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標(biāo)簽 > 功率密度
功率密度在不同的場合有不同的含義:照明功率密度。單位面積的照明安裝功率,用LPD表示,單位是瓦/平方米。
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?SiHR080N60E功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET,采用PowerPAK...
TE Connectivity MULTI-BEAM Lite電源連接器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
TE Connectivity (TE) MULTI-BEAM Lite電源連接器具有出色的功率密度和多種電流選項。TE的MULTI-BEAM Lite...
如何使用耦合電感器提高DC-DC應(yīng)用中的功率密度?
在數(shù)據(jù)中心和通信應(yīng)用中,48伏特的配電系統(tǒng)相當(dāng)普遍,許多方案用于將48V降至中間電壓軌道。最簡單的方法是使用降壓拓?fù)?,它可以提供高性能,但往往在功率密?..
使用先進(jìn)的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度
High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...
采用兩級電源架構(gòu)方案提升 48V 配電系統(tǒng)功率密度和數(shù)據(jù)中心能效
作者:Qian Ouyang, Rohan Samsi 和 Jinghai Zhou 翻譯:Zhenzhen "Toffee" Jia 當(dāng)前的數(shù)據(jù)中心,...
2024-02-19 標(biāo)簽:電源數(shù)據(jù)中心配電系統(tǒng) 4.7k 0
“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(MOSFET、IGBT等)、二極管、晶閘管、雙向可控硅...
創(chuàng)新型封裝如何推動提高負(fù)載開關(guān)中的功率密度立即下載
類別:工控技術(shù) 2022-04-29 標(biāo)簽:封裝負(fù)載開關(guān)功率密度 528 0
低噪聲開關(guān)電源變壓器的設(shè)計解析立即下載
類別:開關(guān)電源 2017-11-14 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率密度功率變壓器 1.2k 0
類別:電源技術(shù) 2017-11-10 標(biāo)簽:電源開關(guān)頻率功率密度 1.7k 0
類別:電源技術(shù) 2017-05-16 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器功率密度 905 0
中壓配電網(wǎng)用10kVac_750_省略_力電子變壓器功率密度影響立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-05 標(biāo)簽:功率密度中壓配電網(wǎng)電力電子變壓器 925 0
改善功率密度和電源管理能力的數(shù)字控制技術(shù)立即下載
類別:數(shù)控技術(shù)論文 2010-06-30 標(biāo)簽:電源管理功率密度 650 0
Vicor為新太空應(yīng)用設(shè)計低噪聲分比式電源架構(gòu)
為了減少衛(wèi)星與地面之間成本高昂的通信流量,衛(wèi)星平臺正在搭載更強的處理能力。為滿足額外的在軌計算需求,信號與數(shù)據(jù)處理硬件、系統(tǒng)功率及負(fù)載點(PoL)要求必...
2026-01-15 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率密度Vicor 1.2k 0
安森美 (onsemi) 的垂直氮化鎵 (vGaN) 晶體管是新一代功率器件,能夠以高頻率處理極高電壓, 效率顯著優(yōu)于傳統(tǒng)的硅芯片。 這項技術(shù)在行業(yè)內(nèi)處...
I.S.E.S中國峰會上安森美揭秘功率密度爆發(fā)式增長密碼 每兩年翻一倍
當(dāng)全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)為更快充電、更長續(xù)航激烈競逐,當(dāng)AI數(shù)據(jù)中心因算力成本反復(fù)測算,圍繞“功率密度”的技術(shù)革命正成為突破瓶頸的關(guān)鍵。近日在I.S.E.S...
2025-10-20 標(biāo)簽:安森美IGBT數(shù)據(jù)中心 2.3k 0
超越國際巨頭:微碧半導(dǎo)體VBGQTA1101以頂尖TOLT封裝重塑功率密度標(biāo)桿
近日,國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來突破性進(jìn)展——微碧半導(dǎo)體(VBsemi)正式推出新品VBGQTA1101,采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國首款采用頂...
2025-10-11 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體功率密度VBsemi 3.6萬 0
功率密度是競品10倍以上!這款48V電源模塊實現(xiàn)斷崖式領(lǐng)先?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)隨著汽車電動化、智能化進(jìn)程的加速,48V電源系統(tǒng)在汽車領(lǐng)域已從技術(shù)探索階段步入大規(guī)模應(yīng)用階段。48V系統(tǒng)通過提升電壓來...
旺詮合金電阻以其出色的功率密度和散熱性能,在眾多應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)了卓越的性能。功率密度的高低直接關(guān)系到電阻在單位體積內(nèi)所能承受的功率大小,而散熱設(shè)計則是確...
碳化硅器件挑戰(zhàn)現(xiàn)有封裝技術(shù)
共讀好書 曹建武 羅寧勝 摘要: 碳化硅 ( SiC ) 器件的新特性和移動應(yīng)用的功率密度要求給功率器件的封裝技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)?,F(xiàn)有功率器件的封裝技術(shù)...
新品 | Prime Block 50mm——專為實現(xiàn)最高性能而設(shè)計
新品PrimeBlock50mm——專為實現(xiàn)最高性能而設(shè)計50mmPrimeBlock模塊優(yōu)化了熱阻,在更高的溫度條件下,它們的性能超越了目前的極限。因...
2024-05-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動功率密度 786 0
近期,韓國高等科學(xué)技術(shù)研究所(KAIST),Kang Jeung Ku教授領(lǐng)銜的科研小組取得關(guān)鍵性突破,成功研制出一款具有高速充電能力的高能量、高功率混...
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