電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）前段時間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計劃陸續(xù)退出部分DDR4市場，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動，同時在供給不足的擔(dān)憂
2025-06-19 00:54:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 2025年末，存儲行業(yè)超級周期熱潮下，一則技術(shù)動態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:004504 三星2nm GAA芯片量產(chǎn)背后，隱藏“測不準(zhǔn)”危機。原子級尺度下，量子隧穿、工藝波動等使芯片從“確定性”轉(zhuǎn)向“概率性”，傳統(tǒng)測試假設(shè)崩塌。測試面臨測量精度不足、動態(tài)功耗管理復(fù)雜、信號完整性脆弱三
2025-12-30 17:02:17446 級芯片（SoC），有望重塑三星在移動芯片領(lǐng)域的競爭力。預(yù)計2026年2月發(fā)布的Galaxy S26系列將首發(fā)搭載該芯片。 ? ? Exynos 2600在制程工藝上采用2nm GAA（MBCFET
2025-12-25 08:56:008274 
一、內(nèi)存分布 ? U-Boot 由前級 Loader 加載到 CONFIG_SYS_TEXT_BASE 地址，初始化時會探明當(dāng)前系統(tǒng)的總內(nèi)存容 量， 32 位平臺上認為最大 4GB 可用（但是不影響
2025-12-15 10:42:00101 
2025 年 12 月 3日，中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28708 
K4B8G0846D-MCMA 8Gb DDR3 78K；
H9TCNNN4GDALJR-NGM LPDDR2 4Gb 134球 137K；
MT53B128M32D1NP-062 WT:A LPDDR4 4Gb
2025-11-27 15:58:19
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，11月24日，兆易創(chuàng)新高管在2025年第三季度業(yè)績說明會上表示，公司利基型DRAM產(chǎn)品量價齊升，公司今年新量產(chǎn)的DDR4 8Gb較快搶占份額，進入第三季度銷量已經(jīng)與DDR4
2025-11-26 11:58:365359 本章的實驗任務(wù)是在 PL 端自定義一個 AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進行讀寫測試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423466 
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341115 三星、美光暫停 DDR5 報價的背后，是存儲芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP（系統(tǒng)級封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù)，其核心驅(qū)動力，仍是國內(nèi)存儲芯片封裝環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化進程加速。
2025-11-08 16:15:011156 下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 三星、美光暫停 DDR5 合約報價引發(fā)的存儲芯片荒，正通過 AI 服務(wù)器需求鏈，悄然傳導(dǎo)至 PCB 行業(yè)。這場關(guān)聯(lián)的核心，并非簡單的 “芯片漲價帶動 PCB 漲價”，而是 AI 服務(wù)器對存儲芯片
2025-11-05 10:29:56561 瀾起科技今日正式宣布，已完成DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（RCD04）的量產(chǎn)。該芯片是高性能服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心內(nèi)存系統(tǒng)的核心組件，將為下一代計算平臺帶來顯著的內(nèi)存性能提升。
2025-10-30 11:37:54442 ，使DDR3成為系統(tǒng)的一部分，可以直接通過地址進行讀寫。
在配置MIG時，主要注意以下幾點：
1. Clock Period選擇400MHz，Ratio選擇4：1，則用戶時鐘（ui_clock
2025-10-29 07:16:34
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊針對DDR200T開發(fā)板進行針對e203的DDR3存儲器擴展。
論壇中所給出的e203擴展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項目實際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
2025-10-14 17:11:371033 回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn)；三星公司已確認 Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC 芯片，目前該芯片完成
2025-09-04 17:52:152149 三星美國廠2nm 產(chǎn)線運作 美國2nm晶圓代工廠近期再添生力軍，在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下，原本暫緩的三星美國德州新廠2nm產(chǎn)線近期傳出繼續(xù)運作，業(yè)界已傳出力拼明年2026年內(nèi)量產(chǎn)目標(biāo)。臺積電
2025-09-02 11:26:511510 憑借與紫光國芯的緊密合作，貞光科技能夠為客戶提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應(yīng)保障等方面的綜合優(yōu)勢，使貞光科技成為車載電子領(lǐng)域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)報道，有業(yè)內(nèi)人士透露，三星在上個月向英偉達提供了HBM4樣品，目前已經(jīng)通過了初步的質(zhì)量測試，將于本月底進入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過英偉達最后的驗證步驟，最早可能在11月或12月
