NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管
數(shù)據(jù)：
數(shù)據(jù)表：雙升壓電源模塊
NXH100B120H3Q0是一款功率集成模塊（PIM），包含一個雙升壓級，由兩個50A / 1200V IGBT，兩個20A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯(lián)二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。
| 特性 | 優(yōu)勢 |
- IGBT規(guī)格：VCE（SAT）= 1.77 V，ESW = 2200 uJ
| - 具有低VCE（SAT）的快速IGBT以實現(xiàn)高效率
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- 25 A / 1600 V旁路和反并聯(lián)二極管
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- SiC整流器規(guī)格：VF = 1.44 V
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| 應(yīng)用 | 終端產(chǎn)品 |
- MPPT提升階段
- Bat tery Charger Boost Stage
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電路圖、引腳圖和封裝圖
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