存儲(chǔ)技術(shù)
CFMS 2023 | 構(gòu)建存儲(chǔ)新維度，江波龍邁向存儲(chǔ)綜合服...
3月23日，2023中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“CFMS2023”）在深圳成功舉行，本屆CFMS2023以“探討未知?探索未來(lái)”為主題，匯聚了全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈及終端應(yīng)用企業(yè)，共同探討行業(yè)發(fā)展。 ? 公司董事長(zhǎng)蔡華波先生受邀發(fā)表了題為《構(gòu)建存儲(chǔ)新維度》的演講， 分享江波龍從存儲(chǔ)模組廠向綜合存儲(chǔ)服務(wù)商的發(fā)展歷程，以及在存儲(chǔ)新維度螺旋式成長(zhǎng)的“基因”和“奧秘”。 ? ? CFMS2023峰會(huì)上，蔡華波先生表示江波龍成立之初以貿(mào)易商的角色進(jìn)入存儲(chǔ)市場(chǎng)，在隨后
DDR5內(nèi)存市場(chǎng)逐漸成熟 DDR4慘遭拋棄
14代酷睿在移動(dòng)平臺(tái)對(duì)應(yīng)的是Meteor Lake，桌面則是Arrow Lake-S，后者將搭配800系芯片組主板，包括Z890、B860和H810，其中Z890最高60條PCIe通道。
再添殊榮！佰維獲評(píng)“專精特新企業(yè)增加值十強(qiáng)”榮譽(yù)稱號(hào)
近期，2022年度南山區(qū)經(jīng)濟(jì)突出貢獻(xiàn)企業(yè)TOP峰會(huì)拉開(kāi)帷幕。佰維存儲(chǔ)以過(guò)硬的整體綜合實(shí)力和優(yōu)異表現(xiàn)在眾多專精特新企業(yè)中脫穎而出，榮獲 “專精特新企業(yè)增加值十強(qiáng)” 榮譽(yù)稱號(hào)。 ? 本次峰會(huì)被譽(yù)為南山企業(yè)“奧斯卡”，匯聚了騰訊、阿里巴巴、大疆等多家各行業(yè)龍頭及科創(chuàng)先鋒企業(yè)。會(huì)上隆重表彰了2022年度各行業(yè)增長(zhǎng)突出貢獻(xiàn)十強(qiáng)、納稅百?gòu)?qiáng)、專精特新企業(yè)增加值十強(qiáng)等共計(jì)190家企業(yè)。佰維存儲(chǔ)繼通過(guò)國(guó)家級(jí)“專精特新小巨人企業(yè)”認(rèn)證后獲得此
2023-03-20 標(biāo)簽：佰維 1055
可擦寫次數(shù)10萬(wàn)+！佰維自研pSLC技術(shù)打造超強(qiáng)耐久SSD
隨著AIoT、無(wú)人機(jī)、軌道交通等工業(yè)應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)品的耐久性、可靠性要求越來(lái)越高，目前市場(chǎng)主流的TLC顆粒SSD需要進(jìn)一步提升性能與使用壽命。行業(yè)周知，在SLC、MLC、TLC、QLC四種存儲(chǔ)顆粒中，SLC顆粒性能最好、可擦寫次數(shù)最高，但其容量成本比往往令人望而卻步。 企業(yè)該如何以更經(jīng)濟(jì)的成本獲得媲美SLC顆粒長(zhǎng)壽命、高效能的存儲(chǔ)方案呢？ 為解決這一痛點(diǎn)，佰維自研的 pSLC（Pseudo SLC） 固件技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，搭配先進(jìn) LDPC糾錯(cuò) 技術(shù)，打造佰維超強(qiáng)耐久SSD。
三星新一代存儲(chǔ)器解決方案讓人工智能走進(jìn)現(xiàn)實(shí)生活
LPDDR5X是一種性能出色的低功耗高速DRAM，數(shù)據(jù)處理速度高達(dá)8.5Gbps，能效提升高達(dá)20%。UFS 4.0閃存速度是三星前代產(chǎn)品的兩倍，可減少速度瓶頸，存儲(chǔ)容量高達(dá)1TB，能效提升高達(dá)45%。
2023-03-15 標(biāo)簽：汽車電子存儲(chǔ)器人工智能大數(shù)據(jù)三星 1035
Intel和SK Hynix提出閃存未來(lái)的兩項(xiàng)重要進(jìn)展
TLC是當(dāng)今使用最廣泛的閃存，盡管市場(chǎng)上有每單元4位的芯片。Lee表示，Hynix正在考慮增加層數(shù)和每個(gè)單元的位數(shù)。
2023-03-14 標(biāo)簽：閃存NANDintel數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 800
易華錄超級(jí)智能存儲(chǔ)的技術(shù)解決方案
數(shù)據(jù)資源是數(shù)字經(jīng)濟(jì)最重要的生產(chǎn)要素，而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、計(jì)算、信息網(wǎng)絡(luò)、信息通信等核心能力均由數(shù)據(jù)中心來(lái)提供，可以說(shuō)數(shù)據(jù)中心是推進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要基礎(chǔ)設(shè)施和技術(shù)保障。
2023-03-14 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng) 1204
蓄力向上！Longsys RDIMM企業(yè)級(jí)內(nèi)存條迎來(lái)重大突破
蓄力向上！Longsys RDIMM企業(yè)級(jí)內(nèi)存條迎來(lái)重大突破...