2025-08-23 00:28:007162 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實現(xiàn)新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲IP核已在國內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過
2025-08-14 17:20:531311 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證！這一成果進一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進工藝節(jié)點上的技術(shù)實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592244 給大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">三星的最新消息： 三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報道，三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的下一代芯片。而蘋果公司在新聞稿中也印證了這個一消息，在新聞稿中
2025-08-07 16:24:081288 Performance Body-bias）方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進展順利，三星將立即啟動量產(chǎn)，三星GalaxyS26系列手機將首發(fā)
2025-07-31 19:47:071591 本文緊接著前一個文檔《AD設(shè)計DDR3時等長設(shè)計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設(shè)計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長設(shè)計。? ? ? 在另一個文件《AD設(shè)計DDR3時等長設(shè)計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設(shè)計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測試，正就量產(chǎn)供應(yīng)展開磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計算約為10億Gb級別左右，量產(chǎn)時間預(yù)計最早從今年下半年延續(xù)至
2025-07-12 00:16:003465 ：
Window11 PDS2022.2-SP6.4
芯片型號：
PG2L50H-484
2.實驗原理
開發(fā)板集成 1 顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3
2025-07-10 10:46:48
面對近來全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來的巨大供應(yīng)短缺，芯動科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開發(fā)能力，服務(wù)客戶痛點，率先在全球多個主流28nm和22nm工藝節(jié)點上，系統(tǒng)布局
2025-07-08 14:41:101158 給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星電子Q2利潤預(yù)計重挫39% 由于三星向英偉達供應(yīng)先進存儲芯片延遲，三星預(yù)計將公布4-6月營業(yè)利潤為6.3萬億韓元（約46.2億美元；三星電子打算在周二公布初步的業(yè)績數(shù)據(jù)
2025-07-07 14:55:29587 在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中，三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進方面做出重大調(diào)整，原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40690 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，TrendForce報告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場上的價格已基本持平，有些DDR4芯片的價格甚至高于DDR5芯片，呈現(xiàn)“價格倒掛”現(xiàn)象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004538 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
據(jù)外媒 SAMMobile 報道，三星已與英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）達成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片解決方案。 據(jù)悉， 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ，重點是“優(yōu)化內(nèi)存
2025-06-09 18:28:31879 隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車不可或缺的核心組件。紫光國芯作為國內(nèi)領(lǐng)先的存儲器芯片制造商，其車規(guī)級DDR3存儲產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171219 
隨著新能源汽車、智能網(wǎng)聯(lián)汽車和自動駕駛技術(shù)快速發(fā)展，車規(guī)級電子元器件市場迎來爆發(fā)式增長。三星電機作為全球MLCC（多層陶瓷電容器）領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先者，其車規(guī)級貼片電容在電動汽車BMS系統(tǒng)、智能座艙
2025-05-22 16:26:42598 
深圳帝歐電子求購內(nèi)存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡，舊卡，拆機卡都有收，價高同行回收三星內(nèi)存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF卡、東芝TF卡
2025-05-21 17:48:25
