電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）2025年下半年，存儲(chǔ)芯片、封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的上市進(jìn)程明顯加速。不僅有跨界、還有行業(yè)巨頭IPO，以及存儲(chǔ)廠商重啟IPO等等。電子發(fā)燒友網(wǎng)對(duì)近期存儲(chǔ)企業(yè)相關(guān)上市動(dòng)向進(jìn)行了
2025-10-27 09:07:44
6364 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）2024年國(guó)內(nèi)上市存儲(chǔ)芯片廠商的業(yè)績(jī)情況相繼公布，各家廠商呈現(xiàn)大幅增長(zhǎng)、扭虧為盈或處于虧損的狀況，表現(xiàn)不一。由于今年以來(lái)，DeepSeek對(duì)AI推理的應(yīng)用落地起到了極大
2025-02-17 09:14:092057 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年末，存儲(chǔ)行業(yè)超級(jí)周期熱潮下，一則技術(shù)動(dòng)態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:004508 2025年是全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)極具里程碑意義的一年。AI技術(shù)“以存代算”路線的興起引發(fā)結(jié)構(gòu)性需求爆發(fā)，疊加國(guó)際巨頭產(chǎn)能戰(zhàn)略調(diào)整與供應(yīng)鏈政策變化，行業(yè)徹底告別此前的低迷周期，邁入“超級(jí)漲價(jià)周期”。同時(shí)
2025-12-31 08:20:03712 
三星陶瓷電容的電壓系數(shù)對(duì)其性能有顯著影響，主要體現(xiàn)在電容值穩(wěn)定性、電路性能、可靠性及設(shè)計(jì)適配性等方面，具體分析如下： 一、電壓系數(shù)對(duì)電容值穩(wěn)定性的影響 三星陶瓷電容的電壓系數(shù)描述了其電容值隨外加電壓
2025-12-29 16:18:3262 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首款2nm芯片，更是全球首款采用2納米（2nm）全環(huán)繞柵極（GAA）工藝制造的智能手機(jī)系統(tǒng)
2025-12-25 08:56:008274 
如果你現(xiàn)在正面臨三星、美光存儲(chǔ)芯片缺貨的問(wèn)題,不妨考慮下紫光國(guó)芯的產(chǎn)品。我們可以提供樣品測(cè)試、技術(shù)支持、批量供貨的全流程服務(wù)。具體產(chǎn)品選型、價(jià)格報(bào)價(jià)、交期確認(rèn),歡迎聯(lián)系咨詢貞光科技。海外大廠為什么會(huì)
2025-12-16 14:34:16434 
2025年12月2日，三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold，進(jìn)一步鞏固了三星在移動(dòng)AI時(shí)代中針對(duì)形態(tài)創(chuàng)新的行業(yè)優(yōu)勢(shì)。
2025-12-03 17:46:221329 現(xiàn)在“有錢(qián)也買(mǎi)不到存儲(chǔ)芯片”，當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片正遭遇嚴(yán)峻的供需失衡——AI、云端數(shù)據(jù)中心與高速運(yùn)算（HPC）需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，疊加原廠產(chǎn)能調(diào)整（部分NANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)至毛利更高的DRAM）、新增
2025-11-26 11:34:321486 
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341115 智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和端側(cè)AI應(yīng)用快速發(fā)展，PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，正成為越來(lái)越多嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)選方案，如何選擇一個(gè)高性能、小尺寸與低功耗的psram芯片是一個(gè)值得思考的問(wèn)題。由EMI自主研發(fā)
2025-11-18 17:24:35255 01產(chǎn)業(yè)鏈全景圖02存儲(chǔ)芯片定義存儲(chǔ)芯片也叫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是電子設(shè)備里負(fù)責(zé)存數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)的關(guān)鍵零件。半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有四大類(lèi)：分立器件、光電器件、傳感器、集成電路。像存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片、微處理芯片這些
2025-11-17 16:35:402721 
三星0201貼片電容憑借0.50mm×0.25mm的極致尺寸(部分批次為0.6mm×0.3mm)，在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能集成，成為推動(dòng)電子設(shè)備小型化與功能升級(jí)的關(guān)鍵元件。 0201三星貼片電容的優(yōu)勢(shì)
