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近日，在2026年九峰山論壇期間，光谷芯材聯(lián)合（武漢）科技有限公司與北京昌龍智芯半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合發(fā)布兩款化合物半導(dǎo)體新品——RF及Power GaN外延片與氧化鎵功率器件（覆蓋650V-3300V超高壓等級），標(biāo)志著我國在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，填補(bǔ)了國內(nèi)在該電壓范圍的空白。

在功率器件選型中，“能用”和“好用”之間，隔著封裝工藝、量產(chǎn)驗(yàn)證和供應(yīng)鏈穩(wěn)定性的三重門檻。許多工程師在項(xiàng)目初期選型時(shí)，往往依賴規(guī)格書參數(shù)或行業(yè)通用型號，但真正進(jìn)入量產(chǎn)階段后才發(fā)現(xiàn)：批次一致性差異、封裝散熱瓶頸、供貨周期波動等問題接踵而至。

威世科技近期推出的16款200V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器，以**薄型DFN6546A封裝+汽車級可靠性**為核心，在商業(yè)、工業(yè)及汽車電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“空間效率”與“能效表現(xiàn)”的雙重突破，重新定義高頻功率轉(zhuǎn)換場景的器件選型標(biāo)準(zhǔn)。

2026年4月，昌龍智芯正式發(fā)布覆蓋650V至3300V電壓等級的氧化鎵功率器件系列，標(biāo)志著我國在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，填補(bǔ)了國內(nèi)在該電壓范圍氧化鎵器件的空白。這一里程碑式成果不僅打破了國外廠商在高壓功率器件市場的長期壟斷，更以“超寬禁帶+高擊穿場強(qiáng)”的雙重技術(shù)優(yōu)勢，為新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G基站等戰(zhàn)略領(lǐng)域提供了更高效、更可靠的國產(chǎn)核心器件選擇，開啟了高壓功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的新紀(jì)元。

在新能源汽車產(chǎn)業(yè)加速向高集成化、高安全性演進(jìn)的背景下，納芯微電子近日宣布推出國內(nèi)首款基于全國產(chǎn)供應(yīng)鏈、通過TüV萊茵認(rèn)證并達(dá)到ISO 26262 ASIL D功能安全等級的隔離柵極驅(qū)動芯片——NSI6911F系列。該產(chǎn)品的問世，標(biāo)志著中國汽車芯片在高壓功率器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從"可用"到"可信"的關(guān)鍵跨越，為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)提供了兼具性能與安全性的國產(chǎn)化解決方案。

在半導(dǎo)體行業(yè)，一個(gè)有趣的對比始終存在：智能手機(jī)的處理器已經(jīng)演進(jìn)到3nm制程，而在同一臺設(shè)備中，負(fù)責(zé)功率轉(zhuǎn)換的MOSFET卻仍然采用30nm甚至更大制程。為什么功率器件不追逐摩爾定律?

進(jìn)入2026年第二季度，儲能產(chǎn)品出口表現(xiàn)依然強(qiáng)勁。無論是大型儲能電站還是便攜式戶外電源，儲能設(shè)備正在從工業(yè)場景逐步走向普通消費(fèi)者的日常生活。這些設(shè)備能夠高效穩(wěn)定運(yùn)行，離不開一類關(guān)鍵元器件：功率器件。在儲能系統(tǒng)內(nèi)部，MOSFET和電阻分別扮演著核心開關(guān)與輔助測量的角色，它們的選型直接關(guān)系到系統(tǒng)的效率、發(fā)熱控制和長期可靠性。

3月30日，中國合格評定國家認(rèn)可委員會（CNAS）正式向無錫中微愛芯電子有限公司（以下簡稱“中微愛芯”）檢測與實(shí)驗(yàn)中心頒發(fā)CNAS實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書（注冊號：CNAS L25597）。CNAS作為國際實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可合作組織（ILAC）、亞太認(rèn)可合作組織（APAC）的互認(rèn)協(xié)議成員，其頒發(fā)的認(rèn)可證書是實(shí)驗(yàn)室技術(shù)能力與管理水平的“國際通行證”。

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）2026年3月，政府工作報(bào)告中，明確提到了要“實(shí)施超大規(guī)模智算集群、算電協(xié)同等新基建工程”，這是算電協(xié)同首次被寫入國家戰(zhàn)略中。而所謂的算電協(xié)同，就是將算力負(fù)荷與電力供給動態(tài)匹配，儲能則是實(shí)現(xiàn)算電協(xié)同的核心硬件。 ? 從功率器件層面來看，算電協(xié)同時(shí)代的核心變革趨勢已明確顯現(xiàn)，即從傳統(tǒng)硅基IGBT向?qū)捊麕О雽?dǎo)體SiC、GaN全面切換，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高頻化、高壓化、高密度化的升級，強(qiáng)化雙向調(diào)節(jié)、構(gòu)網(wǎng)運(yùn)行與

以SiC-MOSFET為代表的新一代功率器件，憑借超越傳統(tǒng)器件的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及高速開關(guān)特性，為顯著提升電力轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化作出貢獻(xiàn)。然而，隨著芯片尺寸縮小，“功率密度（單位面積發(fā)熱量）”的增加不可避免，如何高效的將產(chǎn)生的熱量導(dǎo)入冷卻系統(tǒng)，成為充分釋放器件潛能的關(guān)鍵所在。