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光刻機

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光刻機技術

中國半導體設備現(xiàn)在的狀態(tài)到底是怎么樣的

半導體設備位于整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，在新建晶圓廠中半導體設備支出的占比普遍達到 80%。一條晶圓制造新建產(chǎn)線的資本支出占比如下：廠房 20%、晶圓制造...

2020-01-21 標簽：電子元器件半導體光刻機 7.2k 0

深度探究芯片的光刻技術

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。

2018-12-29 標簽：芯片光刻機 7.2k 0

半導體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖...

2023-12-04 標簽：半導體光刻機半導體制造 6.9k 0

光刻技術的詳細工序

清洗硅片（Wafer Clean）清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。

2023-04-25 標簽：硅片光刻機光刻膠 6.7k 0

濕法去膠液的種類有哪些？去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

光刻技術通過光刻膠將圖案成功轉移到硅片上，但是在相關制程結束后就需要完全除去光刻膠，那么這個時候去膠液就發(fā)揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

2023-09-06 標簽：晶圓光刻機光刻技術 6.7k 0

晶圓制造到底難在哪？

以硅晶片為例，硅從石英砂里提煉出來，在高溫下，碳和里面的二氧化硅發(fā)生化學反應只能得到純度約為98%的純硅，這對于微電子器件來說不夠純，因為半導體材料的電...

2019-10-14 標簽：硅晶片光刻機晶圓制造 6.4k 0

世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備意味著什么?

剛剛研制成功的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備意味著什么？對國內(nèi)芯片行業(yè)有何影響？

2018-12-02 標簽：光刻機 6.3k 0

ASML***發(fā)展歷程 ***核心系統(tǒng)設計流程

光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試...

2023-06-15 標簽：芯片制造光刻機 EUV 6k 0

半導體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化...

2023-10-09 標簽：電路圖光刻光刻機 5.9k 0

一文讀懂讀透半導體行業(yè)設備

刻蝕設備的重要性僅次于光刻機。而隨著NAND閃存進入3D、4D時代，要求刻蝕技術實現(xiàn)更高的深寬比，刻蝕設備的投資占比顯著提升，從25%提至50%。

2023-05-22 標簽：晶圓光刻機半導體設備 5.5k 0

組成光刻機的各個分系統(tǒng)介紹

? 本文介紹了組成光刻機的各個分系統(tǒng)。光刻技術作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機是實現(xiàn)這一工藝的核心設備，它的工作原理類似于傳統(tǒng)...

2025-01-07 標簽：照明光源光刻機 5.4k 0

光刻技術的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形...

2023-04-25 標簽：芯片電子元件光刻 5.4k 0

用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術介紹

? 本文介紹了用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術。芯片制造：光刻技術的演進過去半個多世紀，摩爾定律一直推動著半導體技術的發(fā)展，但當光刻機的光源波長...

2024-11-24 標簽：芯片制造光刻機光刻技術 5.2k 0

淺談半導體設備高精密陶瓷關鍵部件的技術

對于芯片制造來講，光刻是一個必不可少的環(huán)節(jié)，可以說，沒有光刻機，就沒有現(xiàn)代芯片產(chǎn)業(yè)。在集成電路制造過程中，光刻工藝的費用約占制造成本的1/3 左右，耗費...

2024-01-31 標簽：芯片制造 CMP 光刻機 5.1k 0

中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的利器——IP核

2020-09-22 標簽：半導體 IP核光刻機 4.7k 0

淺談ASML EUV光刻機路線圖

目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小時曝光160片晶圓，年產(chǎn)量為140萬片。

2022-12-21 標簽：光刻機 EUV 4.5k 0

***平行光源應用及性能參數(shù)

光刻機用UV光源，其通過特殊光學設計發(fā)射出接近平行光的UV平行光，使特定波段的紫外線通過掩膜掩孔對集成電路高精密線路完成蝕刻曝光顯影的工作。

2023-05-11 標簽：led 集成電路光刻機 4.4k 0

一文解析UCIe技術細節(jié)

UCIe[4]是一種開放的行業(yè)標準互連，為異構芯片間提供了高帶寬、低延遲、高電源效率和高性價比的封裝內(nèi)連接，以滿足整個計算系統(tǒng)的需求。

2022-10-10 標簽：封裝光刻機異構芯片 4.3k 0

澤攸科技 | 電子束光刻（EBL）技術介紹

電子束光刻（EBL）是一種無需掩模的直接寫入式光刻技術，其工作原理是通過聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進行納米級圖案直寫。

2025-08-14 標簽：電子束光刻機 EBL 4.2k 0

一文解析EUV掩模版缺陷分類、檢測、補償

光刻機需要采用全反射光學元件，掩模需要采用反射式結構。這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領域的顛覆性技術。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，...

2023-06-07 標簽：光刻機光刻技術 EUV 4.2k 0

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熱塑性聚氨酯彈性體又稱熱塑性聚氨酯橡膠，簡稱TPU，是一種（AB）n型嵌段線性聚合物，A為高分子量（1000~6000）的聚酯或聚醚，B為含2~12直鏈碳原子的二醇，AB鏈段間化學結構是二異氰酸酯。熱塑性聚氨酯橡膠靠分子間氫鍵交聯(lián)或大分子鏈間輕度交聯(lián)，隨著溫度的升高或降低，這兩種交聯(lián)結構具有可逆性。
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