內(nèi)存

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內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存（Memory）也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。

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SDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn)

SDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn) 　　標(biāo)準(zhǔn)的SDRAM分為66MHz SDRA...

2009-04-26 標(biāo)簽：內(nèi)存 1.3k 0

三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn)，可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電

根據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電。

2018-07-26 標(biāo)簽：DRAM 三星電子內(nèi)存 1.3k 0

三星2018年第一季度財(cái)報(bào)：半導(dǎo)體業(yè)務(wù)依舊是主力，內(nèi)存需求旺盛

對于三星來說，真正扛起整個(gè)公司利潤的還是半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

2018-07-11 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存 1.3k 0

DDR5 時(shí)代來臨，新挑戰(zhàn)不可忽視

正式發(fā)布2023年10月13日Cadence15年間最具影響力的版本更新之一AllegroX/OrCADX23.1在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和...

2023-10-28 標(biāo)簽：內(nèi)存 AI 人工智能 1.3k 0

華邦電子與 Mobiveil將合作開發(fā)全新的 IP 控制器

? 華邦電子與 Mobiveil 達(dá)成合作全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子與快速增長的硅知識產(chǎn)權(quán)（SIP）、平臺與 IP 設(shè)計(jì)服務(wù)供應(yīng)商 Mob...

2023-08-31 標(biāo)簽：控制器 IP 內(nèi)存 1.3k 0

SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備

近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至...

2024-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲器內(nèi)存 1.3k 0

使用化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行計(jì)算可使AI速度更快

人工大腦能有多遠(yuǎn)？也許還有很長一段路要走，但大腦網(wǎng)絡(luò)的基本要素——突觸——的一個(gè)有效的類似物現(xiàn)在似乎近在咫尺。這是因?yàn)橐环N從電池中汲取靈感的設(shè)備現(xiàn)在看...

2022-12-21 標(biāo)簽：內(nèi)存 AI 1.3k 0

三星電子第二季度業(yè)績超預(yù)期，芯片與消費(fèi)電子表現(xiàn)強(qiáng)勁

三星電子近日發(fā)布了其2024年第二季度業(yè)績報(bào)告，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長勢頭，多項(xiàng)關(guān)鍵財(cái)務(wù)指標(biāo)均超出市場預(yù)期。本季度，三星電子實(shí)現(xiàn)凈利潤9.64萬億韓元，遠(yuǎn)超市...

2024-08-01 標(biāo)簽：芯片三星電子內(nèi)存 1.3k 0

500億芯片巨頭爆雷！瀾起科技營業(yè)收入同比大降51.87%，凈利潤同比大降87.98%

來源：半導(dǎo)體芯聞編輯：感知芯視界受服務(wù)器和計(jì)算機(jī)行業(yè)需求下滑導(dǎo)致的客戶去庫存影響，2023年上半年，芯片設(shè)計(jì)巨頭瀾起科技營業(yè)收入同比大降51.87%...

2023-08-29 標(biāo)簽：芯片接口服務(wù)器 1.3k 0

Rambus GDDR6 PHY內(nèi)存達(dá)18 Gbps 延續(xù)了公司長期開發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品的傳統(tǒng)

硅IP和芯片提供商Rambus 31日宣布其Rambus GDDR6 PHY 內(nèi)存已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的18 Gbps性能。Rambus GDDR6 PHY ...

2019-11-15 標(biāo)簽：存儲器內(nèi)存 1.3k 0

SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存，內(nèi)存類型包括哪些

SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存。這些存儲器是用于計(jì)算的半導(dǎo)體存儲器塊。半導(dǎo)體存儲器通常是指在單個(gè)硅片上制造的金屬氧化物半導(dǎo)體存儲器單元。內(nèi)存類型包括：易失...

2021-01-07 標(biāo)簽：sram 內(nèi)存 MRAM 1.3k 0

美光科技再度亮相2024進(jìn)博會

美光科技再度以“深耕存儲領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”主題亮相進(jìn)博會。

2024-11-08 標(biāo)簽：內(nèi)存美光科技進(jìn)博會 1.3k 0

NoSQL 數(shù)據(jù)庫如何選型

什么是NoSQL數(shù)據(jù)庫？為什么要使用NoSQL數(shù)據(jù)庫？鍵值數(shù)據(jù)庫內(nèi)存鍵值數(shù)據(jù)庫文檔數(shù)據(jù)庫列式數(shù)據(jù)庫圖數(shù)據(jù)庫時(shí)序數(shù)據(jù)庫分類賬數(shù)據(jù)庫小結(jié)什么是NoSQL數(shù)據(jù)...

2023-11-26 標(biāo)簽：內(nèi)存數(shù)據(jù)庫 nosql 1.3k 0

三星HBM3E質(zhì)量認(rèn)證進(jìn)展：官方否認(rèn)，測試仍在進(jìn)行

近日，韓國媒體的一則報(bào)道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的質(zhì)量認(rèn)證，即Qualt...

