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• SGC9395-100B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:50

  

  產(chǎn)品型號(hào)：SGC9395-100B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC9395-100B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

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• SGC9395-50B-R C波段 部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:44

  

  產(chǎn)品型號(hào)：SGC9395-50B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC9395-50B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

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• SGC5259-300B-R C波段 部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:37

  

  產(chǎn)品型號(hào)：SGC5259-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC5259-300B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

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• SGC52589-50B-R C波段 部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:22

  

  產(chǎn)品型號(hào)：SGC52589-50B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC52589-50B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK

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• FSX017LGT 超低噪聲 HEMT2023-12-09 20:19

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FSX017LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSX017LGT 名稱：Small Signal GaAs FET小信號(hào)砷化鎵 FE 產(chǎn)地：日本 封裝：LG*

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• FSX017X GaAs FET 芯片2023-12-09 20:12

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FSX017X 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSX017X 名稱：Small Signal GaAs FET小信號(hào)砷化鎵 FE 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• FSU01LGT 通用 GaAs FET2023-12-09 20:04

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FSU01LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSU01LGT 名稱：Small Signal GaAs FET小信號(hào)砷化鎵 FE 產(chǎn)地：日本 封裝：LG*

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• FSU02LGT 通用 GaAs FET2023-12-09 19:56

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FSU02LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSU02LGT 名稱：Small Signal GaAs FET小信號(hào)砷化鎵 FE 產(chǎn)地：日本 封裝：LG*

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• FSU01LG 通用 GaAs FET2023-12-09 19:41

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FSU01LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSU01LG 名稱： Small Signal GaAs FET小信號(hào)砷化鎵 F 產(chǎn)地：日本 封裝：LG*

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• FSX017LG 超低噪聲 HEMT2023-12-09 17:49

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FSX017LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FSX017LG 名稱：Small Signal GaAs FET小信號(hào)砷化鎵 FE 產(chǎn)地：日本 封裝：LG*

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