2025-11-12 15:10:23320 
2025年10月，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)再度迎來(lái)一波凌厲漲勢(shì)。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，DDR516G、DDR416Gb等產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)；更引人矚目的是，三星、SK海力士等巨頭已正式宣布，第四季度DRAM合同價(jià)最高
2025-11-11 11:04:13597 
三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片荒，雖攪動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)，但對(duì) PCB 行業(yè)的影響卻遠(yuǎn)小于預(yù)期。這場(chǎng) “無(wú)關(guān)聯(lián)” 的核心，并非 PCB 行業(yè)抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)，而是 PCB 的需求結(jié)構(gòu)與存儲(chǔ)芯片
2025-11-08 16:17:001005 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的供應(yīng)鏈焦慮，正加速國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能擴(kuò)張 —— 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合肥新晶圓廠已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，2026 年一季度將實(shí)現(xiàn) 30 萬(wàn)片 / 月的 DDR5 晶圓產(chǎn)能，全球
2025-11-08 16:15:571682 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)的背后，是存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù)，其核心驅(qū)動(dòng)力，仍是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片封裝環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。
2025-11-08 16:15:011156 三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片短期缺貨，正被市場(chǎng)過(guò)度解讀為 “將沖擊 PCB 行業(yè)”，但從產(chǎn)業(yè)邏輯來(lái)看，這種短期波動(dòng)難以對(duì) PCB 行業(yè)造成實(shí)質(zhì)影響。核心原因在于，PCB 行業(yè)的運(yùn)行
2025-11-08 16:12:12894 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 三星、美光暫停 DDR5 合約報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片荒，正通過(guò) AI 服務(wù)器需求鏈，悄然傳導(dǎo)至 PCB 行業(yè)。這場(chǎng)關(guān)聯(lián)的核心，并非簡(jiǎn)單的 “芯片漲價(jià)帶動(dòng) PCB 漲價(jià)”，而是 AI 服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)芯片
2025-11-05 10:29:56561 2025年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告 存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分，涵蓋動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存兩大核心領(lǐng)域。在人工智能（AI）、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)
2025-10-27 08:54:334764 、能耗、性能和可靠性方面面臨日益嚴(yán)格的要求。今天，我們將從設(shè)計(jì)到出廠的全流程切入，深入剖析存儲(chǔ)芯片（如 DRAM、NAND Flash）制造的制程原理、關(guān)鍵技術(shù)與挑戰(zhàn)。 一、設(shè)計(jì)階段：從概念到版圖 # 1. 架構(gòu)與工藝節(jié)點(diǎn)選擇 DRAM ：以 1T1
2025-10-24 08:42:00846 設(shè)立全資子公司上海大為捷敏技術(shù)有限公司。 ? 大為捷敏將聚焦發(fā)展高性能存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品及解決方案，深化與本地及全球企業(yè)的技術(shù)合作；充分運(yùn)用上海市集成電路專(zhuān)項(xiàng)政策，加速技術(shù)研發(fā)與成果轉(zhuǎn)化，提升公司半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的綜合
2025-10-17 09:15:583733 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 全球存儲(chǔ)市場(chǎng)正掀起一場(chǎng)前所未有的漲價(jià)風(fēng)暴。全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子近日宣布，旗下DRAM和NAND閃存產(chǎn)品價(jià)格全線上調(diào)，部分型號(hào)漲幅高達(dá)30%，猶如一顆巨石投入平靜
