存儲(chǔ)技術(shù)
聯(lián)電新推40nmSST嵌入式快閃記憶存儲(chǔ)器制程
聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司賑災(zāi)評(píng)估這個(gè)微處理器芯片。
三星投資60%部署NAND閃存業(yè)務(wù) 預(yù)測(cè)將出現(xiàn)供大于求
根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)來(lái)看，價(jià)格的大幅度上漲，內(nèi)存市場(chǎng)面臨著激烈的競(jìng)爭(zhēng)，市場(chǎng)供不應(yīng)求的局面，致使三星計(jì)劃將加大投入擴(kuò)大芯片產(chǎn)能，但是外界人士認(rèn)為內(nèi)存廠商大規(guī)模的擴(kuò)大芯片產(chǎn)能，將會(huì)帶來(lái)供給過(guò)度的危機(jī)。
中韓存儲(chǔ)器廠商欲擴(kuò)產(chǎn) 2019年或?qū)⒈l(fā)半導(dǎo)體原料缺貨危機(jī)
根據(jù)21017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)的需求來(lái)看，今年中韓存儲(chǔ)器業(yè)將紛紛擴(kuò)大存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)能，預(yù)定2018、2019 年投產(chǎn)。外界擔(dān)憂(yōu)，大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)將有可能導(dǎo)致2019 年半導(dǎo)體原料大缺貨。
DRAM漲價(jià)趨勢(shì)2018年將開(kāi)始下滑 恐將2年之久
2017年的DRAM價(jià)格受惠于數(shù)據(jù)中心需求，報(bào)價(jià)一路上揚(yáng)，在第四季依然取得不俗的成績(jī)。根據(jù)歷史趨勢(shì)來(lái)看，DRAM漲價(jià)趨勢(shì)將會(huì)2018年開(kāi)始下滑，最長(zhǎng)恐將2年之久。
復(fù)旦大學(xué)成功研發(fā)光敏感性半導(dǎo)體內(nèi)存
有新聞報(bào)道，復(fù)旦大學(xué)設(shè)計(jì)出了一種新型態(tài)基于原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)出一種內(nèi)存，透過(guò)二維過(guò)度金屬材料創(chuàng)造出一種原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體，不需要電力輔助用光線(xiàn)就能消除儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。
三星電子/海力士夸大DRAM市場(chǎng)缺口 縱容價(jià)格漲價(jià)
2017年內(nèi)存缺貨漲價(jià)已經(jīng)是眾所周知的事情，因?yàn)楫惓５氖袌?chǎng)漲價(jià)趨勢(shì)，已經(jīng)引起了發(fā)改委的調(diào)查，稱(chēng)內(nèi)存漲價(jià)的背后將有可能涉嫌企業(yè)壟斷?？捎兄槿耸客嘎?，內(nèi)存會(huì)如此漲價(jià)是因?yàn)橄嚓P(guān)的供應(yīng)商在聯(lián)合炒貨，實(shí)際缺口不算大，但市場(chǎng)缺貨聲此起彼伏。
旺宏NOR快閃存儲(chǔ)器 形塑超高省電應(yīng)用與發(fā)展
隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)不斷演進(jìn)，芯片的晶體管的密集度屢創(chuàng)新高之際，同步也朝向更省電的發(fā)展推進(jìn)，旺宏電子（Macronix）自推出業(yè)界最快的SPI NOR Flash系列存儲(chǔ)器產(chǎn)品，以500MB/s傳輸速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 標(biāo)簽：旺宏電子微控器快閃存儲(chǔ)器 2299
WDC透過(guò)RISC-V加速大數(shù)據(jù)應(yīng)用發(fā)展
未來(lái)將致力于透過(guò)RISC-V Foundation，引領(lǐng)以數(shù)據(jù)為中心的運(yùn)算環(huán)境發(fā)展。RISC-V為規(guī)模彈性的開(kāi)放運(yùn)算架構(gòu)，無(wú)論在關(guān)鍵的云端資料中心，或遠(yuǎn)程的行動(dòng)系統(tǒng)，皆可促進(jìn)大數(shù)據(jù)(Big Data)與快數(shù)據(jù)(Fast Data)應(yīng)用多元化。
2017-12-30 標(biāo)簽：大數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)risc-v 1243
發(fā)起硬盤(pán)效能新革命 希捷強(qiáng)推Multi Actuator技術(shù)
