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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

8k 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 307 粉絲

ZXTN2007G 低飽和 晶體管

型號(hào): ZXTN2007G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 汽車(chē)
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 30
  • IC (A) 7
  • ICM (A) 20
  • PD (W) 3
  • fT (MHz) 140
  • RCE(sat) ( 28

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN2007G

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTN2007G 這款新型低飽和 30V NPN 晶體管采用 SOT223 封裝,導(dǎo)通狀態(tài)損耗極低,非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅(qū)動(dòng)和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)  是的
合規(guī)性(只有汽車(chē)支持 PPAP) 汽車(chē)
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 30
IC (A) 7
ICM (A) 20
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 100
hFE (@ IC2) (A) 7
VCE(sat) Max (mV) 35
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/20
VCE(sat) (Max.2) (mV) 125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/20
fT (MHz) 140
RCE(sat) (mΩ) 28

 

主要特征
bvco>30伏
IC=7A高連續(xù)電流
ICM=20A峰值脈沖電流
極低飽和電壓
極低等效導(dǎo)通電阻;RCE(SAT)=50m? 在1年
高達(dá)28A的出色hFE特性
完全無(wú)鉛且完全符合RoHS(注1和2)
不含鹵素和銻?!熬G色”裝置(注3)
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

 

相關(guān)型號(hào)
ZXTN19100CG
ZXTN19100CZ
ZXTN2005G
ZXTN2005Z
ZXTN2005ZQ
ZXTN2007G
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ZXTN2010G
ZXTN2010Z
ZXTN2010ZQ
ZXTN2011G
ZXTN2011Z
ZXTN2018F
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ZXTN2031F
ZXTN2038F
ZXTN2040F

 

 

 

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