存儲(chǔ)技術(shù)
中國(guó)DRAM廠商的王者夢(mèng) 既要擁抱主流架構(gòu)又得創(chuàng)新技術(shù)探索
12 月 26 日訊，如果為風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)添加注解，那么存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域則是最佳實(shí)例；而如果為“打臉”戲碼尋找主角，存儲(chǔ)芯片業(yè)內(nèi)廠商們則當(dāng)仁不讓。
2020年顯卡內(nèi)存供給成長(zhǎng)幅度達(dá)15% 供給調(diào)整速度不及需求...
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，2020 年第一季除了因 1X 納米良率問(wèn)題導(dǎo)致供貨不及，使得服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格領(lǐng)漲以外，顯卡內(nèi)存價(jià)格也快速反轉(zhuǎn)向上。由于顯卡內(nèi)存相較于其他產(chǎn)品類別，屬于價(jià)格波動(dòng)明顯的淺碟市場(chǎng)，因此在買方積極拉貨下，預(yù)期價(jià)格將較前一季上漲逾 5%，漲幅為所有產(chǎn)品中最高。
2019-12-27 標(biāo)簽：內(nèi)存 648
三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90% 待機(jī)狀態(tài)下完全不會(huì)...
今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM（嵌入式磁阻內(nèi)存），基于28nm FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
紫晶存儲(chǔ)業(yè)績(jī)亮眼 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)想取代市場(chǎng)尚需資本支持
在國(guó)際市場(chǎng)中，中國(guó)的硬件廠商往往扮演著后來(lái)者的角色?！皣?guó)產(chǎn)替代”的需求盡管為中國(guó)廠商提供了業(yè)務(wù)的基本盤，但是技術(shù)趕超之路道阻且長(zhǎng)?？苿?chuàng)板的出現(xiàn)，無(wú)疑為這些企業(yè)提升技術(shù)、擴(kuò)大產(chǎn)能提供了充足彈藥。
2019-12-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ) 2896
NVMe時(shí)代 全閃存陣列系統(tǒng)也要隨著更新與變革
根據(jù)2018年底IDC發(fā)布的報(bào)告“Data Age 2025：The Digitization of the World From Edge to Core”顯示，伴隨5G/IoT和車聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)落地，越來(lái)越多的終端以及越來(lái)越高的帶寬催生越來(lái)越多的數(shù)據(jù)產(chǎn)生，到2025年，全球?qū)⒚磕戤a(chǎn)生約175ZB數(shù)據(jù)；同時(shí)隨著大數(shù)據(jù)/AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用，數(shù)據(jù)的價(jià)值得到更加充分的挖掘，被存儲(chǔ)和被分析的數(shù)據(jù)量指數(shù)增長(zhǎng)。
旺宏攪局3D NAND 預(yù)計(jì)明年投資新臺(tái)幣87億元
新聞主體：旺宏電子于 1989 年創(chuàng)立于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)，是全球少數(shù)能夠提供從 512Kbit 至 2Gbit 完整 Serial NOR Flash 系列產(chǎn)品的公司，他們擁有極小尺寸的 Flash 產(chǎn)品，可充分符合可攜式電子產(chǎn)品日趨輕薄短小化的趨勢(shì)。
2019-12-25 標(biāo)簽：NAND 1064
芝奇發(fā)布新品內(nèi)存 單條容量統(tǒng)一都是32GB
我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過(guò)頻率。芝奇此前就發(fā)布過(guò)DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存（單條8GB），現(xiàn)在又帶來(lái)了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達(dá)32GB！
2019-12-24 標(biāo)簽：內(nèi)存 1236
受5G的影響 DRAM與NAND將迎來(lái)增長(zhǎng)
12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
云存儲(chǔ)相較傳統(tǒng)存儲(chǔ) 主要有以下三大趨勢(shì)
在信息技術(shù)領(lǐng)域，存儲(chǔ)設(shè)備扮演著不可或缺的角色。在安防領(lǐng)域，隨著安防智能化、高清化、以及警務(wù)需求的不斷擴(kuò)大，目前對(duì)安防存儲(chǔ)的要求空前強(qiáng)大。
2019-12-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ) 1296
NAND Flash下游庫(kù)存水位大幅降低 為漲價(jià)帶來(lái)了新的契...
根據(jù)外媒報(bào)道，NAND Flash 價(jià)格去年跌到今年，第三季初雖然出現(xiàn)短暫止跌回升，但 11 月報(bào)價(jià)又跌回第二季末低點(diǎn)，包括三星、美光等上游原廠第三季獲利大幅下滑。不過(guò)，下半年智慧型手機(jī)銷售成績(jī)不差，固態(tài)硬碟（SSD）價(jià)格下跌后刺激出終端需求，NAND Flash 下游庫(kù)存水位大幅降低，為漲價(jià)帶來(lái)新契機(jī)。
2019-12-20 標(biāo)簽：Nand flash 822
隨著存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)行情回暖 美光預(yù)計(jì)2020年DRAM和NAND ...
