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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 存儲(chǔ)技術(shù) > 業(yè)界新聞

存儲(chǔ)技術(shù)

SSD價(jià)格不斷走低導(dǎo)致了性價(jià)比更有優(yōu)勢(shì)的TLC閃存需求高漲

到2016年3月份為止,全球四大NAND豪門都推出了3D NAND閃存及TLC閃存,SSD硬盤的好處就不用多說了,現(xiàn)在不僅容量在提升,價(jià)格也不斷走低,這導(dǎo)致了性價(jià)比更有優(yōu)勢(shì)的TLC閃存需求高漲,市場(chǎng)傳聞TLC閃存現(xiàn)在面臨著缺貨的可能,甚至還有可能漲價(jià)。雖然很多人聽到TLC閃存的名頭就發(fā)怵,認(rèn)為TLC閃存先天性存在性能低、可靠性差的問題,特性是P/E可擦寫次數(shù)普遍在1000次以內(nèi),遠(yuǎn)不如1萬多次的SLC及3000-5000次的MLC閃存。

2018-09-19 標(biāo)簽:閃存SSDTLC 2010

Marvell的人工智能SSD控制器架構(gòu)解決方案:能夠提高應(yīng)...

Marvell在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示了如何在面向數(shù)據(jù)中心和客戶端SSD控制器系列產(chǎn)品上整合NVIDIA的深度學(xué)習(xí)加速器(NVDLA)技術(shù),為廣泛的行業(yè)提供人工智能(AI)功能。

2018-09-20 標(biāo)簽:控制器MarvellSSD人工智能 1513

硅晶圓報(bào)價(jià)逐季上漲,存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求是半導(dǎo)體成長(zhǎng)的主動(dòng)力

日前,主要的硅晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶表示,目前半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)仍缺,公司產(chǎn)能至明年都已全滿,且2020年的訂單已接滿五成。以今年的硅晶圓價(jià)格走勢(shì)來看,環(huán)球晶表示,預(yù)期今年報(bào)價(jià)會(huì)逐季上漲,全年相對(duì)于2017年將是雙位數(shù)的增幅。

2018-08-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器硅晶圓 1353

聯(lián)蕓展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品,容量...

Maxio(杭州聯(lián)蕓科技)日前展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品,容量高達(dá)4TB。

2018-08-19 標(biāo)簽:閃存SSD 1748

全新一代SD 7.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范公布,SD卡性能直逼SSD

SD協(xié)會(huì)已經(jīng)基本完成了全新一代SD 7.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作,計(jì)劃在本月26-28日上海舉辦的MWC大會(huì)上正式公布。新規(guī)范將定義基于PCI-E協(xié)議的SD卡規(guī)格,大大提升其性能,甚至直逼SSD。西部數(shù)據(jù)今年初層展示過一個(gè)采用PCI-E 3.0 x1協(xié)議的SD卡原型,跑出了880MB/s持續(xù)讀取、430MB/s持續(xù)寫入的高性能,比現(xiàn)在SD卡上用的UHS-III總線(全雙工最高624MB/s)也要高出40%。

2018-08-19 標(biāo)簽:SD卡SSD 4739

東芝NVMe M.2 RC100系列SSD上市,主攻DIY制...

東芝存儲(chǔ)器公司美國(guó)子公司Toshiba Memory America,Inc.(TMA)宣布NVMe M.2 RC100系列SSD現(xiàn)已上市。RC100系列SSD曾在CES 2018上首次亮相,主攻DIY制造商和PC玩家群體。其主要競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)在于低功耗高性能以及低廉的價(jià)格。東芝RC100系列適用于所有主流計(jì)算機(jī)領(lǐng)域 - 從游戲臺(tái)式機(jī),筆記本電腦到迷你電腦(NUC)以及其間的所有產(chǎn)品。提供120GB、240GB、480GB三種容量選擇。

2018-08-17 標(biāo)簽:東芝SSD 2817

浦科特推出M9Pe M.2 SSD:雖然整體性能上還不能完全...

