存儲(chǔ)技術(shù)
東芝企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)將亮相杭州云棲大會(huì) 共同描繪數(shù)字中國(guó)藍(lán)圖
東芝企業(yè)級(jí)硬盤在節(jié)約能源方面也有絕佳表現(xiàn)，大幅減少電力及散熱所消耗的能源，有助于提升系統(tǒng)穩(wěn)定度，不僅減少企業(yè)的成本支出，更降低了對(duì)環(huán)境的沖擊.
由于市場(chǎng)供大于求，第四季整體DRAM價(jià)格走弱的機(jī)會(huì)逐漸升高
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，正值8月中旬，廠商陸續(xù)開始議定第四季價(jià)格，原先業(yè)界普遍預(yù)期價(jià)格仍將持平開出，但由于供給持續(xù)增加，需求則不見明顯回溫，因此第四季整體DRAM價(jià)格走弱的機(jī)會(huì)逐漸升高。
全球DRAM平均價(jià)格上揚(yáng)，但2019年DRAM市況應(yīng)會(huì)出現(xiàn)供...
全球DRAM價(jià)格在2017、2018年連兩年大幅上揚(yáng)，對(duì)DRAM買方市場(chǎng)形成不少采購(gòu)壓力，但如今在三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）及SK海力士（SK Hynix）加速擴(kuò)大產(chǎn)能，預(yù)期2018年下半及2019年整體DRAM產(chǎn)能將拉升下，有望帶動(dòng)2019年DRAM供給增加及價(jià)格下滑，有市場(chǎng)分析師甚至預(yù)估，DRAM每GB平均售價(jià)將從2018年的7.07美元降至2019年的2.57美元，跌幅將達(dá)到68%。
Q4季度DRAM內(nèi)存價(jià)格下降成定局，究竟誰會(huì)遭殃呢？
日前DRAMeXchange發(fā)表報(bào)告稱Q3季度DRAM內(nèi)存價(jià)格微幅上漲2%，但Q4季度DRAM內(nèi)存價(jià)格下降幾成定局，這也意味著漲了三年的DRAM內(nèi)存價(jià)格終于要下跌了。與內(nèi)存相比，NAND閃存價(jià)格在今年初就開始由漲轉(zhuǎn)跌，上半年跌幅至少50%。對(duì)于未來的NAND價(jià)格走勢(shì)，市場(chǎng)及分析師普遍認(rèn)為還會(huì)繼續(xù)再跌11-13%。NAND閃存價(jià)格下跌，但是今天股價(jià)遭殃的反而是希捷、西數(shù)，其中希捷股價(jià)暴跌7%，Evercore分析師大幅下調(diào)了希捷的目標(biāo)股價(jià)。
臺(tái)積電不排除收購(gòu)內(nèi)存芯片公司的可能性
臺(tái)灣地區(qū)內(nèi)存芯片供應(yīng)商南亞科是臺(tái)積電的潛在合作伙伴或投資目標(biāo)，不過這家全球第四大DRAM存儲(chǔ)器制造商拒絕評(píng)論。
由于三星和SK海力士的控制，內(nèi)存降價(jià)幅度不會(huì)太大
內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多，業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè)到今年第四季度將逐步回歸正常，但還沒來得及興奮，壞消息就來了。據(jù)臺(tái)灣媒體援引業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子、SK海力士都計(jì)劃推遲工廠擴(kuò)建、產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，原因是客戶需求正在變緩，會(huì)導(dǎo)致DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價(jià)格在2019年上半年明顯下滑，這自然是他們不想看到的。
2018全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)估達(dá)10.1%，2019年內(nèi)存價(jià)格...
資策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場(chǎng)概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長(zhǎng)空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)10.1％，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)。
存儲(chǔ)芯片價(jià)格連漲三年，預(yù)測(cè)今年第四季度內(nèi)存漲價(jià)終于到頭了
2016年以來，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，今年已經(jīng)是第三個(gè)年頭。雖然NAND閃存、SSD等產(chǎn)品已經(jīng)有所回落，但內(nèi)存依然沒有下跌勢(shì)頭。不過，業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè)，到今年第四季度，內(nèi)存的漲價(jià)終于到頭了。
低成本大容量的QLC SSD的性能和壽命被人質(zhì)疑
Intel上個(gè)月剛剛發(fā)布了其首款QLC SSD 660P，它因?yàn)镼LC的低成本大容量特點(diǎn)，以相同容量下更低的價(jià)格擁有更高的性價(jià)比。雖然QLC性能相對(duì)弱些，但是價(jià)格低容量大還是很不錯(cuò)的。但是最近有消息指出，QLC閃存的產(chǎn)量過低。
中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口額同比猛增,韓國(guó)是最大供貨來源地
今年第一季度，中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口額達(dá)146.72億美元，同比猛增75.4%。業(yè)內(nèi)人士分析指出，最近用于智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)芯片快速升級(jí)，但中國(guó)企業(yè)技術(shù)實(shí)力仍需發(fā)展，因此只能依靠進(jìn)口。中國(guó)政府發(fā)布的報(bào)告指出，2017年自主開發(fā)的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額幾乎為零。
臺(tái)北電腦展拉開序幕，AS2258 SSD控制芯片將會(huì)是點(diǎn)序最...
