件 1854
2015年主要原廠NAND Flash的市場份額
在IC設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試多個(gè)領(lǐng)域齊頭并進(jìn)的時(shí)候，中國半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲領(lǐng)域，相信這是引致這次韓國成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。
陳翊：個(gè)人云盤不可承受之重
在夠快云庫發(fā)展勢頭正猛時(shí)，卻決定從個(gè)人云盤轉(zhuǎn)型做企業(yè)云盤，這其中有怎樣的思考？ 陳翊：個(gè)人云盤不可承受之重 在今年上半年四五月份的時(shí)候，很多做個(gè)人網(wǎng)盤的公司被關(guān)閉和停止服務(wù)了.
為什么說三星最賺錢的業(yè)務(wù)會(huì)被中國企業(yè)分食？
中國明年將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存。由于智能手機(jī)以及SSD市場的進(jìn)一步擴(kuò)大，而其中必不可少的閃存、內(nèi)存等存儲芯片將成為巨頭的競爭點(diǎn)。這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。
手機(jī)熱銷帶旺NAND價(jià)格走高 三星東芝擴(kuò)產(chǎn)能應(yīng)對
日經(jīng)新聞2016年10月29日報(bào)導(dǎo)，使用于智能手機(jī)、存儲卡的NAND型快閃存儲器（Flash Memory）批發(fā)價(jià)格進(jìn)一步走升，10月份指標(biāo)性產(chǎn)品MLC（Multi-Level Cell）類型64Gb產(chǎn)品價(jià)格月增約6%至每個(gè)3.3美元左右、為2年來首度突破3美元關(guān)卡，128Gb產(chǎn)品也月增1%至4.1美元左右。因生產(chǎn)技術(shù)提升，存儲器價(jià)格一般來說都會(huì)隨著時(shí)間推移而下滑、因此價(jià)格揚(yáng)升至2年前水準(zhǔn)是很罕見的。
解析三星2TB SSD，如何實(shí)現(xiàn)80mm×22mm？
此次三星是使用什么關(guān)鍵技術(shù)實(shí)現(xiàn)這一超小型SSD的呢？該公司在9月21日于首爾舉行的SSD技術(shù)發(fā)布會(huì)“Samsung SSD Global Summit 2016”上，公開了3項(xiàng)要點(diǎn)技術(shù)。第一是憑借三維閃存“V-NAND”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是運(yùn)用MLC（Multi Level Cell）技術(shù)的第三代V-NAND，嘗試在每個(gè)芯片內(nèi)垂直堆疊了48層存儲單元。
SSD固態(tài)硬盤五年巨變 要干掉機(jī)械硬盤？
5年前，可能你還不知道什么叫SSD固態(tài)硬盤？5年后，SSD固態(tài)硬盤已經(jīng)成為電腦中不可或缺的一款硬件。短短5年時(shí)間里，傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤面臨被淘汰的命運(yùn)；取而代之的SSD固態(tài)硬盤氣吞山河。到底5年時(shí)間里，存儲行業(yè)發(fā)生了什么？接下來，我們將從SSD的出貨量、性能、容量、價(jià)格、品牌等多個(gè)維度，詳細(xì)分析SSD五年的巨變，讓大家對SSD行業(yè)的發(fā)展有更清晰的認(rèn)識。
希捷最后一代逆天神器15000轉(zhuǎn)SSD，秒殺機(jī)械硬盤
昨天，希捷發(fā)布了全球最快的機(jī)械硬盤15K HDD v6超能盤（15K.6），服務(wù)于數(shù)據(jù)中心、高性能服務(wù)器等，這本是一件驕傲的事情，但背后卻有一個(gè)令人遺憾的事實(shí)，這將是最后一代15K產(chǎn)品。
麒麟960支持的UFS與eMMC有何不同？
我們知道，在華為最新旗艦處理器Kirin960上對UFS2.1的支持，能夠讓閃存讀取速度增加很多，那么這種技術(shù)究竟是什么來的？說到UFS 2.0，需要提一下另一個(gè)概念eMMC，相信大家對eMMC都多少有所了解。在手機(jī)興起的這幾年中，手機(jī)的閃傳規(guī)格有了很大的提高，從eMMC4.3標(biāo)準(zhǔn)逐步發(fā)展到eMMC 5.0標(biāo)準(zhǔn)，再到今天的UFS2.0閃傳標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)際上都是在進(jìn)步和提升——UFS 2.0閃傳標(biāo)準(zhǔn)有著比eMMC 5.0更快的讀取性能。
