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功率密度

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功率密度在不同的場(chǎng)合有不同的含義：照明功率密度。單位面積的照明安裝功率，用LPD表示，單位是瓦/平方米。

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功率密度資訊

氮化鎵集成方案如何提高功率密度

GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強(qiáng)型（e-mode）、共源共柵型（cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的柵極驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)要求。

2022-03-31 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵功率密度 2.4k 0

當(dāng)全球新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)為更快充電、更長(zhǎng)續(xù)航激烈競(jìng)逐，當(dāng)AI數(shù)據(jù)中心因算力成本反復(fù)測(cè)算，圍繞“功率密度”的技術(shù)革命正成為突破瓶頸的關(guān)鍵。近日在I.S.E.S...

2025-10-20 標(biāo)簽：安森美 IGBT 數(shù)據(jù)中心 2.3k 0

創(chuàng)新3D電池結(jié)構(gòu) 賦予未來(lái)儲(chǔ)能全新想像

Enovix 用精確的激光切割堆疊正極、隔板和負(fù)極取代了傳統(tǒng)的“jelly roll”的設(shè)計(jì)，提高了封裝效率、并解決熱性能和濫用容限的問(wèn)題。與傳統(tǒng)鋰離子...

2023-04-13 標(biāo)簽：鋰離子電池 3D 功率密度 2.2k 0

如何在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率

消費(fèi)電子的小型化、一體化，汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備的智能化，幾乎都是各行業(yè)不可逆的發(fā)展趨勢(shì)。在這樣的大趨勢(shì)下，系統(tǒng)設(shè)計(jì)面臨著一個(gè)共同的難題：如何在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)...

2022-05-25 標(biāo)簽：電源系統(tǒng)功率密度貿(mào)澤電子 2.1k 0

采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展

相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開(kāi)關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開(kāi)關(guān)性能。這種開(kāi)關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高...

2023-07-06 標(biāo)簽：柵極 SiC 功率密度 2k 0

體積減少5%重量降低10%功率密度提升37%，長(zhǎng)安原力超集電驅(qū)有多強(qiáng)？

長(zhǎng)安深藍(lán)首發(fā)的“原力超集電驅(qū)”技術(shù)，將電機(jī)、電控、減速器、充電機(jī)、DCDC、DCAC、PDU等七大核心功能深度融合，將更多的功能和部件集成到更小的體積內(nèi)...

2023-07-11 標(biāo)簽：電化學(xué)控制技術(shù)功率密度 2k 0

碳化硅器件挑戰(zhàn)現(xiàn)有封裝技術(shù)

共讀好書(shū) 曹建武羅寧勝摘要：碳化硅（ SiC ）器件的新特性和移動(dòng)應(yīng)用的功率密度要求給功率器件的封裝技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)?，F(xiàn)有功率器件的封裝技術(shù)...

2024-06-23 標(biāo)簽：封裝功率密度碳化硅 2k 0

TI創(chuàng)新性封裝如何提高功率密度

WCSP封裝技術(shù)通過(guò)將焊球連接于硅片底部來(lái)盡可能地減小占用空間，這使得該技術(shù)在載流和封裝面積方面更具競(jìng)爭(zhēng)力。由于WCSP技術(shù)最小化了物理尺寸，連接輸入和...

2022-03-31 標(biāo)簽：封裝技術(shù)系統(tǒng)控制功率密度 2k 0

石墨作為鈉電負(fù)極還能商業(yè)化？

共嵌入機(jī)制。雖然Li/石墨體系需要避免共嵌入，但似乎在一定程度上解決了Na/石墨體系的問(wèn)題。如圖1介紹了石墨共嵌入的鈉離子存儲(chǔ)優(yōu)點(diǎn)：卓越的倍率性能、穩(wěn)定...

