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在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(VDMOS)憑借其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，成為中高壓功率轉(zhuǎn)換的核心器件。與橫向DMOS不同，VDMOS將源漏電流的方向從表面水平流動(dòng)轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪贝┻^硅片，從根本上解除了耐壓能力與芯片面積的強(qiáng)耦合關(guān)系。

低功耗CMOS集成電路設(shè)計(jì)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心研究方向，其發(fā)展脈絡(luò)與行業(yè)需求緊密交織，自20世紀(jì)70年代CMOS技術(shù)初步應(yīng)用以來，歷經(jīng)半個(gè)世紀(jì)的演進(jìn)，已從早期的特定場景應(yīng)用拓展為全行業(yè)普適性設(shè)計(jì)理念。

微芯片制造作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心支柱，其工藝復(fù)雜性與技術(shù)精密性持續(xù)突破物理極限，正朝著3納米以下制程、三維集成與綠色制造方向加速演進(jìn)。

機(jī)器視覺系統(tǒng)可應(yīng)用于高科技精密材料和半導(dǎo)體的視覺檢測，這些材料是眾多產(chǎn)品中的關(guān)鍵部件。iCore的機(jī)器視覺系統(tǒng)能夠?qū)﹄娐钒逯g不易察覺的微小凹痕或裂紋進(jìn)行精確測量。它還提高了檢測設(shè)備的處理速度，并最大限度地減少了檢測所需的時(shí)間。在半導(dǎo)體與封裝行業(yè)中，TGV（玻璃通孔）技術(shù)正受到越來越多的關(guān)注。TGV是一種采用玻璃基板的高密度互連方法，相較于傳統(tǒng)的PCB，可有

雖然1947年由貝爾實(shí)驗(yàn)室的J.Bardeen、W.H.Brattain和W.Shockley等科學(xué)家發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極型晶體管,而且是在鍺襯底上，但場效應(yīng)器件概念的提出比雙極型器件更早,20世紀(jì)20年代J.Lilienfeld就提出用金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)來制作固態(tài)三極管的專利申請(qǐng)。

非標(biāo)定制直線模組，是針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)模組無法滿足的特殊行程、負(fù)載、精度、速度、安裝空間、工況環(huán)境等需求，進(jìn)行專屬設(shè)計(jì)、定制化生產(chǎn)的線性運(yùn)動(dòng)單元。相比標(biāo)準(zhǔn)模組，它更靈活、更貼合設(shè)備工藝，以下行業(yè)因工藝特殊性、設(shè)備差異化、環(huán)境嚴(yán)苛性，需依賴非標(biāo)定制直線模組：1、3C電子制造?手機(jī)、平板、耳機(jī)等精密電子產(chǎn)品的組裝、點(diǎn)膠、檢測等環(huán)節(jié)，需要高節(jié)拍、高精度的運(yùn)動(dòng)控制。常需定制密

當(dāng)前中國半導(dǎo)體行發(fā)展迅速，隨之半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)也遇到了很多新挑戰(zhàn)，如Si基晶圓的內(nèi)部隱裂、帶膜切割、對(duì)位貼合等。這類型的應(yīng)用中，往往需要穿透硅基進(jìn)行成像?？梢姽庠赐ǔo法穿透Si基材質(zhì)，而短波紅外（大于1100nm）波長的光在Si基材質(zhì)中的透過率較高，故在晶圓檢測設(shè)備中，短波紅外及近紅外的光源被廣泛應(yīng)用。與之相匹配的，鏡頭也需要提高紅外光的透過率，才能得到更好

從傳統(tǒng)到陣列，從ILB到OLB，載帶焊如何在高密度互連的浪潮中突破性能與成本的“雙刃”挑戰(zhàn)，引領(lǐng)芯片封裝技術(shù)的未來？本文為您深度解析。

在這個(gè)萬物互聯(lián)的時(shí)代，你的手機(jī)信號(hào)能夠穩(wěn)定覆蓋數(shù)公里，背后的功臣是一個(gè)你可能從未聽過的核心器件——橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體，簡稱LDMOS。

當(dāng)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體緊密結(jié)合時(shí),就將形成p結(jié)。pn結(jié)具有正反向不對(duì)稱是電性,因此可以用作整流二極管。pn結(jié)普遍用于其他半導(dǎo)體器件和集成電路的隔離、少子注人以及場效應(yīng)器件的源漏等?？梢哉fpn結(jié)是構(gòu)成半導(dǎo)體器件和集成電路的最基本元素pn結(jié)界面也是半導(dǎo)體集成電路制造中最重要的界面之一。本節(jié)將討論 Pn結(jié)的基本特性。