6G運(yùn)存已過時(shí) 三星已經(jīng)開始量產(chǎn)8G RAM
如果我沒有記錯(cuò)的話，在6G RAM時(shí)代三星是全球首個(gè)量產(chǎn)并投入商用的，雖然6G RAM的手機(jī)在國外可以說是珍稀物種，但是一到國內(nèi)那是成了普通物種，錘子、ZUK、一加、360、小米、vivo等手機(jī)廠商哪家沒有6G RAM的手機(jī)，而今三星再度發(fā)力讓6G RAM成為了過去時(shí)。
全球最快記憶卡32秒就能塞滿一個(gè)iPhone7 Plus
近日，CFA 發(fā)布了一種新型的記憶卡技術(shù)。它的卡槽能夠和 XQD 卡槽相容，速度為 CFast 2.0 卡的 15 倍。影像媒體 PetaPixel 的報(bào)導(dǎo)，這種新型的記憶卡名為 CFexpress，是目前最快的記憶卡。這種記憶卡最高的理論速度能達(dá)到 8GB/s 的速度，是目前 XQD 儲存設(shè)備（以 1GB/s 為峰值標(biāo)準(zhǔn)）的 2 到 4 倍，在極為理想的狀態(tài)下能夠達(dá)到 8 倍速度。
2016-10-19 標(biāo)簽：記憶卡iPhone7Plus 1854
存儲器市場漲水，SK海力士價(jià)格一路飆升35%，三星將增產(chǎn)？
據(jù)海外媒體報(bào)道，存儲器價(jià)格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 （SK Hynix ）已經(jīng)飆升35%，部分外資相當(dāng)樂觀，預(yù)言還有20%上行空間。三星將增產(chǎn)？
希捷杠上三星，SSD之爭蓄勢爆發(fā)！
一年一度的閃存峰會(huì)盡管不像CES、IDF那樣引人矚目，但也算得上是閃存領(lǐng)域規(guī)模最大的盛事了。隨著SSD的崛起，閃存峰會(huì)的關(guān)注群體逐漸從專業(yè)廠商擴(kuò)大到了普通消費(fèi)者，大家都對更快、更大的存儲設(shè)備充滿期待。當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月9日~11日，2016年閃存峰會(huì)在美國加州圣克拉拉如期舉辦，美光、東芝等老牌巨頭紛紛公布了自家最新產(chǎn)品和技術(shù)，其中就包括美光與英特爾共同合作開發(fā)的3D XPoint。
Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器（eNVM）知識產(chǎn)權(quán)（IP）產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology， Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管（Vertical Layered Thyristor， VLT）技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗(yàn)證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。
全球內(nèi)存模組市場衰退 金士頓穩(wěn)居龍頭
Trendforce 旗下記憶儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新全球內(nèi)存模組廠排名調(diào)查顯示，由于 2015 年標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格下跌與 DIY 市場規(guī)?？s小，2015 年全球模組市場總銷售額約 79 億美元，年衰退約 10%。
北美筆記本電腦需求回溫 DRAM價(jià)格漲勢延續(xù)
在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動(dòng)下，dram漲勢延續(xù)，9月以來已連續(xù)三周上漲，漲勢明確，伴隨追價(jià)買盤進(jìn)場，漲勢加大。
存儲器產(chǎn)業(yè)撬開芯片國產(chǎn)化第一站！
存儲器的發(fā)展幾乎是伴隨著電子計(jì)算機(jī)的發(fā)展歷程而來的。在發(fā)展之初，采用汞線延遲線來進(jìn)行信息的存儲和讀寫，之后采用磁性材料，再到光學(xué)材料等存儲器設(shè)備，盡管獲得了較大的改善，但是仍然面臨體積龐大、性能有限的挑戰(zhàn)，對應(yīng)用領(lǐng)域的拓展造成了不小的阻礙。
2016-09-28 標(biāo)簽：存儲器SOC半導(dǎo)體芯片 2510
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