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標(biāo)簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆?!笔侵袊?guó)港臺(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對(duì)內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。
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2010年下半年內(nèi)存芯片將會(huì)嚴(yán)重短缺
2010年下半年內(nèi)存芯片將會(huì)嚴(yán)重短缺 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,行業(yè)跟蹤公司DRAMeXchange認(rèn)為,隨著消費(fèi)者需要更多的容量和企業(yè)開始更換電腦,計(jì)算機(jī)內(nèi)存...
2009-12-25 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片 1.1k 0
2023年首季度全球半導(dǎo)體材料收入增長(zhǎng)緩慢,2024年預(yù)測(cè)將突破
值得關(guān)注的是,2023年第一季度,雖然增幅放緩,但半導(dǎo)體材料收入依然呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。主要原因是除了晶圓制造,前沿邏輯芯片與內(nèi)存芯片的銷售均有所改善。
2024-05-29 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片半導(dǎo)體材料晶圓制造 993 0
三星電子一季度利潤(rùn)增長(zhǎng)931.25%,銷售額增11.37%
值得注意的是,三星的業(yè)績(jī)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了市場(chǎng)預(yù)期20%以上,該公司尚未公開各業(yè)務(wù)部門的具體數(shù)據(jù)。預(yù)計(jì)將在下月晚些時(shí)候公布更為詳細(xì)的財(cái)務(wù)報(bào)表。
三星電子Q3營(yíng)收522.4億美元,同比增長(zhǎng)145%,內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)獲頭功
三星電子第三季度凈利潤(rùn)為11.1萬(wàn)億韓元(約合98.7億美元),較去年同期的4.53萬(wàn)億韓元增長(zhǎng)145%,超出市場(chǎng)平均預(yù)期的10.8萬(wàn)億韓元;運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為...
連續(xù)經(jīng)歷N個(gè)月下跌后 DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格暫時(shí)平穩(wěn)
連續(xù)經(jīng)歷N個(gè)月下跌后,DRAM內(nèi)存芯片的價(jià)格在8月和9月份保持了基本穩(wěn)定。DRAMeXchange采集的數(shù)據(jù)顯示,DDR4-2133 8Gb(1GB)P...
旺宏電子MX35LF2GE4AD-Z4I閃存芯片優(yōu)化嵌入式系統(tǒng)性能
旺宏電子MX35LF2GE4AD-Z4I是一款2Gb串行NAND Flash芯片,采用Quad SPI接口,支持104MHz高速讀寫與-40℃~85℃工...
2025-11-28 標(biāo)簽:閃存嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存芯片 916 0
北京時(shí)間8月31日下午消息,由于負(fù)債累累、不斷虧損、內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑,內(nèi)存芯片制造商爾必達(dá)、茂德和力晶科技承受的壓力越來(lái)越大,他們或因此尋求合并或退出業(yè)界。
2011-09-01 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片 910 0
三星Q2利潤(rùn)下滑56% 存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)受貿(mào)易戰(zhàn)影響出現(xiàn)下滑
根據(jù)美國(guó)CNBC最新報(bào)道,三星電子周五表示,由于內(nèi)存芯片的價(jià)格和需求持續(xù)疲軟,截至6月份的三個(gè)月的利潤(rùn)較上年同期減少了一半以上。
東芝芯片業(yè)務(wù)超預(yù)期,第二財(cái)季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)增長(zhǎng)76%
處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示,本財(cái)年7至9月份這個(gè)第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)從上年同期的768.8億日元增長(zhǎng)至1250,8億日元(約合12億美元)。這個(gè)業(yè)績(jī)...
美光推進(jìn)DDR5內(nèi)存芯片:2019年底量產(chǎn)
盡管JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案,Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品,并計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)。
三星電子在內(nèi)存芯片市場(chǎng)正在出現(xiàn)復(fù)蘇的跡象
三星電子副董事長(zhǎng)Kim Ki-nam接受媒體采訪時(shí)表示,內(nèi)存芯片市場(chǎng)開始出現(xiàn)改善跡象,這使得三星電子需要仔細(xì)考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的...
在嵌入式系統(tǒng)與工業(yè)控制領(lǐng)域,憑借數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的非易失性、高速讀寫與長(zhǎng)期穩(wěn)定性,MRAM內(nèi)存芯片(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)正逐步成為傳統(tǒng)SRAM和EEPROM的理...
Everspin EMD4E001G-1Gb自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM內(nèi)存芯片
作為自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM技術(shù)的先行者,Everspin推出的EMD4E001G芯片將MRAM容量提升至1Gb密度,為企業(yè)級(jí)SSD、計(jì)算存儲(chǔ)及網(wǎng)絡(luò)加速器提...
LPDDR2 DRAM內(nèi)存芯片低功耗內(nèi)存解決方案
在嵌入式系統(tǒng)與移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域,內(nèi)存芯片的效能直接決定了終端的處理能力與穩(wěn)定性。EM6KA32HVAFA LPDDR2這款符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DRAM內(nèi)存芯...
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