2025-09-24 08:45:004365 產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）委托的“后5G信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施增強(qiáng)研發(fā)項(xiàng)目（JPNP20017）”的框架內(nèi)完成。新閃存模塊擁有5TB大容量和64GB/s高帶寬。 ? 在后5G/6G時(shí)代，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)有望實(shí)現(xiàn)更高速度、更低延遲以及同時(shí)連接更多設(shè)備的能力。然而，將數(shù)據(jù)傳輸?shù)竭h(yuǎn)程
2025-09-20 02:00:001611 
AI眼鏡等AI終端領(lǐng)域應(yīng)用產(chǎn)品：ePOP嵌入式存儲(chǔ)芯片，擁有多容量組合，如8GB+8Gb、32GB+16Gb、32GB+32Gb、64GB+16Gb、64GB +32Gb，產(chǎn)品通過(guò)了主流平臺(tái)認(rèn)證
2025-08-28 10:01:4831106 
新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)委托的“后5G信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施增強(qiáng)研發(fā)項(xiàng)目(JPNP20017)”框架內(nèi)取得的。這款存儲(chǔ)模塊具備5太字節(jié)(TB)的大容量和64吉字節(jié)每秒(GB/s)的高帶寬。
2025-08-26 17:50:26784 近日，曙光存儲(chǔ)支持西湖大學(xué)高性能計(jì)算中心部署完成全新存儲(chǔ)系統(tǒng)，為AI研發(fā)、科學(xué)計(jì)算和信息化平臺(tái)等提供存力支持。性能實(shí)測(cè)顯示，該系統(tǒng)單節(jié)點(diǎn)帶寬可達(dá)150GB/s，是國(guó)際友商的近4倍，充分滿足AI科研需求，超額完成交付目標(biāo)。
2025-08-25 11:48:561066 三星手機(jī)無(wú)線充電器搭載美芯晟無(wú)線充電發(fā)射端芯片MT5820
2025-08-22 15:55:204932 
給大家?guī)?lái)三星的最新消息： 三星將在美國(guó)工廠為蘋(píng)果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋(píng)果公司的下一代芯片。而蘋(píng)果公司在新聞稿中也印證了這個(gè)一消息，在新聞稿中
2025-08-07 16:24:081288 我們來(lái)看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階段，計(jì)劃在今年10月完成基于HPB（High
2025-07-31 19:47:071591 成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開(kāi)始引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措無(wú)疑將在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景：HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16630 
在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備爆發(fā)式增長(zhǎng)、工業(yè)4.0與汽車(chē)智能化加速的當(dāng)下，嵌入式存儲(chǔ)芯片正面臨前所未有的性能與可靠性挑戰(zhàn)。憑借鎧俠（KIOXIA）全球領(lǐng)先的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)與SMI（慧榮
2025-07-22 09:11:082024 SSD2351芯片：高性能存儲(chǔ)控制器的技術(shù)解析** ? SSD2351是一款由行業(yè)領(lǐng)先廠商推出的高性能固態(tài)硬盤(pán)（SSD）主控芯片，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心、企業(yè)存儲(chǔ)和高性能計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)
2025-07-15 14:50:20455 中擴(kuò)展 Cadence存儲(chǔ)器與接口 IP 解決方案的應(yīng)用范圍。為深化持續(xù)的技術(shù)合作，雙方將利用 Cadence AI 驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)解決方案，結(jié)合三星先進(jìn)的 SF4X、SF4U 和 SF2P 工藝節(jié)點(diǎn)，為
2025-07-10 16:44:04918
CW32L052R8T6
CW32L031F8P6
CW32L031F8U6
CW32L031K8V6
CW32L031K8U6
無(wú)線射頻系列
CW32R031C8U6
CW32W031R8U6
存儲(chǔ)芯片
2025-07-09 17:11:11
凈利潤(rùn)下滑。 在全球智能手機(jī)市場(chǎng)，三星是手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)品牌，也是存儲(chǔ)芯片大廠。但是在AI服務(wù)器的HBM市場(chǎng)，三星落后于韓國(guó)SK海力士和美光科技。 Futurum統(tǒng)計(jì)，全球?qū)BM的需求中，英偉達(dá)占比高達(dá)七成，三星遲遲沒(méi)有拿到英偉達(dá)的認(rèn)證，對(duì)近期的財(cái)報(bào)不利。
