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標簽 > 內(nèi)存
內(nèi)存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的，因此內(nèi)存的性能對計算機的影響非常大。內(nèi)存（Memory）也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。
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2019年全球半導(dǎo)體收入總計4183億美元 同比下降11.9%
根據(jù)Gartner的調(diào)查結(jié)果，2019年全球半導(dǎo)體收入總計4183億美元，比2018年下降11.9%。
三星電子與開源軟件巨頭紅帽(RedHat)聯(lián)手，完成了在實際用戶環(huán)境中的CXL(ComputeExpressLink)內(nèi)存操作;此舉系業(yè)內(nèi)首次，將進...
DRAM和閃存對整個半導(dǎo)體市場的命運有著相當(dāng)大的影響。雖然內(nèi)存在2017年和2018年提振了芯片銷售，但在2019年可能會產(chǎn)生負面影響。
Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 ...
SK海力士年內(nèi)推1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒
新款32Gb顆粒不僅支持消費級UDIMM和SODIMM 64GB單條容量，更能讓企業(yè)級RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下，實現(xiàn)單模組128GB，...
瀾起科技積極參與DDR5內(nèi)存標準的制定 布局研發(fā)DDR5內(nèi)存接口芯片
瀾起科技是國內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一，該公司成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段...
經(jīng)歷了幾年的高速發(fā)展之后，人工智能（簡稱 AI）不再是新鮮的名詞，它已經(jīng)作為一個重要的生產(chǎn)工具，被引入到我們工作和生活的多個領(lǐng)域。但在 AI 爆發(fā)的背后...
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已為客戶及合作伙伴出樣美光 CZ120 內(nèi)存擴展模塊...
SK海力士攜手臺積電，N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志著SK海力士...
內(nèi)存計算架構(gòu)的原理及無晶體管CIM架構(gòu)的器件物理特性
為了推進人工智能，賓夕法尼亞大學(xué)的研究人員最近開發(fā)了一種新的內(nèi)存計算 (CIM) 架構(gòu)，用于數(shù)據(jù)密集型計算。CIM 在大數(shù)據(jù)應(yīng)用方面具有諸多優(yōu)勢，UPe...
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的入場券 新唐幫您準備好了
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的入場券 新唐幫您準備好了
2023-08-11 標簽：內(nèi)存微處理器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) 1.6k 0
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達認證，加速AI GPU市場布局
近日，知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具...
自 2016 年開始醞釀的一波存儲漲價潮，在標準型內(nèi)存（DRAM） 、儲存型快閃內(nèi)存 （NAND Flash） 已經(jīng)拉出一波漲價之后，編碼型快閃內(nèi)存 （...
2017-01-24 標簽：內(nèi)存NAND FlashNOR Flash 1.6k 0
美光將在西安工廠率先啟動LPCAMM和MRDIMM內(nèi)存模組量產(chǎn)
據(jù)最新韓媒報道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲解決方案供應(yīng)商美光科技已決定在中國西安的工廠率先啟動LPCAMM（低功耗客戶異步內(nèi)存模組）和MRDIMM（多排名直接...
2024-09-02 標簽：內(nèi)存美光科技半導(dǎo)體存儲 1.6k 0
在 U-Boot 中修改 DDR 容量通常涉及以下幾個步驟，尤其是在嵌入式系統(tǒng)中，當(dāng)更換或升級DDR內(nèi)存芯片后：
半導(dǎo)體輪漲 得一微電子嵌入式存儲控制芯片漲價50%
受上游晶圓代工產(chǎn)能緊缺問題的持續(xù)影響，自去年四季度以來，很多半導(dǎo)體芯片都出現(xiàn)了一波價格上漲。特別是在去年12月，不少芯片廠商都宣布旗下的產(chǎn)品價格將于1月...
西數(shù)發(fā)布了新款內(nèi)存擴展固態(tài)盤 可優(yōu)化內(nèi)存系統(tǒng)容量與性能
根據(jù)西部數(shù)據(jù)官方的消息，西數(shù)發(fā)布了新款Ultrastar? DC ME200 內(nèi)存擴展固態(tài)盤，可優(yōu)化內(nèi)存系統(tǒng)容量／性能，從而運行對內(nèi)存有著高要求的應(yīng)用，...
瑞薩G2UL工業(yè)核心板內(nèi)存測試,您想了解的內(nèi)容全都有
武漢萬象奧科HD-G2UL-CORE核心板支持512MB/1GB DDR4配置，本文檔主要評估測試核心板內(nèi)存512MB（DDR4）性能（讀寫速率）。
全新南卡Runner3僅售499！16G內(nèi)存8級防水，體驗從未如此接近旗艦
今天，國內(nèi)頂級骨傳導(dǎo)耳機品牌Nank南卡再次驚艷全場，推出了全新的骨傳導(dǎo)耳機——南卡Runner3，內(nèi)置存儲提升到16G，并且支持IPX8級防水，全面進...
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