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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標(biāo)簽:封裝技術(shù)BGA功率器件 1.9k 0

IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng),其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-09-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 2.0萬(wàn) 0

PCB銅皮面積的計(jì)算

PCB銅皮面積的計(jì)算

首先給出答案,對(duì)于散熱,并非銅皮面積越大越好,銅皮較薄時(shí)更是如此。

2023-09-21 標(biāo)簽:PCBsmt散熱 6.2k 0

功率器件可靠性試驗(yàn)測(cè)試項(xiàng)目

功率器件可靠性試驗(yàn)測(cè)試項(xiàng)目

龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心,專(zhuān)注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估,公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則,制...

2023-09-20 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體元器件 2.6k 0

高速風(fēng)筒一站式解決方案

高速風(fēng)筒一站式解決方案

電吹風(fēng)是居家生活必備物品。傳統(tǒng)的吹風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)速通常在2萬(wàn)轉(zhuǎn)左右,干發(fā)速度較慢(中長(zhǎng)發(fā)常常超過(guò)10分鐘以上);利用高溫干發(fā),還容易損傷頭發(fā);噪聲比較大的同時(shí)重...

2023-09-19 標(biāo)簽:PWM電機(jī)emc 5.2k 0

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車(chē)行業(yè)的應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車(chē)行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。

2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2.9k 0

關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些?

關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些?

大電流的快速切換會(huì)導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個(gè)或多個(gè)電源軌,則可能會(huì)對(duì)控制電路產(chǎn)生干擾。

2023-09-19 標(biāo)簽:二極管MOS管導(dǎo)通電阻 1.9k 0

超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

2023-09-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 8.7k 0

功率器件的分類(lèi)及對(duì)比分析

功率器件的分類(lèi)及對(duì)比分析

作為新能源汽車(chē)電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進(jìn)一步保持增長(zhǎng)到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。

2023-09-15 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET逆變器 2k 0

怎么解決功率器件塑封過(guò)程中引腳壓傷的問(wèn)題?

怎么解決功率器件塑封過(guò)程中引腳壓傷的問(wèn)題?

引線框架的引腳壓傷是嚴(yán)重的質(zhì)量問(wèn)題。引腳壓傷不僅會(huì)影響產(chǎn)品的外觀質(zhì)量,嚴(yán)重時(shí)會(huì) 導(dǎo)致產(chǎn)品的電性能異常,甚至導(dǎo)致終端使用時(shí)發(fā)生短路、尖端放電等問(wèn)題。

2023-09-14 標(biāo)簽:功率器件 4k 0

DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來(lái)電子材料領(lǐng)域的新寵

DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來(lái)電子材料領(lǐng)域的新寵

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中,直接覆鋁陶瓷基板(DBA基板)因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目,成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。

2023-09-14 標(biāo)簽:功率器件SAMDBA 2.9k 0

貼片元件溫度(散熱)的影響

貼片元件溫度(散熱)的影響

對(duì)應(yīng)于同樣的貼片測(cè)試任務(wù),貼片機(jī)的冷態(tài)Cpk值較貼片機(jī)的熱態(tài)Cpk值要好。通常設(shè)備制造商都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的出廠前測(cè)試,熱態(tài)Cpk值是通過(guò)將貼片機(jī)連續(xù)高速空運(yùn)行...

2023-09-13 標(biāo)簽:功率器件貼片機(jī)cpk 1.5k 0

數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述

數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述

數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 4.5k 1

氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開(kāi)...

2023-09-11 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵 1.1k 0

碳化硅為什么如此火爆呢

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車(chē)市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車(chē)已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng),行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車(chē)用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。

2023-09-11 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 955 0

IGBT:能效革命中的不可或缺角色

IGBT:能效革命中的不可或缺角色

根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場(chǎng)的價(jià)值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計(jì)到2026年將增長(zhǎng)至110.1億美元。報(bào)告指...

2023-09-07 標(biāo)簽:晶閘管IGBT功率器件 884 0

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIP...

2023-09-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 5.3k 0

PCB布局設(shè)計(jì)關(guān)鍵要點(diǎn)

已確定優(yōu)選工藝路線,所有器件已放置板面。

2023-09-05 標(biāo)簽:pcbBGA功率器件 1.4k 0

pcb電路板散熱技巧有哪些

對(duì)溫度比較敏感的器件最好安置在溫度最低的區(qū)域(如設(shè)備的底部),千萬(wàn)不要將它放在發(fā)熱器件的正上方,多個(gè)器件最好是在水平面上交錯(cuò)布局。

2023-09-04 標(biāo)簽:集成電路pcb電路板 622 0

電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的組成和作用

電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的組成和作用

電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是新能源汽車(chē)的核心技術(shù)之一,它的主要任務(wù)是按駕駛員的駕駛意圖,將動(dòng)力電池的化學(xué)能高效地轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,經(jīng)過(guò)變速器、驅(qū)動(dòng)軸等機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)車(chē)輪...

2023-09-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制變速器 4.3k 0

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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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