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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

8k 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 307 粉絲

ZXTN2011Z 低飽和 晶體管

型號(hào): ZXTN2011Z

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 汽車
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 100
  • IC (A) 4.5
  • ICM (A) 10
  • PD (W) 2.1
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 31

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN2011Z 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTN2011Z 這款采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 100V NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗,使其非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅(qū)動(dòng)和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)  是的
合規(guī)性(只有汽車支持 PPAP) 汽車
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 4.5
ICM (A) 10
PD (W) 2.1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 115
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 31

 

主要特征
bvco>100伏
IC=4.5A高連續(xù)電流
ICM=10A峰值脈沖電流
RCE(sat)=31米? 對(duì)于低等效導(dǎo)通電阻
低飽和電壓VCE(sat)<60mV@IC=1A
hFE規(guī)定高達(dá)10A,用于高電流增益保持
無鉛飾面;符合RoHS(注1和2)
不含鹵素和銻?!熬G色”裝置(注3)
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

 

相關(guān)型號(hào)
ZXTN19100CG
ZXTN19100CZ
ZXTN2005G
ZXTN2005Z
ZXTN2005ZQ
ZXTN2007G
ZXTN2007Z
ZXTN2010A
ZXTN2010G
ZXTN2010Z
ZXTN2010ZQ
ZXTN2011G
ZXTN2011Z
ZXTN2018F
ZXTN2018FQ
ZXTN2020F
ZXTN2031F
ZXTN2038F
ZXTN2040F

 

 

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