臺(tái)北電腦展上,華碩、華擎、微星、惠普等都展示了可安裝四塊M.2 SSD并聯(lián)的PCI-E x16擴(kuò)展卡,浦科特也拿出了自己的方案,有點(diǎn)不一樣,還大方地公布了實(shí)際性能。浦科特稱之為“M9Pe Extreme”,和同類產(chǎn)品最大不同是有一顆Marvell 88NR2241 PCI-E橋接芯片,一端支持四個(gè)PCI-E 3.0 x4,正好連接四塊PCI-E 3.0 x4接口的M9Pe M.2 SSD。

2018-08-17 標(biāo)簽:SSD 3623

三星或?qū)⒂肊UV設(shè)備進(jìn)行DRAM研發(fā)生產(chǎn)

傳三星電子(Samsung Electronics)啟動(dòng)采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā),雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM,不過也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。

2018-08-17 標(biāo)簽:DRAM三星電子 1038

希捷全新游戲驅(qū)動(dòng)Xbox SSD:方便攜帶,高達(dá)2TB的容量

希捷宣布推出全新游戲驅(qū)動(dòng)Xbox SSD,提供500GB、1TB、2TB三種容量選擇。這款SSD由希捷與Xbox 合作設(shè)計(jì),外形緊湊,尺寸僅117mm×80mm×14.8mm,無需電源線,方便攜帶,可提供全面動(dòng)力、超快性能,具備輕便、抗沖擊且便攜等特性。

2018-08-16 標(biāo)簽:SSD希捷 1480

東芝推出全新SAS接口RM5系列SSD,計(jì)劃將取代服務(wù)器應(yīng)用...

東芝存儲(chǔ)美國(guó)公司Toshiba Memory America,Inc.(TMA)推出全新SAS接口RM5系列SSD,預(yù)計(jì)將取代服務(wù)器應(yīng)用中的SATA接口SSD。RM5系列SSD采用東芝BiCS 3D TLC FLASH,最大容量7.68TB,接口速度12Gb/s,SFF-8639連接器,2.5寸規(guī)格形態(tài),與SATA SSD相比,在容量、性能、可靠性、可管理性和數(shù)據(jù)安全性等方面均具備優(yōu)勢(shì)。

2018-08-16 標(biāo)簽:東芝SSD 2723

英特爾計(jì)劃以傲騰 + QLC產(chǎn)品組合重塑內(nèi)存和存儲(chǔ)行業(yè)

英特爾提出將以傲騰 + QLC 這一產(chǎn)品組合重塑內(nèi)存和存儲(chǔ)行業(yè)的愿景。通過將傲騰? 和英特爾? QLC 3D NAND? 這兩種獨(dú)有的技術(shù)史無前例地整合到內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案當(dāng)中,英特爾正在革新整個(gè)內(nèi)存和存儲(chǔ)市場(chǎng),并引領(lǐng)計(jì)算技術(shù)進(jìn)入一個(gè)新的時(shí)代。

2018-08-16 標(biāo)簽:英特爾存儲(chǔ)內(nèi)存 967

創(chuàng)見推出兩款JetDrive系列SSD,以滿足不同產(chǎn)品的需求

創(chuàng)見推出了兩款JetDrive系列的固態(tài)硬盤,JetDrive 855和JetDrive 850,采用NVMe接口標(biāo)準(zhǔn),PCIe Gen3.0x4高速接口,創(chuàng)見JetDrive系列PCIe固態(tài)硬盤還包含JetDrive 825及JetDrive 820,為MacBook Pro、MacBook Air、Mac mini及Mac Pro提供更好的性能體驗(yàn),滿足不同產(chǎn)品的需求。

2018-08-14 標(biāo)簽:NANDSSD 2311

美光宣布量產(chǎn)下代GDDR6顯存,進(jìn)度暫時(shí)緩慢

美光宣布,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)下一代GDDR6顯存顆粒,也是DRAM三巨頭中的最后一家,三星、SK海力士此前都已經(jīng)量產(chǎn)并出貨GDDR6。不但進(jìn)度慢,美光GDDR6在規(guī)格上也落后其他兩家,目前單顆容量都是8Gb(1GB),后期才會(huì)做到16Gb(2GB)——GDDR6最大允許做到單顆32Gb(4GB)。

2018-08-14 標(biāo)簽:DRAM美光顯存 1437

嘉合勁威和國(guó)科微簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議,有利于推進(jìn)SSD國(guó)產(chǎn)化進(jìn)...

