--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMG1012UWQ
- 名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 SOT323
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG1012UWQ 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
通用接口交換機(jī)
電源管理功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器
模擬開關(guān)
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMG1012UWQ
名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 SOT323
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.95 A
PD @TA = +25°C (W) 0.29 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 60.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V
主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
靜電放電保護(hù)
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