2025-07-09 00:19:007637 給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊： 三星電子Q2利潤(rùn)預(yù)計(jì)重挫39% 由于三星向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片延遲，三星預(yù)計(jì)將公布4-6月?tīng)I(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.3萬(wàn)億韓元（約46.2億美元；三星電子打算在周二公布初步的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)
2025-07-07 14:55:29587 創(chuàng)新成立于2005年，在專(zhuān)用型存儲(chǔ)芯片行業(yè)已有二十年，MCU領(lǐng)域十四年，已成為中國(guó)內(nèi)地專(zhuān)用型存儲(chǔ)芯片和MCU領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。如今，公司已經(jīng)構(gòu)建了專(zhuān)用型存儲(chǔ)芯片、MCU、模擬芯片及傳感器芯片四大板塊的業(yè)務(wù)。 ? 根據(jù)弗若斯特沙利文的報(bào)告，以20
2025-06-25 00:09:007005 
, Parallel
XIP：指代碼可以直接在芯片上執(zhí)行，無(wú)需先加載到RAM。
5. 行業(yè)現(xiàn)狀與趨勢(shì)
市場(chǎng)格局：
DRAM：高度集中，被 三星、SK海力士、美光 三大巨頭壟斷。
NAND Flash
2025-06-24 09:09:39
貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車(chē)規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商，現(xiàn)已成為紫光國(guó)芯存儲(chǔ)芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵時(shí)期，這一合作為推動(dòng)DRAM等關(guān)鍵器件的國(guó)產(chǎn)替代開(kāi)辟了新的渠道。紫光國(guó)芯在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298 
與處理器的協(xié)同設(shè)計(jì)”，并致力于“增強(qiáng)芯片的安全性能與實(shí)時(shí)處理能力”。三星據(jù)稱正在為該領(lǐng)域開(kāi)發(fā)高集成度的 SoC 方案，以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的能效比。 三星和英飛凌、恩智浦這兩家公司之間已有深厚聯(lián)系，幾年前市場(chǎng)曾一度傳言三星可能會(huì)收購(gòu)英飛凌 / 恩智浦，但這些并購(gòu)項(xiàng)目最終
2025-06-09 18:28:31879 QPI。SDR（單倍數(shù)據(jù)率） 操作，時(shí)鐘頻率最高達(dá) 133MHz（32字節(jié)回環(huán)突發(fā)模式，VDD=3.0V±10%）。容量與組織64Mb（8M × 8位） 存儲(chǔ)空
2025-06-06 15:01:36
劃片機(jī)（DicingSaw）在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個(gè)芯片（Die），這一過(guò)程在內(nèi)存儲(chǔ)存卡（如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等）的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機(jī)在存儲(chǔ)芯片制造中的關(guān)鍵
2025-06-03 18:11:11843 
北京貞光科技作為三星電機(jī)一級(jí)代理商，提供全面升級(jí)的技術(shù)支持、樣品供應(yīng)和供應(yīng)鏈保障服務(wù)，為客戶提供專(zhuān)業(yè)、可靠的一站式解決方案。如需更多產(chǎn)品信息或技術(shù)支持，請(qǐng)聯(lián)系貞光科技隨著汽車(chē)智能化發(fā)展，ADAS
2025-05-27 16:35:23518 
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專(zhuān)業(yè)求購(gòu)指紋排線。
回收三星S系列指紋排線，回收指紋模組，回收三星
2025-05-19 10:05:30
集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域。其中，芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門(mén)檻最高的行業(yè)，目前在高端芯片的制造上也只剩下臺(tái)積電（TSMC）、三星（SAMSUNG）和英特爾（Intel）三家了。
2025-05-15 16:50:181521 
在全球供應(yīng)鏈緊張和國(guó)產(chǎn)替代需求推動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，形成設(shè)計(jì)到封測(cè)一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲(chǔ)等六大上市公司在NOR/NANDFlash
2025-05-12 16:01:114743 
電路或系統(tǒng)對(duì)電容的具體要求，包括電容值、額定電壓、工作溫度和頻率等。電容值決定了電容的存儲(chǔ)電荷能力，而額定電壓則決定了電容在正常工作條件下能夠承受的最大電壓。 選擇封裝尺寸：三星貼片電容按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)，提供了