2024-07-05 標(biāo)簽：內(nèi)存英偉達(dá)三星 1.3k 0

內(nèi)存新突破：佰維推出全球首款量產(chǎn)RGB CUDIMM

內(nèi)存領(lǐng)域新飛躍!隨著新一代Intel?Z890平臺發(fā)布，國產(chǎn)實(shí)力存儲品牌BIWIN佰維與OC?LAB超頻實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合打造新一代CUDIMM內(nèi)存——佰維DW...

2024-10-25 標(biāo)簽：內(nèi)存 RGB 佰維 1.3k 0

美光志在HBM市場：計(jì)劃未來兩年大幅提升市占率

在全球高帶寬內(nèi)存（HBM）市場競爭日益激烈的背景下，美光（Micron）近日宣布了其雄心勃勃的市場拓展計(jì)劃。該公司預(yù)計(jì)，在2024會計(jì)年度，將搶下HBM...

2024-06-07 標(biāo)簽：內(nèi)存美光 HBM 1.3k 0

內(nèi)存大漲價(jià)！DDR5正邁向主流規(guī)格之路

為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求，DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。

2023-12-05 標(biāo)簽：DRAM 存儲器內(nèi)存 1.3k 0

新內(nèi)存藍(lán)屏死機(jī)？內(nèi)存驗(yàn)貨指南你值得擁有

在內(nèi)存領(lǐng)域,穩(wěn)定性無疑是用戶最需要關(guān)注的指標(biāo)。由于身負(fù)整機(jī)數(shù)據(jù)交換的重任,因此其品質(zhì)極大程度上決定著使用過程中,是否會出現(xiàn)藍(lán)屏、死機(jī)等問題。本期我們將以...

2024-12-02 標(biāo)簽：內(nèi)存 1.3k 0

使用 Memtester 對華為云 X 實(shí)例進(jìn)行內(nèi)存性能測試

前言 ? 1 華為云X實(shí)例介紹 ? 2 Memtester 簡介 ? 2.1 什么是Memtester ? 2.2 安裝 Memtester ? 3 測...

2024-12-30 標(biāo)簽：內(nèi)存性能測試華為云 1.3k 0

機(jī)械硬盤持續(xù)大幅滑坡 SSD內(nèi)存和NAND閃存的價(jià)格開始逐漸下滑

再來看看希捷的情況，今年年初關(guān)閉蘇州工廠后，又低調(diào)的關(guān)閉了位于韓國的HDD研發(fā)中心。而該研究中心從成立至今還不到4年，主攻2.5英寸機(jī)械硬盤。閃存市場需...

2018-11-08 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存 SSD 1.3k 0

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工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的本質(zhì)是通過開放的、全球化的工業(yè)級網(wǎng)絡(luò)平臺把設(shè)備、生產(chǎn)線、工廠、供應(yīng)商、產(chǎn)品和客戶緊密地連接和融合起來，高效共享工業(yè)經(jīng)濟(jì)中的各種要素資源，從而通過自動化、智能化的生產(chǎn)方式降低成本、增加效率，幫助制造業(yè)延長產(chǎn)業(yè)鏈，推動制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展。
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全志科技（AllwinnerTechnology）成立于2007年，是卓越的智能應(yīng)用處理器SoC、高性能模擬器件和無線互聯(lián)芯片設(shè)計(jì)廠商?？偛课挥谥袊楹＃谏钲?、香港、西安、北京、上海等地設(shè)有研發(fā)中心或分支機(jī)構(gòu)，2015年于深交所創(chuàng)業(yè)板上市，股票代碼300458。
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異構(gòu)計(jì)算異構(gòu)計(jì)算技術(shù)從80年代中期產(chǎn)生，由于它能經(jīng)濟(jì)有效地獲取高性能計(jì)算能力、可擴(kuò)展性好、計(jì)算資源利用率高、發(fā)展?jié)摿薮螅殉蔀椴⑿?分布計(jì)算領(lǐng)域中的研究熱點(diǎn)之一。
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在半導(dǎo)體制造中，3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)芯片縮小。截至2019年，三星和臺積電已宣布計(jì)劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET（全能柵極場效應(yīng)晶體管）技術(shù)，這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。
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　LPDDR5就是第五代LPDDR內(nèi)存。LPDDR內(nèi)存全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，中文意為低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存，又稱為mDDR（Mobile DDR SDRM）.
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智原科技

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智原科技（Faraday Technology Corporation， TWSE： 3035）為專用集成電路（ASIC）設(shè)計(jì)服務(wù)暨知識產(chǎn)權(quán)（IP）研發(fā)銷售領(lǐng)導(dǎo)廠商，通過ISO 9001與ISO 26262認(rèn)證，總公司位于臺灣新竹科學(xué)園區(qū)，并于中國大陸、美國與日本設(shè)有研發(fā)、營銷據(jù)點(diǎn)。
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