美光科技公布截至2019年11月28日的2020財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)，營(yíng)收及盈利均超市場(chǎng)分析師預(yù)期，分析師此前平均預(yù)期營(yíng)收為49.9億美元，平均預(yù)期每股收益是0.47美元。
影馳正式發(fā)布“星曜”系列內(nèi)存 外觀設(shè)計(jì)異常閃耀
今天，影馳正式發(fā)布了“星曜”系列內(nèi)存新品，外觀設(shè)計(jì)異常閃耀，規(guī)格也十分強(qiáng)大。
2019-12-20 標(biāo)簽：內(nèi)存 909
2019年Q3企業(yè)外部存儲(chǔ)系統(tǒng)以亞太地區(qū)收入增長(zhǎng)最為強(qiáng)勁
近日IDC發(fā)布2019 Q3 全球企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)季度追蹤報(bào)告顯示，2019年第三季度全球企業(yè)外部OEM存儲(chǔ)系統(tǒng)支出同比增長(zhǎng)1.3％至66億美元，總出貨容量同比增長(zhǎng)6.8％至17.3 EB。直接面向超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心銷售的原始設(shè)計(jì)制造商（ODM）的收入同比減少6.8％至58億美元。市場(chǎng)容量總出貨容量（外部OEM + ODM Direct +基于服務(wù)器的存儲(chǔ)）減少了13.9％，至98.8 EB。
2019-12-20 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)系統(tǒng) 1207
2020年內(nèi)存行業(yè)開(kāi)始翻身 漲價(jià)可能高達(dá)30%
2019年對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)來(lái)說(shuō)是個(gè)熊市，閃存價(jià)格連跌了兩年，內(nèi)存價(jià)格也跌了一年了，但是市場(chǎng)轉(zhuǎn)機(jī)也出現(xiàn)了，年底的這個(gè)季度內(nèi)存、閃存價(jià)格走勢(shì)都面臨著拐點(diǎn)的出現(xiàn)，而2020年就是內(nèi)存、閃存廠商翻身的時(shí)候了，漲價(jià)可能高達(dá)30%。
供不應(yīng)求的情況下 閃存合約價(jià)或在明年Q1上漲15%
熊市了快兩年，存儲(chǔ)廠商們干預(yù)市場(chǎng)的情緒有些按捺不住。
華為自研SSD到底好不好 還有待市場(chǎng)的驗(yàn)證
12 月 18 日訊，如果要投票選國(guó)產(chǎn)科技行業(yè)中研發(fā)能力最強(qiáng)的公司是誰(shuí)，那么華為應(yīng)該是得票最多的企業(yè)之一，畢竟海思處理器，巴龍基帶，凌霄服務(wù)器芯片等等產(chǎn)品，都令人印象深刻。
在預(yù)期性心理因素下 DRAM合約價(jià)或?qū)⑻崆坝?020年第一季...
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，DRAM 現(xiàn)貨價(jià)的翻揚(yáng)，改變了市場(chǎng)氛圍。在預(yù)期性心理因素下，有利于合約市場(chǎng)中買方的備貨意愿提高，目前預(yù)估合約價(jià)可能提前至 2020 年第一季止跌。
2019-12-19 標(biāo)簽：DRAM 665
DRAM價(jià)格于明年第一季可望止跌 或?qū)⒂行》壬险{(diào)趨勢(shì)
12 月 18 日訊，DRAM 價(jià)格于明年第一季可望止跌，NAND Flash 價(jià)格并已提前觸底反彈，有利記憶體模組廠營(yíng)運(yùn)。記憶體模組廠宇瞻、廣穎電通、品安第三季獲利均明顯上升，今日隨著產(chǎn)業(yè)前景看法樂(lè)觀，帶動(dòng)股價(jià)大漲。
研華科技推出一款升級(jí)版企業(yè)級(jí) 2.5“ SSD 能夠滿足多樣...
隨著物聯(lián)網(wǎng)接入設(shè)備數(shù)量的不斷增加，設(shè)備生成的數(shù)據(jù)也越來(lái)越多，需要通過(guò) 5G 網(wǎng)絡(luò)與邊緣計(jì)算機(jī)進(jìn)行高速傳輸。市場(chǎng)趨勢(shì)下，一款適用于工業(yè)應(yīng)用密集數(shù)據(jù)讀取和寫入的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品必不可少。
瀾起科技積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定 布局研發(fā)DDR5內(nèi)存...
瀾起科技是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計(jì)DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一，該公司成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，公司2018年?duì)I業(yè)收入175，766.46萬(wàn)元，凈利潤(rùn)73，687.84萬(wàn)元。
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