2025-05-07 14:24:43650 Nordic nRF52832 集成 64MHz 的 32 位 Arm?Cortex?M4處理器，運(yùn)算能力強(qiáng)。MKDV2GIL-AST 2Gb SLC SD NAND存儲(chǔ)芯片在低功耗、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠
2025-05-06 14:55:022292 
受一些智能終端消費(fèi)者和企業(yè)客戶因?yàn)閾?dān)憂美國(guó)關(guān)稅而提前采購(gòu)三星智能手機(jī)和通用芯片的影響，三星電子Q1營(yíng)業(yè)利潤(rùn)小幅增長(zhǎng)；三星電子在2025年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到6.7萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)1.5%，高于
2025-04-30 15:34:33637 在智能電網(wǎng)建設(shè)不斷推進(jìn)的當(dāng)下，三相電表作為電力數(shù)據(jù)采集與監(jiān)測(cè)的關(guān)鍵設(shè)備，其性能優(yōu)劣直接影響電力系統(tǒng)的高效運(yùn)行。而其中的存儲(chǔ)芯片，就如同三相電表的 “記憶中樞”，至關(guān)重要。鈞敏科技深刻洞察行業(yè)需求，主推普冉的一系列 EEPROM/FLASH 產(chǎn)品，為三相電表領(lǐng)域帶來(lái)了卓越解決方案。
2025-04-21 15:09:401108 較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
SamMobile報(bào)道稱；三星半導(dǎo)體研發(fā)部門(mén)延長(zhǎng)工時(shí)的申請(qǐng)獲得勞動(dòng)部京畿道分支機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)。韓國(guó)政府允許三星半導(dǎo)體研發(fā)部門(mén)的員工每周工作最長(zhǎng) 64 小時(shí)，具體來(lái)說(shuō)，在前三個(gè)月每周工作最長(zhǎng) 64 小時(shí)，隨后三個(gè)月每周最長(zhǎng) 60 小時(shí)， 三星成為首家獲準(zhǔn)延長(zhǎng)工時(shí)
2025-04-16 11:20:32799 在人工智能技術(shù)飛速發(fā)展的2025年，AI眼鏡正從科幻概念走向現(xiàn)實(shí)生活。而這一進(jìn)程中，國(guó)產(chǎn)大模型DeepSeek與存儲(chǔ)芯片技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新，正在為智能眼鏡的智能化、輕量化與實(shí)用化注入新動(dòng)能。本文將從技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)與未來(lái)趨勢(shì)三個(gè)維度，解析這三者的深度關(guān)聯(lián)。
2025-04-14 09:44:461263 /8GB/16GB）與eMMC存儲(chǔ)（32GB/64GB/128GB），支持TF卡擴(kuò)展，滿足不同存儲(chǔ)需求；集成千兆以太網(wǎng)和M.2 WIFI接口（兼容正點(diǎn)原子店鋪在售的RTL8852BE PCIE WIFI
2025-04-11 16:03:36
在電子制造與維修領(lǐng)域，三星貼片電容憑借其高性能和穩(wěn)定性廣泛應(yīng)用。然而，其微小的封裝尺寸(如0603、0402)給批次號(hào)讀取帶來(lái)挑戰(zhàn)。本文將從 標(biāo)識(shí)位置、編碼規(guī)則、查看工具 三大維度，系統(tǒng)解析如何高效
2025-04-11 14:28:481345 
對(duì)于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國(guó)業(yè)務(wù)，三星下場(chǎng)辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號(hào)發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國(guó)部分公司新項(xiàng)目合作”的說(shuō)法屬誤傳，三星仍在正常開(kāi)展與這些公司的合作。 而且有媒體報(bào)道稱瑞芯微公司等合作客戶也表示與三星的相關(guān)工作在正常推進(jìn)。
2025-04-10 18:55:33770 安卓主板以僅 43mm × 57.5mm 的精巧設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了高性能與豐富功能的完美平衡。它基于聯(lián)發(fā)科四核或八核芯片研發(fā)，采用先進(jìn)的 12nm 制程工藝，搭載 64 位 A53 架構(gòu) CPU，主頻高達(dá)
2025-04-02 20:14:101304 
貼片式SD卡存儲(chǔ)解決方案，通過(guò)硬件與軟件的深度協(xié)同，全面提升了動(dòng)態(tài)心電圖設(shè)備的性能。
1）大容量存儲(chǔ)，滿足數(shù)據(jù)需求
MKDV08GCL-STPA存儲(chǔ)芯片提供了8Gb的存儲(chǔ)容量，能夠輕松應(yīng)對(duì)動(dòng)態(tài)心電圖設(shè)備
2025-03-27 10:56:02
貞光科技作為紫光國(guó)芯官方授權(quán)代理商，提供高性能存儲(chǔ)芯片解決方案。紫光國(guó)芯DDR4/DDR5內(nèi)存、SSD及嵌入式DRAM產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、工業(yè)控制及智能終端領(lǐng)域，支持國(guó)產(chǎn)化替代。貞光科技依托原廠技術(shù)團(tuán)隊(duì)，為客戶提供選型支持、定制化服務(wù)及快速交付，助力企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型。
