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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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PCB需要解決什么問(wèn)題 芯片需要解決什么問(wèn)題
PCB作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~,是電子產(chǎn)品最關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞直接決定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。
2023-08-31 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品pcb元器件 1.1k 0
目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多,常見(jiàn)的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...
俗話說(shuō)“人無(wú)遠(yuǎn)慮必有近憂”,對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開(kāi)始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。
便攜式儲(chǔ)能設(shè)備拓?fù)浼笆袌?chǎng)規(guī)模
便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)的規(guī)模便攜儲(chǔ)能的典型應(yīng)用拓?fù)鋱D以及需要的主要功率器件龍騰產(chǎn)品RoadMap掃一掃獲取更多資訊
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 3.3k 0
螺釘布置對(duì)底部散熱型表貼式功率器件熱表現(xiàn)的影響
觀眾朋友們大家好~今天起,我們?nèi)碌臋谀俊抡?01大講堂正式上線!仿真作為我們半導(dǎo)體器件研發(fā)的重要工具之一,通過(guò)建模、驗(yàn)證、優(yōu)化等流程,讓我們?cè)谘邪l(fā)...
淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)
該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進(jìn)行了對(duì)比。簡(jiǎn)化的ROM降階模型在所有的計(jì)算結(jié)果中都獲得了可...
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前,GaN的制造...
硅終端金剛石半導(dǎo)體與場(chǎng)效應(yīng)管器件研究進(jìn)展
金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,近年來(lái)成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展,但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒(méi)有很好解決。氫終端...
2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3.5k 0
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué),以新材料新工藝新產(chǎn)品推動(dòng)公司發(fā)展,掌握國(guó)際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 1.3k 0
數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器介紹
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動(dòng),而SiLM824...
2023-08-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件GaN 2.6k 0
碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么
傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局,電流回路面積大,雜散電感參數(shù)大。CPES...
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