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class="flag-6" style="color: red">三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋排線。
回收三星S系列指紋排線，回收指紋模組，回收三星
2025-05-19 10:05:30
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價20%? 存儲器價格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111204 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時鐘輸入，時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
。 該器件包含一個高速運算放大器，可提供出色的負載響應(yīng) 瞬 變。輸出級可防止擊穿，同時提供 1.5A 連續(xù)電流和 根據(jù) DDR-SDRAM 端接的要求，應(yīng)用中的瞬態(tài)峰值高達 3A。LP2996A 包含 V~意義~引腳提供出色的負載調(diào)節(jié)和 V~裁判~輸出作為芯片組和 DIMM 的參考。
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
1. 傳ASML 取消與三星合作的半導(dǎo)體研究設(shè)施，轉(zhuǎn)而尋求替代方案 ? 2023年末，三星與ASML簽署了一項價值1萬億韓元的協(xié)議，雙方將在韓國京畿道東灘投資建設(shè)半導(dǎo)體芯片研究設(shè)施，并在那里共同努力
2025-04-22 11:06:001488 ：LS2K0300-I
主頻：1GHZ
3、512MB DDR4、4GB pSLC EMMC FLASH
4、1個調(diào)試串口、9個通用串口
5、4個CAN FD
6、2個1000Mbps以太網(wǎng)
7、LCD
2025-04-19 18:10:47
較為激進的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
在全球科技競爭加劇、國產(chǎn)替代加速推進的背景下，紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實現(xiàn)突破，推動國產(chǎn)存儲芯片向高端市場邁進。作為其核心代理商，貞光科技在市場推廣
2025-04-16 16:39:301342 SamMobile報道稱；三星半導(dǎo)體研發(fā)部門延長工時的申請獲得勞動部京畿道分支機構(gòu)的批準(zhǔn)。韓國政府允許三星半導(dǎo)體研發(fā)部門的員工每周工作最長 64 小時，具體來說，在前三個月每周工作最長 64 小時，隨后三個月每周最長 60 小時， 三星成為首家獲準(zhǔn)延長工時
2025-04-16 11:20:32799 ，滿足專業(yè)級多媒體需求，最多支持雙MIPI DSI屏幕+HDMI屏幕+全功能Type-C DP輸出，多場景顯示隨心切換。
接口豐富，擴展無憂QuarkPi-CA2卡片電腦板載LPDDR4X內(nèi)存（4GB
2025-04-11 16:03:36
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
次公開了?SF1.4（1.4nm?級別）工藝，原預(yù)計?2027?年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時的說法，SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個增加到?4?個，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-23 11:17:401827 次公開了 SF1.4（1.4nm 級別）工藝，原預(yù)計 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時的說法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個增加到 4 個，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-22 00:02:002462 燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，2nm工藝制程的手機處理器已有多家手機處理器廠商密切規(guī)劃中，無論是臺積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺
2025-03-14 00:14:002486 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點（SF4X）進行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
三星半導(dǎo)體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設(shè)計用以保護移動設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。 據(jù)悉，三星
2025-02-26 15:23:282481 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803 DSI TX接口支持2560x1600@60fps，TTL/并行RGB接口支持1280x800@60fps；
存儲擴展：內(nèi)置DDR3/L內(nèi)存（16位，2133Mbps），支持eMMC 5.0
2025-02-20 14:11:52
特點4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應(yīng)的相關(guān)事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38978 100Pro+開發(fā)板（型號：MES2L676-100HP）采用紫光同創(chuàng)28nm工藝Logos2系列PG2L100H-6IFBG676, 擁有100k等效LUT4，DDR3數(shù)據(jù)交互時鐘頻率最高到533MHz，2
2025-02-17 16:33:20
據(jù)韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設(shè)計進行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511336 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計算需求而設(shè)計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