5月26日,嘉合勁威和國(guó)科微簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議。嘉合勁威是國(guó)內(nèi)高端IC測(cè)試企業(yè),是國(guó)內(nèi)電腦存儲(chǔ)產(chǎn)品品牌供應(yīng)商。嘉合勁威擁有全自動(dòng)化的NAND、DRAM測(cè)試車間,為行業(yè)客戶提供IC測(cè)試以及測(cè)試解決方案;嘉合勁威還擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電腦存儲(chǔ)產(chǎn)品全自動(dòng)化生產(chǎn)流程,提供為行業(yè)客戶OEM、ODM。嘉合勁威是一家擁有完整的產(chǎn)業(yè)鏈的高新技術(shù)企業(yè)。

2018-08-14 標(biāo)簽:存儲(chǔ)SSD 3558

延長(zhǎng)固態(tài)硬盤使用壽命的小方法

使用固態(tài)硬盤必須首先開始AHCI磁盤模式,因?yàn)槿绻褂闷胀ǖ腎DE模式下使用就可能會(huì)導(dǎo)致固態(tài)硬盤壞得很快。同時(shí)因自身原理問題,固態(tài)硬盤在使用一段時(shí)間后性能會(huì)下降。因此對(duì)于大品牌的固態(tài)硬盤,都會(huì)有配套的優(yōu)化工具來恢復(fù)固態(tài)硬盤的性能,例如英特爾就有SSDToolBox。如果要正常使用英特爾SSDToolBox就必須在AHCI模式下,否則可能出現(xiàn)性能下降后無法恢復(fù)的問題。

2018-08-15 標(biāo)簽:英特爾閃存驅(qū)動(dòng)固態(tài)硬盤 17064

閃迪移動(dòng)推出新型固態(tài)硬盤,可以掛在背包外的移動(dòng)硬盤

移動(dòng)硬盤引入閃存用作為移動(dòng)硬盤的存儲(chǔ)設(shè)備,賦予移動(dòng)硬盤更加寬廣的適用場(chǎng)景,硬盤本身抵抗物理傷害的能力也對(duì)應(yīng)得到提升,非常實(shí)用移動(dòng)戶外這種場(chǎng)景。如果真要說缺點(diǎn)的話,就只有這相對(duì)機(jī)械硬盤高昂的價(jià)格了,但技術(shù)在不斷發(fā)展,相信隨著QLC顆粒普及進(jìn)一步,閃存價(jià)格進(jìn)一步降低,傳統(tǒng)機(jī)械硬盤存儲(chǔ)產(chǎn)品的市場(chǎng)將會(huì)被固態(tài)硬盤重新定義

2018-08-15 標(biāo)簽:usb移動(dòng)硬盤存儲(chǔ)設(shè)備 3178

三星/SK海力士實(shí)力大分析,國(guó)內(nèi)內(nèi)存公司應(yīng)如何去競(jìng)爭(zhēng)?

之前的DRAM市場(chǎng)以PC為中心,但是現(xiàn)在,它的需求不僅來自PC,還來自移動(dòng)設(shè)備和服務(wù)器等其他應(yīng)用。只不過,所有的半導(dǎo)體器件(不只是DRAM)都是周期性的,這種周期性主要是由兩個(gè)因素造成的:

2018-08-12 標(biāo)簽:nand三星電子sk海力士 10403

為什么3D NAND技術(shù)能占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%?

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中,NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品,2015年?duì)I收達(dá)到267億美元,占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。

2018-08-13 標(biāo)簽:閃存NAND3D 1945

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱:長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。

2018-08-13 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2367

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生...

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。

2018-08-13 標(biāo)簽:NAND3D長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2879

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