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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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onsemi碳化硅JFET晶體管UJ3N120035K3S:高性能開關(guān)的理想之選
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2026-05-08 標(biāo)簽:功率器件碳化硅JFET晶體管UJ3N120035K3S 113 0
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2026-05-08 標(biāo)簽:功率器件SiC MOSFETNTBG014N120M3P 98 0
安森美SiC MOSFET NTBG025N065SC1:高效能功率器件的卓越之選
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2026-05-08 標(biāo)簽:安森美功率器件SiC MOSFET 108 0
onsemi碳化硅MOSFET NTBL075N065SC1技術(shù)剖析
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2026-05-08 標(biāo)簽:功率器件碳化硅MOSFETNTBL075N065SC1 86 0
Onsemi碳化硅MOSFET NTBL060N065SC1:高性能功率器件的詳細(xì)解析
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# onsemi碳化硅MOSFET NTH4L045N065SC1:高性能功率器件的新選擇
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2026-05-08 標(biāo)簽:功率器件碳化硅MOSFETNTH4L045N065SC1 100 0
安森美16.8毫歐650V碳化硅MOSFET:NTHL016N065M3S深度解析
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2026-05-07 標(biāo)簽:功率器件碳化硅MOSFETNTHL016N065M3S 1k 0
碳化硅MOSFET NTMT045N065SC1:高效功率器件的技術(shù)剖析
碳化硅MOSFET NTMT045N065SC1:高效功率器件的技術(shù)剖析 在功率電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)...
2026-05-07 標(biāo)簽:功率器件碳化硅MOSFETNTMT045N065SC1 621 0
安森美AFGHL40T120RW-STD IGBT:汽車應(yīng)用的高效之選
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2026-04-23 標(biāo)簽:功率器件汽車應(yīng)用安森美IGBT 184 0
650V、75A IGBT FGH75T65SHDTL4:性能卓越的功率器件
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2026-04-22 標(biāo)簽:IGBT功率器件FGH75T65SHDTL4 248 0
上海貝嶺功率器件在數(shù)據(jù)中心及高性能PC電源中的應(yīng)用
在數(shù)字化與人工智能時(shí)代,算力的背后是電力的支撐。無論是日常使用的高性能PC,還是承載AI大模型訓(xùn)練、云計(jì)算的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,其穩(wěn)定、高效運(yùn)行都離不開一顆...
2026-04-22 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心功率器件PC電源 8.2k 0
深入解析FGHL40T65MQD:650V、40A場(chǎng)截止溝槽IGBT的卓越性能
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2026-04-22 標(biāo)簽:功率器件場(chǎng)截止溝槽IGBTFGHL40T65MQD 251 0
FGHL60T120RWD IGBT:高效能功率器件的技術(shù)剖析
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2026-04-22 標(biāo)簽:IGBT功率器件FGHL60T120RWD 117 0
FGHL75T65LQDTL4 IGBT:高性能功率器件的卓越之選
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2026-04-22 標(biāo)簽:IGBT功率器件FGHL75T65LQDTL4 184 0
FGY100T120SWD IGBT:高效能功率器件的技術(shù)剖析
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2026-04-22 標(biāo)簽:IGBT功率器件FGY100T120SWD 186 0
FDS4141 P-Channel PowerTrench? MOSFET:高性能功率器件的卓越之選
FDS4141 P-Channel PowerTrench? MOSFET:高性能功率器件的卓越之選 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率器件至...
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FDS86106 N-Channel Power Trench? MOSFET:高性能功率器件剖析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,功率MOSFET始終是關(guān)鍵...
2026-04-20 標(biāo)簽:功率器件電子應(yīng)用FDS86106 MOSFET 166 0
深入解析FQA70N10 N溝道MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用
深入解析FQA70N10 N溝道MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天我們來詳細(xì)探討...
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onsemi HUF75652G3 MOSFET:高性能N溝道功率器件的深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET作為一種關(guān)鍵的功率器件,其性...
2026-04-20 標(biāo)簽:MOSFET功率器件HUF75652G3 208 0
深入解析 onsemi NTR3C21NZ N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi NTR3C21NZ N 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,其性能和特性對(duì)電路的設(shè)計(jì)和性能有著...
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