高性能的 DDR5 SDRAM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，工作頻率為 PC4800。這款內(nèi)存條由三星（Samsung）生產(chǎn)，專為滿足現(xiàn)代計算需求而設(shè)計，適用
2025-02-10 07:44:13
全球工業(yè)級嵌入式存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技，近期正式推出了其最新的工業(yè)級DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內(nèi)存產(chǎn)品，為高性能運算(HPC)領(lǐng)域注入了新的活力。 這兩款內(nèi)存
2025-02-08 10:20:131039 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 近日，據(jù)報道，蘋果已經(jīng)正式啟動了M5系列芯片的量產(chǎn)工作。這款備受期待的芯片預(yù)計將在今年下半年面世，并有望由iPad Pro首發(fā)搭載。 蘋果M5系列芯片的一大亮點在于其采用了臺積電最新一代的3nm制程
2025-02-06 14:17:461310 據(jù)外媒報道，芯片巨頭Arm計劃大幅度提高授權(quán)許可費用，漲幅最高可達300%。這一消息對三星Exynos芯片的未來發(fā)展構(gòu)成了嚴峻挑戰(zhàn)。
2025-01-23 16:17:48770 DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn)，已決定在2024年底對現(xiàn)有的1b nm工藝進行改進，并從頭開始設(shè)計新版1b nm DRAM。然而，三星電子現(xiàn)在對此表示否認，強調(diào)其并未有重新設(shè)計1b DRAM的計劃。 盡管三星電子否認了重新設(shè)計的傳聞，但不可否認的是，其12nm級DRAM產(chǎn)品確實面
2025-01-23 15:05:11921 工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減，但三星在這兩大工廠的項目推進上并未止步。 平澤P2工廠方面，三星計劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先進的2nm工藝，以進一步提升其半導(dǎo)體制造技術(shù)的競爭力。這一舉措顯示出三星在高端工藝領(lǐng)域的堅定布局和持續(xù)
2025-01-23 11:32:151081 據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 據(jù)韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達到結(jié)束開發(fā)工作、順利進入量產(chǎn)階段的要求。然而，實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 (High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結(jié)束開發(fā)工作并進入量產(chǎn)階段所必需的水平
2025-01-22 14:27:241107 近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計新版1b
2025-01-22 14:04:071408 SF4X制程即4HPC，是4nm系列節(jié)點演進新一步，主要面向AI/HPC所需芯片。Blue Cheetah在三星SF4X上制得的D2D PHY支持高級2.5D和標(biāo)準(zhǔn)2D芯粒封裝，總吞吐量突破100Tbps
2025-01-22 11:30:15962 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)相關(guān)媒體報道，臺積電拒絕為三星Exynos處理器提供代工服務(wù)，理由是臺積電害怕通過最先進的工藝代工三星Exynos處理器可能會導(dǎo)致泄密，讓三星了解如何提升最先
2025-01-20 08:44:003449 
近日，有關(guān)三星考慮委托臺積電量產(chǎn)其Exynos芯片的消息引起了廣泛關(guān)注。據(jù)悉，這一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平臺上發(fā)布。該博主在推文中透露，三星正在尋求
2025-01-17 14:15:52887 RISC-V 專業(yè)網(wǎng)絡(luò)通信處理器
得益于矽昌NPU，可以達到企業(yè)級?關(guān)級別數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)處理能?。
512MB DDR3內(nèi)存
1 x 2.5GbE ??和 5 x 千兆??
128 MB SPI NAND
2025-01-15 17:03:48
近日，韓媒The Elec發(fā)布了一篇博文，披露了三星在智能手機領(lǐng)域的一項新動向。據(jù)該報道，三星計劃在2025年第2季度正式量產(chǎn)其首款三折疊手機，這一創(chuàng)新產(chǎn)品預(yù)計將在市場上引發(fā)廣泛關(guān)注。 報道進一步
2025-01-15 15:42:501274 ? ? ? ? 該平臺是由16nm工藝的的Kintex UltraScale+系列主器件XCKU15P構(gòu)建的一款加速卡平臺，支持 PCIE Gen3x16 模式，支持 2組 72-bit DDR4
2025-01-15 10:11:541110 
億元人民幣)的激勵資金。 該工廠預(yù)計將于2026年全面投入大規(guī)模芯片生產(chǎn)，主要生產(chǎn)2納米和3納米工藝的先進芯片。三星方面表示，他們計劃在2026年初引入所有必要的生產(chǎn)設(shè)備，并在年底前正式啟動量產(chǎn)，以期在這一關(guān)鍵領(lǐng)域與全球領(lǐng)先的芯片制造
2025-01-14 13:55:41930 率和質(zhì)量可媲美臺灣產(chǎn)區(qū)。 此外；臺積電還將在亞利桑那州二廠生產(chǎn)領(lǐng)先全球的2納米制程技術(shù)，預(yù)計生產(chǎn)時間是2028年。 臺積電4nm芯片量產(chǎn)標(biāo)志著臺積電在美國市場的進一步拓展，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 ?
2025-01-13 15:18:141453
1GB DDR3
8GB eMMC
-40℃~+85℃
開發(fā)板配置型號
產(chǎn)品型號主芯片內(nèi)存存儲器工作溫度
MYD-YM90G -8E1D-100-I
DR1M90GEG484
1GB DDR3
8GB
2025-01-10 14:32:38
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