希捷推動(dòng)了硬碟效能的新一輪革命，發(fā)表了Multi Actuator技術(shù)，可以讓新世代硬碟提升雙倍效能，可以享受硬碟最高效能的同時(shí)兼顧管理大量持續(xù)爆炸性增長(zhǎng)的資料。
華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存開(kāi)始量產(chǎn)
近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 標(biāo)簽：華虹半導(dǎo)體嵌入式閃存 1874
紫光DDR4內(nèi)存正在路上 預(yù)計(jì)明年推向市場(chǎng)
回首過(guò)去一年的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，漲價(jià)永遠(yuǎn)都是關(guān)鍵詞，一連7個(gè)季度的漲價(jià)，這是由于閃存、內(nèi)存漲價(jià)有市場(chǎng)供需失衡的原因，中國(guó)在這個(gè)領(lǐng)域毫無(wú)發(fā)言權(quán)。紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存讓我們看到了國(guó)產(chǎn)DDR4量產(chǎn)的希望。韓企壟斷的局面將被打破。
芯片漲價(jià)被中國(guó)發(fā)改委監(jiān)控 調(diào)查是否存在價(jià)格操縱
一連7季度的芯片漲價(jià)透露了異常的市場(chǎng)起伏，現(xiàn)在中國(guó)發(fā)改委對(duì)芯片漲價(jià)事件異常關(guān)注，將會(huì)深入調(diào)查是否存在潛在價(jià)格操縱。
傳紫光將與SK海力士就閃存技術(shù)許可達(dá)成合作
網(wǎng)上有傳聞紫光集團(tuán)已經(jīng)和SK海力士達(dá)成了合作，合作的內(nèi)容是就芯片閃存技術(shù)許可相關(guān)事宜。不久紫光集團(tuán)馬上出來(lái)澄清，表示未與SK海力士進(jìn)行任何事宜談判或合作，純屬捕風(fēng)捉影的市場(chǎng)傳言。
2017-12-27 標(biāo)簽：閃存技術(shù)sk海力士紫光集團(tuán) 1188
東芝計(jì)劃建第7座閃存工廠(Fab7),與三星、Intel一決...
據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒(méi)有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進(jìn)行實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會(huì)是東芝的下一個(gè)計(jì)劃。
三星二代10納米將加速未來(lái)DRAM芯片問(wèn)世 進(jìn)一步搶攻DRA...
三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
搶奪英特爾在芯片領(lǐng)域?qū)氉?三星稱(chēng)王
芯片領(lǐng)域英特爾占據(jù)25年來(lái)的霸主，這25年以來(lái)，鮮有可以與其比肩的對(duì)手。2017年的格局終于被打破，Intel丟掉了全球最大芯片廠商寶座，后繼者是靠存儲(chǔ)芯片飆升的三星。
SSD市場(chǎng)出貨量排名：金泰克奪魁，三星居八
最近SSD最新出貨量的數(shù)據(jù)已經(jīng)出爐，位居前五的分別是金泰克、臺(tái)電、金士頓、七彩虹、影馳。其中三星落后在第八名。
Intel第三代1TB 3D閃存 單Die將升級(jí)到512Gb
在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤(pán)我們可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技術(shù)，Intel的單Die升級(jí)到了512Gb，不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會(huì)CES 2018上才知曉。
三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)派狼將金奇南對(duì)戰(zhàn)SK海力士 SK海力士如臨大敵
三星的金奇南猶如一名狼將，金奇南的狼性展現(xiàn)在他的投資企圖上，是一名難得的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。對(duì)于金奇南出任存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的CEO時(shí)，SK海力士如臨大敵般的恐慌。
內(nèi)存市場(chǎng)狀況分析：2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND將供過(guò)...
近一年來(lái)了內(nèi)存價(jià)格的起伏不定，準(zhǔn)確的說(shuō)是水漲船高，明年的市場(chǎng)狀況又將迎來(lái)如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。
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