刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

干法刻蝕和清洗（Dry Etch and Cleaning）

干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。

2022-11-10 標(biāo)簽：等離子體刻蝕 1.1萬 0

濕法刻蝕工藝操作規(guī)程

通過化學(xué)反應(yīng)腐蝕掉硅片背面及四周的PN結(jié)以達(dá)到正面與背面絕緣的目的同時(shí)去除正面的磷硅玻璃層。

2022-09-06 標(biāo)簽：工藝硅片刻蝕 4.1k 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝之濕法腐蝕工藝課堂4（中）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/28/pYYBAGLo3...

2022-08-09 標(biāo)簽：腐蝕刻蝕 1.1k 0

干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化...

2022-07-21 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕 8.7k 0

非晶碳層的刻蝕特性研究

介紹隨著半導(dǎo)體器件的小型化和超大規(guī)模集成(VLSI)電路的圖案密度的增加，單個(gè)光致抗蝕劑掩模不再適用于細(xì)線圖案化和接觸圖案化。盡管單光刻膠掩模工藝被...

2022-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 2.6k 0

碳化硅量子點(diǎn)的制備及應(yīng)用研究

尋找理想的體內(nèi)發(fā)光生物標(biāo)志物是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)樾枰獫M足嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):生物標(biāo)志物應(yīng)該(I)無毒和生物惰性，(ii)光穩(wěn)定，即不發(fā)光，iii)不顯示發(fā)光的...

2022-06-09 標(biāo)簽：碳化硅量子點(diǎn)刻蝕 873 0

TMAH溶液對(duì)硅得選擇性刻蝕研究

我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面...

2022-05-20 標(biāo)簽：刻蝕刻蝕機(jī) 3.8k 0

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫...

2022-05-19 標(biāo)簽：石墨烯刻蝕 3.5k 0

采用射頻磁控濺射系統(tǒng)制備氧化鋅薄膜

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用射頻磁控濺射系統(tǒng)，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備...

2022-05-09 標(biāo)簽：射頻薄膜刻蝕 2.6k 0

硅化物膜的濺射刻蝕速率研究

我們測(cè)量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發(fā)現(xiàn)它們與二氧化硅薄膜的相對(duì)濺射刻蝕速率幾乎與...

2022-05-07 標(biāo)簽：測(cè)量硅薄膜刻蝕 2.2k 0

中微公司2022年第一季度收入9.49億元同比增長57.31%

? ? ? 中微公司2022年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告 AMEC 2022 Q1 Report 中微公司于4月28日發(fā)布2022年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告，摘要如下：...

2022-04-28 標(biāo)簽：MOCVD 刻蝕中微公司 6.1k 0

詳解SC-I清洗的化學(xué)模型

RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟：標(biāo)準(zhǔn)清潔1（SC-1）和標(biāo)準(zhǔn)清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過氧化...

2022-03-25 標(biāo)簽：晶片模型刻蝕 5.9k 0

泛林集團(tuán)推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品此前宣布季度股息1.5美元每股

泛林集團(tuán)推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品泛林集團(tuán)深信創(chuàng)新不僅來自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細(xì)致和努力交付才能實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界...

2022-03-22 標(biāo)簽：集成電路晶圓刻蝕 3.7k 0

泛林集團(tuán)推開創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案加速實(shí)現(xiàn)3D

通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破，這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備。

2022-03-22 標(biāo)簽：刻蝕刻蝕工藝泛林集團(tuán) 2.9k 0

硅在氫氧化鉀水溶液中的刻蝕機(jī)理

本文根據(jù)測(cè)量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進(jìn)行了輸入電壓特性的測(cè)量來驗(yàn)證這些能帶圖...

2022-03-17 標(biāo)簽：硅材料刻蝕 2.2k 0

氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻技術(shù)

本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。

2022-03-17 標(biāo)簽：工藝氮化鎵刻蝕 2k 0

關(guān)于刻蝕的重要參數(shù)報(bào)告

刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示，刻蝕窗口的深度稱為臺(tái)階高度。為了高的產(chǎn)量，希望有高的刻蝕速率。在采用單片工藝...

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單片濕法刻蝕—《華林科納-半導(dǎo)體工藝》

摘要 ? 絕緣體上硅（SOI）晶片是目前非常重要的材料，它是通過使用兩個(gè)硅晶片的晶片鍵合技術(shù)制備的。該生產(chǎn)過程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干凈...

2022-03-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1.5k 0

改善刻蝕均勻性的技術(shù)

摘要一種形成介電間隔物的方法，包括提供襯底，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁該襯底包括具有第一多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有第二多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)...

2022-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 2.5k 0

氧化硅刻蝕速率的提高方法

摘要等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當(dāng)該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時(shí)。主要的含氟...

2022-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 4k 0

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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