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      NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

      數(shù)據(jù)：

      NXH80B120H2Q0SG是一款功率集成模塊（PIM），包含一個(gè)雙升壓級，由兩個(gè)40A / 1200V IGBT，兩個(gè)15A / 1200V SiC二極管和兩個(gè)用于IGBT的25A / 1600V反并聯(lián)二極管組成。另外還包括兩個(gè)用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個(gè)板載熱敏電阻。
      特性 優(yōu)勢
      • IGBT規(guī)格：VCE（SAT）= 2.2 V，ESW = 2180 uJ
      • 具有低VCE（SAT）的快速IGBT以實(shí)現(xiàn)高效率
      • 25 A / 1600 V旁路和反并聯(lián)二極管
      • 低VF旁路二極管，在旁路模式下具有出色的效率
      • SiC整流器規(guī)格：VF = 1.4 V
      • 用于高速切換的SiC二極管
      • 可焊接引腳
      • 輕松安裝
      • 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模塊
      • 熱敏電阻
      應(yīng)用 終端產(chǎn)品
      • 太陽能逆變器升壓階段
      • 太陽能逆變器
      • UPS

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關(guān)資料（3）
      元器件購買 NXH80B120H2Q0 相關(guān)庫存

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