考慮光刻中厚掩模效應(yīng)的邊界層模型

短波長透明光學(xué)元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長，而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長尺度收縮。這對用入射場代替掩模開口上的場的基爾霍夫邊界條件...

2023-08-25 標簽：光刻掩模 1.3k 0

研究人員制造出直徑近30厘米的光學(xué)超表面

再見鏡頭，你好超表面。所謂的超表面可以幫助使光學(xué)系統(tǒng)在未來變得更薄，同時增加其功能。 到目前為止，傳統(tǒng)的制造工藝通常只能實現(xiàn)小的超表面，通常小于一平方毫...

2023-08-07 標簽：光刻電子束 1.4k 0

光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

三十年來，半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機上進行的，這些機器將可變元件限制在 45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜，電子束和多束掩...

2023-08-01 標簽：光刻EUV光刻膠 970 0

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學(xué)機械拋光、金屬化 C...

2023-07-18 標簽：光刻CMP晶圓制造 2.5萬 1

Overlay如何與EUV圖案保持同步

套刻計量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時提供可接受的吞吐量，解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競爭要求。

2023-07-10 標簽：內(nèi)存光刻機器學(xué)習(xí) 3.4k 0

《先進半導(dǎo)體封裝材料及工藝-2023版》

從封裝的角度來看，要提高帶寬，需要考慮兩個關(guān)鍵因素：I/O（輸入/輸出）總數(shù)和每個I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個布線層/再分布層（RDL）中實...

2023-07-05 標簽：光刻半導(dǎo)體封裝3D芯片 2k 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 3.6k 0

綜述：聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

非光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計的自由度上分為三大類，第一類能夠自由形成任意圖案，主要包括掃描探針刻?。⊿PL）和噴墨打印；第二類需要在模板或預(yù)圖案化基材...

2023-06-21 標簽：傳感器光刻噴墨打印 3.7k 0

面向光刻的設(shè)計規(guī)則建立及優(yōu)化

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-14 標簽：集成電路光刻微電子 994 0

半導(dǎo)體制造光刻工藝制作流程

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個 MOSFET的耗電量...

2023-06-13 標簽：MOSFET光刻 1.8k 0

半導(dǎo)體制備的主要方法

光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一，常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠，隨后對其進行預(yù)熱。接著，選擇一種光源（如深紫外光或X...

2023-06-09 標簽：半導(dǎo)體工藝光刻 6.6k 0

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當今使用的最先進的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復(fù)雜的技術(shù)。

2023-06-06 標簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 2.2k 0

PCB上的死銅對電路性能的影響

在PCB的制造和設(shè)計過程中，可能會出現(xiàn)一種叫做"死銅"的問題。本文將解析死銅在PCB上的含義、成因、對電路性能的影響以及解決方法。

2023-06-05 標簽：電路pcbPCB設(shè)計 2.1k 0

EUV光源四種產(chǎn)生方式及對比分析

隨著光刻技術(shù)的進步，光刻光源的曝光波長已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長為436nm、365nm （分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線），所...

2023-06-01 標簽：集成電路光刻EUV 3.6k 0

逆向光刻的原理及其優(yōu)勢

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-05-26 標簽：集成電路光刻光刻技術(shù) 1.6k 0

樂趣探索不一樣的計算光刻

之前的小講堂有介紹過，光刻過程就好比用照相機拍照，將掩模版上的芯片設(shè)計版圖曝光到晶圓上，從而制造出微小的電路結(jié)構(gòu)。ASML光刻機的鏡片組使用極其精密的加...

2023-05-25 標簽：光刻微電路ASML 1.8k 0

光刻技術(shù)：光學(xué)關(guān)鍵尺寸測量（OCD）原理

　　集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展，其中最為關(guān)鍵的一個參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條...

2023-05-24 標簽：集成電路光刻OCD 1.2萬 0

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認為是實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。

2023-05-18 標簽：光刻人工智能EUV 4.5k 0

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...

2023-04-25 標簽：光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2.8k 0

光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形...

2023-04-25 標簽：芯片電子元件光刻 5.4k 0