2023-03-14 標(biāo)簽：內(nèi)存條 1483
三星存儲(chǔ)產(chǎn)品國(guó)內(nèi)市場(chǎng)跌幅超過(guò)3成
AMD及Intel的銳龍7000、13代酷睿都已經(jīng)支持了PCIe 5.0，顯卡上暫時(shí)沒(méi)用，但PCIe 5.0硬盤已經(jīng)有部分型號(hào)開(kāi)始上市了，性能理論上比PCIe 4.0翻倍，速度可達(dá)15GB/s以上，誘惑力十足。
傳統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理系統(tǒng)和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理系統(tǒng)區(qū)別
普通文件系統(tǒng)是指通過(guò)操作系統(tǒng)對(duì)文件進(jìn)行存儲(chǔ)和管理。普通文件系統(tǒng)可提供命名文件與放置文件的邏輯存儲(chǔ)和恢復(fù)等功能，文件被放置于分等級(jí)的（樹狀）結(jié)構(gòu)中。
2023-03-10 標(biāo)簽：操作系統(tǒng)數(shù)據(jù)管理存儲(chǔ)系統(tǒng)大數(shù)據(jù) 6044
什么是DNA數(shù)據(jù)存儲(chǔ)?
數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)的最大問(wèn)題之一是硬盤驅(qū)動(dòng)器和磁帶等傳統(tǒng)方法不會(huì)永遠(yuǎn)持續(xù)下去。它們會(huì)隨著時(shí)間的推移而磨損，這意味著數(shù)據(jù)可能會(huì)丟失或無(wú)法讀取。
2023-03-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)DNA 2794
2022年第四季全球DRAM廠內(nèi)存營(yíng)收排名
2022年第四季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收122.8億美元，環(huán)比下降32.5%，跌幅甚至超越第三季的28.9%，已逼近2008年底金融海嘯時(shí)的單季36%跌幅，主要下跌原因是受DRAM產(chǎn)品平均銷售單價(jià)（ASP）下跌影響。
三星推出車規(guī)級(jí)GDDR7 DRAM存儲(chǔ)器解決方案
在汽車存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，汽車座艙是存儲(chǔ)器的主要應(yīng)用領(lǐng)域，隨著智能座艙的持續(xù)演進(jìn)，更多的屏幕、觸控、傳感器、高性能SoC等。
美國(guó)可能限制韓企在華制造存儲(chǔ)芯片
三星和SK海力士的在華晶圓廠有可能在2023年10月以后不但無(wú)法繼續(xù)進(jìn)口設(shè)備更新產(chǎn)線，也無(wú)法再生產(chǎn)更先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片，包括更先進(jìn)制程和更高Layer的DRAM和NAND芯片。
淺談工業(yè)4.0時(shí)代下的研華工業(yè)存儲(chǔ)解決方案
研華SSD SQFlash系列產(chǎn)品，主打“異常掉電斷電保護(hù)功能”，產(chǎn)品會(huì)在不同行業(yè)應(yīng)用上也會(huì)展現(xiàn)不同層級(jí)的斷電保護(hù)功能。
2023-03-02 標(biāo)簽：工業(yè)4.0工業(yè)存儲(chǔ) 854
字節(jié)新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM) PB85RS128的應(yīng)...
在門禁系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方案中，拍字節(jié)PB85RS128具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點(diǎn)（100萬(wàn)次寫入周期、長(zhǎng)達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時(shí)效）。
2023-03-01 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器安防系統(tǒng) 1075
對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何
據(jù)外媒報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī)，同年11月開(kāi)始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 標(biāo)簽：DRAMNAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2522
獲批設(shè)立博士后創(chuàng)新基地，佰維聚天下英才誠(chéng)意濃濃
獲批設(shè)立博士后創(chuàng)新基地，佰維聚天下英才誠(chéng)意濃濃...
2023-02-27 標(biāo)簽：佰維 653
中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)：任重而道遠(yuǎn)的崛起之路
存儲(chǔ)器（Memory），顧名思義是在電子計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存放信息的器件。任何電子計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行的過(guò)程中，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、程序本身、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都需要保存在存儲(chǔ)器中。
2023-02-27 標(biāo)簽：單片機(jī)DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 1096
淺談Zeta R5 DDR5 R-DIMM可超頻內(nèi)存條
Intel至強(qiáng)W-3400、至強(qiáng)W-2400系列處理器除了多達(dá)56核心112線程，還支持最多8個(gè)通道、最大4TB容量的DDR5-4800內(nèi)存，最多112條PCIe 5.0高速總線。
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