存儲技術(shù)
DRAM價格下跌，會給中國廠商帶來怎樣的影響？
DRAM大廠南亞科今昨日公布第3季財報，展望后市，南亞科總經(jīng)理李培瑛不諱言，第4季DRAM需求相對前半年保守，預(yù)期單季平均銷售單價可能下滑5%左右，PC需求為目前唯一表現(xiàn)趨緩的應(yīng)用，且由于第3季DRAM供應(yīng)商增加投片量，南亞科已下修今年資本支出逾1成，明年仍得視國際局勢變化，預(yù)期價格將在合理范圍內(nèi)緩跌。
西部數(shù)據(jù)公司不斷融入尖端技術(shù)，意圖顛覆傳統(tǒng)存儲市場
當(dāng)下，移動設(shè)備已成為我們?nèi)粘；ヂ?lián)生活的中心。隨著面向5G速度、4K視頻、AR和VR的新興功能不斷提升智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦的能力，用戶對設(shè)備的期望，以及支持這些日益豐富用戶體驗的技術(shù)需求也在水漲船高。作為技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，西部數(shù)據(jù)公司不斷將尖端技術(shù)融入產(chǎn)品中，為用戶提供具有卓越性能和高可靠性的解決方案。
2018-10-18 標(biāo)簽：NAND存儲西部數(shù)據(jù) 1128
DRAM市場正式進(jìn)入“三強(qiáng)爭霸”時代，國產(chǎn)廠商準(zhǔn)備強(qiáng)勢進(jìn)場
從去年下半年開始，DRAM市場上的價格便一路走高，在三大巨頭三星電子、SK海力士、美國鎂光的壟斷之下，所有下游廠商都不得不接受這一路高企的瘋狂價格。對于我們普通用戶最直接的感受便是，內(nèi)存價格相較于之前已經(jīng)翻了幾番，堪稱年度最佳理財產(chǎn)品。
DRAM價格持續(xù)下跌，這種情況對于國產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么...
很長一段時間里，由于供貨吃緊、技術(shù)受限、需求增加等，DRAM在過去九個季度中價格持續(xù)上漲。但隨著技術(shù)漸入瓶頸，加之2018年智能手機(jī)增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務(wù)盛行下服務(wù)器需求大減等影響，市場中DRAM漸趨供過于求，進(jìn)而使得DRAM價格持續(xù)下跌。這種情況，對于國產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢？
南亞科表示第4季DRAM需求轉(zhuǎn)趨保守，下修今年資本支出約12...
DRAM廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，第4季DRAM需求相對于上半年轉(zhuǎn)趨保守，預(yù)估產(chǎn)品單價會下滑約5%，也因此下修今年資本支出約12.5%，來到210億元（新臺幣，下同）。
紫光成都建設(shè)基地，打造12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線
根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
紫光是中國發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)頭羊之一，能否頂住市場壓力？
受到智能手機(jī)發(fā)展停滯、服務(wù)器存在出貨量不確定以及英特爾處理器缺貨的影響，主要NAND Flash閃存制造商將會出現(xiàn)供過于求的情況。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket報價，截止到2018年5月份NAND Flash綜合價格指數(shù)已累計下滑28%。
2019年平均DRAM價格將同比下降15％至20％
近日，統(tǒng)計機(jī)構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，由于一些原因，2019年平均DRAM價格將同比下降15％至20％。
賽靈思新一代閃存存儲解決方案為新一代云數(shù)據(jù)中心奠定基礎(chǔ)
云計算無處不在。云端環(huán)境的計算要求呈指數(shù)級增長，與此同時，摩爾定律的放緩制約了傳統(tǒng)計算技術(shù)的跟進(jìn)。高計算強(qiáng)度工作負(fù)載的出現(xiàn)與普及導(dǎo)致當(dāng)今對靈活應(yīng)變異構(gòu)計算架構(gòu)的需求大大超出以往。
云存儲將進(jìn)一步增長，但你知道云存儲為什么會在競爭激烈的市場中...
據(jù)調(diào)查顯示，盡管企業(yè)仍然采用HDD硬盤保存更多的數(shù)據(jù)，但是最大的存儲預(yù)算項目是云存儲。很多人正在探索云存儲為什么會勝出，以及存儲技術(shù)何時可能出現(xiàn)實際的臨界點。
國內(nèi)的DRAM發(fā)展前景嚴(yán)峻，紫光國微將2.2億轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)...
