存儲技術(shù)
存儲芯片Q4逐漸呈現(xiàn)向好趨勢，價格逐步回升
根據(jù)全球主要的存儲芯片原廠最新財報梳理可知：Q3整體庫存仍處于較高水平，整體庫存高位在Q1達到峰值，Q2有所回調(diào)，Q3下降相對明顯。
2023-12-27 標(biāo)簽：消費電子存儲芯片半導(dǎo)體行業(yè)AI服務(wù)器 1398
2024年1月，預(yù)計NOR Flash價格將上漲5%
NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個存儲單元都有一個地址，可以直接訪問任何存儲單元，這使NOR Flash具有快速的隨機訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 標(biāo)簽：閃存芯片adasNOR flash可穿戴設(shè)備 1965
NOR Flash行業(yè)將迎來拐點 明年可能供不應(yīng)求
在這一氛圍下，NOR Flash行業(yè)已開始醞釀漲價。臺灣經(jīng)濟日報今日有消息指出，預(yù)計NOR Flash將接棒啟動存儲芯片新一輪漲價潮，預(yù)計明年1月起先漲5%，二季度漲幅有望擴大至10％。
AI SoC必須考慮的關(guān)鍵因素“內(nèi)存架構(gòu)”
導(dǎo)電橋接隨機存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM， CBRAM ）是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存，可定制應(yīng)用在各類嵌入式市場和獨立存儲器市場。
2023-12-25 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sramsoc內(nèi)存AI 1935
影馳20周年紀(jì)念版星曜DDR5-7200 24GB內(nèi)存性能測...
影馳20周年紀(jì)念版星曜DDR5-7200 24GB內(nèi)存采用了海力士M-Die顆粒，其超頻潛力可與SK海力士的A-Die顆粒相媲美。 即便頻率高達7200MHz，內(nèi)存時序依舊被壓制在36-46-46-116 CR2，電壓則是1.4V。
國產(chǎn)SSD能否替代進口HDD
倪光南表示，隨著我國國產(chǎn)存儲整機和閃存生產(chǎn)能力逐步提升，SSD取代HDD時機已經(jīng)到來。
2023-12-21 標(biāo)簽：SSD數(shù)據(jù)中心PCIeHDD半導(dǎo)體存儲 1424
戴爾科技推出全閃存交鑰匙系統(tǒng)：ObjectScale XF9...
面對越來越多要求嚴(yán)苛的高增長工作負載，如分析、生成式AI和相關(guān)的云原生應(yīng)用程序開發(fā)等等，對象存儲被作為主存儲并迅速發(fā)展。
存儲芯片部分型號漲幅達50%
從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片Nand flash半導(dǎo)體存儲 1090
AI PC需求加速DDR5滲透率提升
公司保持著在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的相對領(lǐng)先態(tài)勢。公司牽頭制定DDR5RCD及MDB芯片的國際標(biāo)準(zhǔn)，研發(fā)持續(xù)領(lǐng)先。
佰維存儲榮膺“2023年度中國物聯(lián)領(lǐng)航企業(yè)”
近日，深圳市物聯(lián)網(wǎng)協(xié)會主辦的第四屆AIoT大會成功舉辦，大會同期揭曉了“中國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)航獎”的獲獎名單。憑借在智能終端等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新存儲技術(shù)與出色市場表現(xiàn)，佰維存儲榮獲“2023中國物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)航獎——領(lǐng)航企業(yè)”殊榮。 ? ? 面對萬物互聯(lián)時代存儲的多元化需求，佰維存儲構(gòu)建了“研發(fā)封測一體化”的經(jīng)營模式，在存儲方案開發(fā)效率、定制化開發(fā) 、產(chǎn)能穩(wěn)定供應(yīng)、產(chǎn)品品質(zhì)與一致性保障等方面具備顯著優(yōu)勢，打造了全系列、定制化
2023-12-18 標(biāo)簽：佰維存儲 812
關(guān)于AI和SRAM的不確定未來思考
西門子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術(shù)中嚴(yán)格的設(shè)計規(guī)則。過去，我們對 SRAM 有單獨的設(shè)計規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管的設(shè)計縮小更多尺寸。然而，當(dāng)我們轉(zhuǎn)向更小尺寸的節(jié)點時，保持這種區(qū)別變得越來越具有挑戰(zhàn)性。現(xiàn)在，SRAM 正在遵循越來越多的邏輯設(shè)計規(guī)則，并且與基于邏輯晶體管的設(shè)計相比，進一步縮小存儲器的優(yōu)勢并不明顯。
2023-12-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器西門子DDReda存內(nèi)計算 1207
減產(chǎn)效應(yīng)下原廠業(yè)績?nèi)绾危?Q23 NAND Flash / ...
全球存儲市場規(guī)模成功實現(xiàn)在二季度和三季度連續(xù)兩個季度環(huán)比回升，今年一季度將成為市場規(guī)模的事實底點。正如我們在《CFM Report_2023Q3全球存儲市場報告與Q4展望》中提到的，在原廠放棄爭奪市占、轉(zhuǎn)為以恢復(fù)盈利為首要目標(biāo)的策略變化下，原廠拉漲態(tài)度強勢，存儲行情確定性上漲已成為現(xiàn)實，四季度存儲價格全面迎來上漲，那么順應(yīng)下半年的出貨旺季，全球存儲市場規(guī)模將繼續(xù)在四季度保持增長。但受限于目前需求表現(xiàn)不如往年，且價格漲速過快漲
2023-12-06 標(biāo)簽：DRAM 981
江波龍與金士頓將成立合資公司，深耕國內(nèi)高品質(zhì)與高附加值的嵌入...
2023年11月27日， 深圳市江波龍電子股份有限公司（以下簡稱“江波龍”）與金士頓科技公司（Kingston Technology Corporation) 共同簽署了意向性備忘錄，宣布發(fā)揮各自優(yōu)勢，將共同出資設(shè)立合資公司，雙方分別持有合資公司51%和49%的股份 （后續(xù)雙方將簽訂具體協(xié)議文件，并視屆時具體安排依規(guī)履行各項審批義務(wù)及信息披露義務(wù)）。 ? 金士頓成立于1987年，總部位于美國加州芳泉谷，是全球知名的獨立內(nèi)存產(chǎn)品制造商，被財富雜志評為“美國最適宜工作的公司”
2023-12-04 標(biāo)簽：江波龍 837
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