2025-03-25 15:44:551599 
次公開(kāi)了?SF1.4（1.4nm?級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法，SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?4?個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-23 11:17:401827 次公開(kāi)了 SF1.4（1.4nm 級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-22 00:02:002462 在現(xiàn)代電子制造業(yè)中，貼片電容作為電子元件的重要組成部分，其封裝形式與體積大小對(duì)于電路板的布局、性能及生產(chǎn)效率具有重要影響。三星作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商，其貼片電容產(chǎn)品系列豐富，封裝多樣，滿足了
2025-03-20 15:44:591928 
數(shù)量至少4核以上，根據(jù)網(wǎng)站負(fù)載可擴(kuò)展至更多核心。 內(nèi)存：至少需要32GB RAM，對(duì)于大型網(wǎng)站可能需要64GB或更多。內(nèi)存越大，服務(wù)器能夠同時(shí)處理的請(qǐng)求越多，性能也越好。 存儲(chǔ)：使用固態(tài)硬盤(pán)（SSD）或NVMe驅(qū)動(dòng)器，以提供高速的讀寫(xiě)能力。同時(shí)，建議使用RAID配置來(lái)提
2025-03-17 16:43:321164 )O?(PZT)或改良的復(fù)合陶瓷系統(tǒng)。這些材料在電場(chǎng)作用下能儲(chǔ)存大量電荷，從而實(shí)現(xiàn)高電容密度。 先進(jìn)的粉末制備工藝：三星通過(guò)先進(jìn)的粉末制備工藝，生產(chǎn)出粒徑小且分布均勻的陶瓷粉體。這種粉體有助于提高電容器的性能和穩(wěn)定性，使得三星的MLCC在電容密度和
2025-03-13 15:09:061044 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 性鐵電存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關(guān)鍵因素。以下是對(duì)三星電容耐壓與容量的詳細(xì)分析，以及如何根據(jù)電路需求進(jìn)行選擇的方法： 一、三星電容的耐壓值識(shí)別與選擇 1、耐壓值的概念 ：電容長(zhǎng)期可靠地工作
2025-03-03 15:12:57975 
鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 
三星半導(dǎo)體部門(mén)宣布已成功開(kāi)發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用以保護(hù)移動(dòng)設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計(jì)算可能帶來(lái)的安全威脅。 據(jù)悉，三星
2025-02-26 15:23:282481 9100 PRO是三星電子在消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線的新成員。通過(guò)PCIe?5.0接口，9100 PRO可增強(qiáng)多任務(wù)處理的性能和工作效率，具有廣泛的兼容性，從而提升筆記本電腦、游戲電腦和游戲主機(jī)的消費(fèi)者
2025-02-25 17:22:45745 
鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 信德消費(fèi)級(jí) TF 卡有 64GB 大容量，滿足日常數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。讀速 90MB/s ，寫(xiě)速 30MB/s，快速處理各類(lèi)數(shù)據(jù)。比如，傳輸一部 2GB 的高清電影，僅需 20 多秒，大大節(jié)省時(shí)間。
2025-02-24 16:49:08740 
三星Galaxy S25系列作為三星最新一代旗艦智能手機(jī)，憑借其創(chuàng)新的AI技術(shù)、專(zhuān)業(yè)的影像體驗(yàn)和強(qiáng)勁的性能表現(xiàn)，發(fā)布以來(lái)迅速成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。為了回饋廣大用戶，三星在新品上市期間為選購(gòu)Galaxy
2025-02-21 15:57:45707 
其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問(wèn)題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測(cè)，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對(duì)于三星而言
2025-02-18 11:00:38978 MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
，Galaxy S25的12GB RAM+256GB存儲(chǔ)空間版本售價(jià)為5999元，而12GB RAM+512GB存儲(chǔ)空間版本則售價(jià)為6999元。對(duì)于追求更高性能的消費(fèi)者
2025-02-12 11:23:391249 高性能的 DDR5 SDRAM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，工作頻率為 PC4800。這款內(nèi)存條由三星（Samsung）生產(chǎn)，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)，適用