10月11日晚間，紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告，將轉(zhuǎn)讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設(shè)計研發(fā)的西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“西安紫光國芯”）給紫光集團(tuán)下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司（以下簡稱“紫光存儲”）。
DRAM在報價上仍有上揚空間，或?qū)⒈３忠欢屋^為平穩(wěn)或緩步走低...
去年我們曾經(jīng)對存儲器產(chǎn)業(yè)進(jìn)行分析，認(rèn)為存儲器產(chǎn)業(yè)在2016～2017年是恢復(fù)秩序且有機(jī)會成長的產(chǎn)業(yè)，時至今日，雖然存儲器大廠持續(xù)邁向新制程發(fā)展，但由于市場寡占，主要大廠對于新產(chǎn)能擴(kuò)充仍相當(dāng)自律，加上電子化產(chǎn)品對于存儲器的需求持續(xù)提升，因此在這1年間，存儲器變成了洛陽紙貴的零組件。
在未來的2至3年里，QLC SSD也會如同TLC SSD一般...
憑借高速讀寫、低噪音和抗震等優(yōu)勢，SSD取代HDD已成為時代必然，但受成本和容量影響，SSD在15年的發(fā)展里并未完成這一壯舉。而QLC SSD的出現(xiàn)，在容量上已能與HDD齊平，并在價格上試圖將SSD拉進(jìn)1元/GB時代，這也意味著，SSD正在吹起全面侵占HDD的號角。
由于市場持續(xù)供過于求，DRAM與NAND Flash第四季價...
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，雖然下半年是產(chǎn)業(yè)旺季，但市場持續(xù)供過于求，DRAM第三季合約價格季漲幅縮小到僅1~2%，第四季可能反轉(zhuǎn)下跌5%，也不排除跌幅持續(xù)擴(kuò)大的可能性，終結(jié)價格連九季上漲的超級周期（super cycle）。而NAND Flash均價在第三季下跌約10%之后，第四季因受中美貿(mào)易摩擦波及，預(yù)估跌幅將大于第三季，擴(kuò)大至約10~15%，渠道市場主流3D TLC顆粒合約價跌幅甚至將超過15%。
DRAM和NAND Flash價格呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢，內(nèi)存和SS...
據(jù)TrendForce旗下的DRAMeXchange發(fā)布的最新報告顯示，本應(yīng)該是購物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合約采購價均呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢，其中DRAM預(yù)估下滑5％或更多。所以大家所關(guān)心的內(nèi)存和SSD產(chǎn)品在接下來的一段時間內(nèi)有希望迎來一波降價浪潮。
DRAM芯片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的？
在整個電子產(chǎn)業(yè)鏈中，存儲芯片扮演著至關(guān)重要的角色，它好比行軍打仗的糧草，也被譽(yù)為電子系統(tǒng)的“糧倉”。存儲芯片分為閃存和內(nèi)存，閃存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，內(nèi)存主要為 DRAM，本文將主要給大家講解DRAM芯片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
三星為何能在內(nèi)存芯片市場稱霸？
7月至9月的這個季度，三星電子營業(yè)利潤為17.5萬億韓元（154億美元），高于去年同期的14.53萬億韓元。營收同比增長4.75%，至65萬億韓元（572億美元）。
英特爾固態(tài)硬盤710系列產(chǎn)品專門面向數(shù)據(jù)中心的專用多層單元
英特爾固態(tài)硬盤710系列產(chǎn)品專門面向數(shù)據(jù)中心的專用多層單元...
價格周期性漲跌，NAND Flash產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生新變化
目前，NAND Flash的價格下行趨勢已經(jīng)確立。根據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket近日發(fā)布的數(shù)據(jù)，截止至2018年8月27日，NAND Flash價格指數(shù)已累計下滑超過40%，NAND Flash每GB價格下探至0.13美元，基本回到了2016年漲價時期的價格水平。存儲器是一個具有明顯周期性的行業(yè)，產(chǎn)品價格隨著市場市場供需關(guān)系，進(jìn)行周期性的漲跌，同時也會對企業(yè)發(fā)展產(chǎn)生較大影響。
紫光國微的DDR4內(nèi)存芯片預(yù)計年底前完成，三星的“壟斷”或?qū)?..
據(jù)外媒報道，受穩(wěn)定的內(nèi)存需求推動，三星電子第三季度預(yù)計將斬獲17.2萬億韓元（約合人民幣1058億元）的運營利潤，再創(chuàng)歷史記錄。
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