一年一度的臺(tái)北電腦展即將在6月5日拉開序幕，屆時(shí)將吸引國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)參展。全球閃存控制芯片供貨商點(diǎn)序科技以「點(diǎn)序十年，記憶相隨」（ASolid – A Solid Solution for Your Memory） 為活動(dòng)主題，將攜SSD、eMMC、SD、USB等全系列產(chǎn)品線亮相，其中備受矚目的AS2258 SSD控制芯片將會(huì)是最大亮點(diǎn)。
東芝發(fā)布XS700系列固態(tài)移動(dòng)硬盤新品，采用了自家的64層B...
東芝發(fā)布了XS700系列固態(tài)移動(dòng)硬盤新品，與傳統(tǒng)機(jī)械式移動(dòng)硬盤相比，它不僅速度更快、更加耐用、還支持USB 3.1 Gen 2 Type-C連接。東芝表示，這款固態(tài)移動(dòng)硬盤采用了自家的64層BiCS 3D閃存，速度可達(dá)傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的4.5倍，很適合內(nèi)容穿作者、攝影師，以及其它追求高性能、極致可靠性和在路途中快速訪問其數(shù)據(jù)的消費(fèi)者。
三星存儲(chǔ)大師新品系列面世，無論是在實(shí)用性能還是持久力上都無可...
繼三星存儲(chǔ)大師新品系列在8日全網(wǎng)開啟預(yù)售后，本月15日三星品牌存儲(chǔ)存儲(chǔ)大師新品系列開啟首銷。三星NVMe SSD 970 PRO丨EVO系列，高度耐用存儲(chǔ)卡PRO Endurance和BAR升級(jí)版+ USB3.1 閃存盤在天貓，京東，蘇寧三網(wǎng)同步開啟銷售。
HHHL企業(yè)級(jí)SSD新品Kimtigo P3500A面世，具...
從正式進(jìn)軍工控行業(yè)，Kimtigo一路高歌，最近又有一款HHHL企業(yè)級(jí)的SSD新品面世，這款新品命名為Kimtigo P3500A，制作過程中就備受期待，一路精心打造，萬千寵愛，終于破繭而出。
2018年大容量硬盤供不應(yīng)求，?？低曌プ×嗣看无D(zhuǎn)型機(jī)遇
3月30日，“智涌錢塘”2018AI Cloud生態(tài)國(guó)際峰會(huì)在G20主會(huì)場(chǎng)·杭州國(guó)際博覽中心隆重舉行。在此次峰會(huì)上，希捷科技作為?？低曋匾暮献骰锇閰⑴c了AI Cloud生態(tài)啟動(dòng)儀式。在現(xiàn)場(chǎng)記著采訪到了希捷科技全球副總裁暨中國(guó)區(qū)總裁孫丹女士。孫丹介紹了2018年希捷科技最新的公司動(dòng)態(tài)和發(fā)展計(jì)劃，以及對(duì)于新技術(shù)、新趨勢(shì)的看法。
2018全球上游存儲(chǔ)市場(chǎng)格局與前景分析
存儲(chǔ)器是我們最常見的一種存儲(chǔ)產(chǎn)品之一，也是應(yīng)用非常廣泛的一種半導(dǎo)體器件，存儲(chǔ)分為上游、中游、下游市場(chǎng)，我們接觸最多的是中下游市場(chǎng)，而對(duì)存儲(chǔ)上游市場(chǎng)似乎并不是非常了解，今天筆者帶大家了解一下全球存儲(chǔ)上游市場(chǎng)。
2018-09-01 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4171
華為展示基于分布式云存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新，助力構(gòu)建云基礎(chǔ)架構(gòu)平臺(tái)
作為軟件定義的分布式云存儲(chǔ)產(chǎn)品，華為FusionStorage 向各類傳統(tǒng)應(yīng)用與新興云應(yīng)用提供大規(guī)模橫向擴(kuò)展、極致效能、彈性按需的存儲(chǔ)服務(wù)，幫助構(gòu)建云基礎(chǔ)架構(gòu)平臺(tái)。相比同類產(chǎn)品，采用相同規(guī)模的硬件配置時(shí)，華為FusionStorage可以多支持30%云應(yīng)用。
關(guān)于NAND閃存有哪些觀念是錯(cuò)誤的？
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
明年下半年DRAM價(jià)格有下修壓力，產(chǎn)值低于今年的67.8%
DRAM漲勢(shì)不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，通路商表示，因存儲(chǔ)器漲幅過大，下游應(yīng)用端，尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場(chǎng)，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢(shì)將止步，價(jià)格有下修壓力。
南亞科完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRA...
臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個(gè)人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng)，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng)，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來源。
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