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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMG1012UWQ 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMG1012UWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMG1012UWQ
  • 名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT323

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG1012UWQ 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG1012UWQ 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
通用接口交換機(jī)
電源管理功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器
模擬開關(guān)


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMG1012UWQ
名稱            互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝             SOT323


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.95 A
PD @TA = +25°C (W) 0.29 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 60.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
靜電放電保護(hù)


相關(guān)型號(hào)
DMC6070LND
DMC62D2SV
DMC62D2SVQ
DMC67D8UFDBQ
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