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標簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
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三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點 三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路是兩種常見的電力電子整流電路。它們在一些工業(yè)應用中具有重要作...
EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設計人員而設計,在極小的芯片級封裝中,實現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流,...
EPC發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050
據(jù)麥姆斯咨詢報道,Efficient Power Conversion(EPC,美國宜普電源轉(zhuǎn)換公司)發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050...
恩智浦半導體發(fā)布無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封...
NXP推出超緊湊型功率晶體管和Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管...
2011-08-16 標簽:NXP功率晶體管Trench MOSFE 5.5k 0
2018年功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高 增長14%
根據(jù)2019年的報告,功率晶體管的銷售額增長率達到兩位數(shù),再創(chuàng)新高。
氮化鎵功率技術大熱,Transphorm創(chuàng)新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)模化的生產(chǎn)能力,近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論...
電子負載和電阻負載區(qū)別 電子負載和電阻負載是電子學中常見的兩種負載,它們在測試電路、進行數(shù)據(jù)采集和模擬分析等方面起到重要的作用。雖然它們都是用來模擬負載...
大電流恒流源電路 大電流恒流源電路是一種電子電路,可以將輸入電壓轉(zhuǎn)換為恒定的輸出電流。這種電路通常用于需要提供恒定電流的應用,例如LED驅(qū)動器和高功率電...
2023-08-27 標簽:比較器led驅(qū)動器恒流源 4.6k 0
丹東華奧電子有限公司成立于2001年,專業(yè)從事汽車/摩托車電子電器配套用集成電路和晶體管開發(fā)、設計、生產(chǎn)、推廣應用和服務。 產(chǎn)品出口國際市場。 公司為汽...
GTO、IGBT等電力電子元件關斷的時候是不是都要負電壓的?
GTO、IGBT等電力電子元件關斷的時候是不是都要負電壓的? GTO和IGBT是兩種常見的電力電子元件,它們在關斷過程中確實需要負電壓。 首先,讓我們了...
Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業(yè)領先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體...
ldo內(nèi)部結構和工作原理? LDO是線性穩(wěn)壓電源的一種類型,其內(nèi)部結構和工作原理是非常重要的電子工程學習內(nèi)容。在本文中,我們將深入了解LDO的內(nèi)部結構和...
IC Insights | 泡沫式增長后,功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高
根據(jù)IC Insights的2019年OSD報告顯示,2018年功率晶體管的銷售額增長率達到兩位數(shù)(14%),總額達到創(chuàng)紀錄的163億美元。
近年來,隨著技術的不斷發(fā)展和計算機應用范圍的不斷擴大,半導體技術變得愈加重要。在半導體技術的發(fā)展歷程中,第三代半導體技術的出現(xiàn)為半導體技術的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 標簽:太陽能電池智能電網(wǎng)半導體技術 3.5k 0
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