立年電子科技產(chǎn)品

• FLM7785-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 13:43

  

  產(chǎn)品型號：FLM7785-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM5964-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 13:35

  

  產(chǎn)品型號：FLM5964-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM7785-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 12:15

  

  產(chǎn)品型號：FLM7785-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM7785-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 12:06

  

  產(chǎn)品型號：FLM7785-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM1414-15F X、 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 11:52

  

  產(chǎn)品型號：FLM1414-15F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1414-15F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

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• FLM5964-35F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 11:40

  

  產(chǎn)品型號：FLM5964-35F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-35F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM1415-8F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 11:33

  

  產(chǎn)品型號：FLM1415-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1415-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lA

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• ELM1414-30F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 11:15

  

  產(chǎn)品型號：ELM1414-30F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號 ：ELM1414-30F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：M2A

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• FLL177ME L波段中高功率GaAs FET2023-12-06 11:02

  

  產(chǎn)品型號：FLL177ME 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLL177ME 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：ME

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• FLU10ZME1 L波段中高功率GaAs FET2023-12-06 10:43

  

  產(chǎn)品型號：FLU10ZME1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLU10ZME1 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：ZME

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