刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述

等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來(lái)更加重要。對(duì)于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...

2023-04-21 標(biāo)簽：芯片等離子體封裝 3.9k 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(3)

對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測(cè)終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測(cè)終點(diǎn)。濕法...

2023-03-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體等離子體 3.9k 0

集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝：若將薄膜淀積視為 “加法工藝”（通過(guò)材料堆積形成薄膜），則薄膜刻蝕可稱為 “減法工藝”（通過(guò)材料去...

2025-10-16 標(biāo)簽：集成電路工藝刻蝕 3.8k 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長(zhǎng)內(nèi)，光的吸收顯著增強(qiáng)，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3.7k 0

芯片封裝為什么要用到*** 封裝***與芯片***的區(qū)別

在芯片制造過(guò)程中，光刻機(jī)用于在硅片上形成光刻膠圖形，作為制造電路的模板。光刻機(jī)使用紫外光或其他光源照射硅片上的光刻膠，并通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)將圖形投射到硅片...

2023-09-12 標(biāo)簽：芯片制造芯片封裝光學(xué)系統(tǒng) 3.7k 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 3.6k 0

晶片濕法刻蝕工藝詳解

　　濕式蝕刻過(guò)程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大...

2022-04-15 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 3.6k 0

濕式蝕刻過(guò)程的原理是什么

濕式蝕刻過(guò)程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大于1...

2022-04-07 標(biāo)簽：工藝刻蝕 3.5k 0

光柵耦合器學(xué)習(xí)筆記

　　耦合一直是硅光集成的一個(gè)難點(diǎn)，目前主要有兩種解決方案。

2023-12-06 標(biāo)簽：光柵帶寬耦合器 3.5k 0

半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程及原理

對(duì)于電子設(shè)備來(lái)說(shuō)，它藏在內(nèi)部，又非常重要，相當(dāng)于汽車(chē)的發(fā)動(dòng)機(jī)、人的心臟，所以叫“芯”。從形態(tài)來(lái)看，它是一片一片的，所以叫“片”。合起來(lái)，就是“芯片”。

2024-01-15 標(biāo)簽：集成電路芯片制造半導(dǎo)體芯片 3.5k 0

偉大的工程之芯片制造

縱觀整個(gè)制造業(yè)，芯片的制造流程可以說(shuō)是最復(fù)雜的之一，這項(xiàng)點(diǎn)石成金術(shù)可分為八個(gè)大步驟，如下圖所示，這些步驟又可細(xì)分為上百道工序。

2022-11-11 標(biāo)簽：晶圓芯片制造刻蝕 3.4k 0

刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。刻蝕是芯片制造中一個(gè)至關(guān)重要的步驟，用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過(guò)化學(xué)或物理方法去除材料層，以達(dá)到特定的設(shè)計(jì)要求...

2024-12-05 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 3.4k 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機(jī)制引言我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機(jī)理。結(jié)果表明，在...

2022-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3.3k 0

一種用于先進(jìn)封裝的圓臺(tái)硅通孔的刻蝕方法

在集成電路的制造階段延續(xù)摩爾定律變得越發(fā)困難，而在封裝階段利用三維空間可以視作對(duì)摩爾定律的拓展。硅通孔是利用三維空間實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝的常用技術(shù)手段，現(xiàn)有技...

2023-04-12 標(biāo)簽：傳感器芯片集成電路 3.2k 0

碳化硅在堿性溶液中的陽(yáng)極刻蝕

引言人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3k 0

什么是干法刻蝕的凹槽效應(yīng)？凹槽效應(yīng)的形成機(jī)理和抑制方法

但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？

2023-10-20 標(biāo)簽：芯片 SOI 刻蝕 2.9k 0

芯片制造中的濕法刻蝕和干法刻蝕

在芯片制造過(guò)程中的各工藝站點(diǎn)，有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料，如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、pa...

2024-12-16 標(biāo)簽：芯片芯片制造刻蝕 2.9k 0

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過(guò)程簡(jiǎn)述

但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。

2023-11-14 標(biāo)簽：封裝 GaAs 芯片工藝 2.9k 0

硅晶圓蝕刻過(guò)程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

引言硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工...

2022-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅晶圓刻蝕 2.9k 0

半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，...

2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 2.9k 0

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