2025-02-10 07:44:13
三星電容之所以在全球市場(chǎng)中處于領(lǐng)先地位，主要得益于其在多層陶瓷電容器(MLCC)領(lǐng)域的卓越技術(shù)實(shí)力。三星在MLCC電容的核心技術(shù)方面擁有多項(xiàng)創(chuàng)新，這些技術(shù)不僅提升了產(chǎn)品的性能，還確保了其在全球
2025-02-08 15:52:321005 慧榮科技憑借其深厚的技術(shù)積累和創(chuàng)新精神，推出了企業(yè)級(jí)主控芯片SM8366，這一舉動(dòng)無(wú)疑為企業(yè)級(jí)SSD存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)注入了新的活力，慧榮科技此次推出的企業(yè)級(jí)主控芯片SM8366，在性能提升和功能優(yōu)化方面
2025-02-07 13:28:111069 
——7.05萬(wàn)億韓元，顯示出三星電子在經(jīng)營(yíng)和盈利能力上的穩(wěn)健。 在資本支出方面，三星電子在2024年的總支出為53.6萬(wàn)億韓元，其中芯片資本支出占據(jù)了大部分，達(dá)到了46.3萬(wàn)億韓元。這一大手筆的投資不僅彰顯了三星電子對(duì)于芯片業(yè)務(wù)的重視，也反映出其在半導(dǎo)體
2025-02-05 14:56:10811 據(jù)外媒報(bào)道，芯片巨頭Arm計(jì)劃大幅度提高授權(quán)許可費(fèi)用，漲幅最高可達(dá)300%。這一消息對(duì)三星Exynos芯片的未來(lái)發(fā)展構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
2025-01-23 16:17:48770 近期，關(guān)于三星是否能夠?yàn)榻酉聛?lái)的高通驍龍8系列旗艦芯片進(jìn)行代工的消息層出不窮。據(jù)最新爆料顯示，新一代高通驍龍8系列旗艦芯片或將迎來(lái)新的命名——第二代驍龍8至尊版芯片。 這款備受矚目的芯片，其封裝
2025-01-23 14:56:461032 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071408 半導(dǎo)體互聯(lián)IP企業(yè)Blue Cheetah于美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月21日宣布，其新一代BlueLynx D2D裸晶對(duì)裸晶互聯(lián)PHY物理層芯片在三星Foundry的SF4X先進(jìn)制程上成功流片。 三星
2025-01-22 11:30:15962 近期，德明利嵌入式存儲(chǔ)芯片eMMC，通過(guò)主流5G通訊方案商紫光展銳新一代芯片移動(dòng)平臺(tái)的產(chǎn)品認(rèn)證許可，成為德明利首批通過(guò)紫光展銳認(rèn)可并應(yīng)用于其主流5G生態(tài)系統(tǒng)的高端存儲(chǔ)芯片，在5G智能終端、物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域
2025-01-21 16:35:112135 
國(guó)內(nèi)首顆！支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲(chǔ)芯片
2025-01-21 16:33:05914 
三星貼片電容作為電子元件市場(chǎng)中的重要一環(huán)，以其優(yōu)良的性能和多樣的封裝尺寸贏得了廣泛的認(rèn)可。然而，在談及三星貼片電容的包裝時(shí)，很多用戶可能會(huì)對(duì)其最小包裝單位產(chǎn)生疑問(wèn)。本文將詳細(xì)探討三星貼片電容的最小
2025-01-21 16:02:26879 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，臺(tái)積電拒絕為三星Exynos處理器提供代工服務(wù)，理由是臺(tái)積電害怕通過(guò)最先進(jìn)的工藝代工三星Exynos處理器可能會(huì)導(dǎo)致泄密，讓三星了解如何提升最先
2025-01-20 08:44:003449 
近日，有關(guān)三星考慮委托臺(tái)積電量產(chǎn)其Exynos芯片的消息引起了廣泛關(guān)注。據(jù)悉，這一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平臺(tái)上發(fā)布。該博主在推文中透露，三星正在尋求
2025-01-17 14:15:52887 經(jīng)官方正版授權(quán)，此系列卡共推出四種容量規(guī)格，最大容量高達(dá) 1TB，將索尼克的獨(dú)特元素融入三星 microSD 存儲(chǔ)卡上，該卡擁有出色的讀寫(xiě)速度、良好的耐用性能以及廣泛的設(shè)備兼容性。 ? 近日，三星
2025-01-13 17:56:35710 
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，對(duì)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的需求日益增長(zhǎng)。在此背景下，美光科技宣布將在新加坡投資70億美元，擴(kuò)建其制造業(yè)務(wù)，以滿足市場(chǎng)需求。 周三，美光科技在新加坡的新工廠正式破土動(dòng)工。據(jù)悉，該工廠
2025-01-09 11:34:431465 介紹三星貼片電容選型的幾大關(guān)鍵因素。 一、明確需求 在選型之前，首先需要明確電路或系統(tǒng)對(duì)電容的具體要求，包括電容值、額定電壓、工作溫度和頻率等。這些參數(shù)將直接影響電容的選擇和性能表現(xiàn)。例如，電容值決定了電容的
2025-01-08 14:26:59806
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論