產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN25012EFH 先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合空間非常寶貴的應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
類別 低飽和晶體管
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 標(biāo)準(zhǔn)
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 12
IC (A) 6
ICM (A) 15
PD (W) 1.25
hFE (Min) 500
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 300
hFE (@ IC2) (A) 4
VCE(sat) Max (mV) 32
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/100
VCE(sat) (Max.2) (mV) 75
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (MHz) 260
RCE(sat) (mΩ) 23
主要特征
高功耗SOT23封裝
高峰值電流
非常高的增益
低飽和電壓
6V反向阻斷電壓
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