2022-12-22 標(biāo)簽：電解質(zhì)功率密度負(fù)極 1.9k 0

TI新推GaN功率級(jí)及DC-DC模塊，滿足工業(yè)及汽車(chē)領(lǐng)域需求

　此外，為了提升LMG2100/3100的熱效率，TI精心打造了獨(dú)特的雙面冷卻封裝。這種封裝組合了熱強(qiáng)化頂置冷卻以及加寬底側(cè)散熱墊，形成了雙面降溫效果，...

2024-02-25 標(biāo)簽：封裝電源轉(zhuǎn)換器功率密度 1.9k 0

如何利用戴爾的資源來(lái)減少能源成本并提高能源效率

隨著計(jì)算密集型工作負(fù)載的激增、數(shù)據(jù)中心規(guī)模逐步增大，其能源消耗和空間需求也大幅增加，一種普遍的誤解是：運(yùn)行低功率密度的機(jī)架要比高功率密度機(jī)架更能節(jié)省電力...

2022-11-22 標(biāo)簽：戴爾數(shù)據(jù)中心功率密度 1.9k 0

廣汽埃安智能電驅(qū)工廠竣工，銳湃M25超級(jí)電驅(qū)下線

據(jù)透露，銳湃智能生態(tài)電驅(qū)工廠擁有RTS四大核心工藝，包括Ra0.lum超高精度軸齒磨削工藝、全自動(dòng)繞成世界第一工藝、行業(yè)最難的扁線電機(jī)穩(wěn)定裝配工藝以及轉(zhuǎn)...

2024-01-30 標(biāo)簽：功率密度廣汽扁線電機(jī) 1.8k 0

實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法

本文將介紹實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)

2022-12-22 標(biāo)簽：電源管理功率密度 1.8k 0

功率密度的基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面： ...

2020-10-20 標(biāo)簽：功率密度 1.8k 0

郝躍院士：功率密度與輻照問(wèn)題是氮化物半導(dǎo)體的兩大挑戰(zhàn)

郝躍院士長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和...

2023-04-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體毫米波功率密度 1.6k 0

韓國(guó)研發(fā)出快速充電的高能量、高功率混合鈉離子電池

近期，韓國(guó)高等科學(xué)技術(shù)研究所（KAIST），Kang Jeung Ku教授領(lǐng)銜的科研小組取得關(guān)鍵性突破，成功研制出一款具有高速充電能力的高能量、高功率混...

2024-04-22 標(biāo)簽：超級(jí)電容器功率密度鈉離子電池 1.6k 0

威邁斯：已向Stellantis集團(tuán)量產(chǎn)銷售車(chē)載電源集成產(chǎn)品

據(jù)介紹，車(chē)載電源集成產(chǎn)品是威邁斯車(chē)載電源產(chǎn)品事業(yè)的主要構(gòu)成，產(chǎn)品在功率密度、重量、體積、成本控制等核心指標(biāo)上具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。該公司銷售的主要車(chē)載電源集...

2023-09-12 標(biāo)簽：車(chē)載電源功率密度威邁斯 1.6k 0

電源的功率密度怎么劃分？

1. 什么是功率密度？定義：功率密度是指電源在單位體積內(nèi)所能處理的功率大小。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，高功率密度就是 “體積小，能量大” 。注：在行業(yè)內(nèi)，由于早...

2026-03-21 標(biāo)簽：電源功率密度 1.6k 0

提升功率密度飛兆半導(dǎo)體改進(jìn)Dual Cool封裝技術(shù)

飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，解決了DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用中面臨提升功率密度的同時(shí)節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。

2013-01-08 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體封裝技術(shù)電源芯片 1.5k 0

特斯拉研發(fā)下一代電機(jī)燃爆A股，格力電器被曝早有布局

資料顯示，同步磁阻電機(jī)通利用轉(zhuǎn)子磁阻不均勻而產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩工作，轉(zhuǎn)子是由鐵磁性材料以及非鐵磁性材料組成，沒(méi)有永久性磁鐵，也沒(méi)有繞組，是結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的電機(jī)之一，...

2023-05-19 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)特斯拉功率密度 1.5k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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