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標簽 > 功率模塊
功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊，功率模塊的作用用很多，比如：空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分，那作用就是做放大的。如果是在電源，就是做穩(wěn)壓的。
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絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導體器件，常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級和成本效益等特征，IGBT 電源模塊逐漸成...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIP...
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC...
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇...
與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面?zhèn)鲗崃?，其熱測試評估方式需重新考量。本文進行雙面散熱汽車 IGBT 模...
結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運行性能等。
800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標識追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標識追蹤能力 控制擴展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...
碳化硅和氮化鎵是寬帶隙(WBG)半導體，也是被認為要求更高功率和更高溫度的電力電子應用最佳材料。由于這些WBG半導體具有優(yōu)異的性能，如寬禁帶(>3...
用于大功率模塊升壓臺面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板
隨著可用的寬帶隙半導體不斷在提高其工作電壓，其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準確地來說，用于要求苛刻的應用的陶瓷基板代表了一個關(guān)鍵的多功能...
在未連機的情況下用萬用表的紅表筆對P端，用黑表筆對U、V、W三端，其正向阻值應相同。如其中任何一項阻值與其它兩項不等，則可判斷功率模塊損壞；用黑表筆對N...
傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)（即碳化硅）已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導通電阻之比是由...
本文詳細敘述了實際使用時對IPM模塊的各種結(jié)溫的計算和測試方法，從直接紅外測試法，內(nèi)埋熱敏測試，殼溫的測試方法，都進行詳細說明，以指導技術(shù)人員通過測量模...
利用LTC7051 DrMOS功率級優(yōu)化電源系統(tǒng)設計
隨著技術(shù)的進步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，因此這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。
摘 要：產(chǎn)品，從該產(chǎn)品在分系統(tǒng)調(diào)試交驗、整機調(diào)試交驗、用戶使用過程中反饋的信息可以看出， T／R組件中的微波功率模塊發(fā)生故障的可能性較大，給分系統(tǒng)調(diào)試交...
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
IPM模塊是電機驅(qū)動變頻器的最重要的功率器件， 近些年隨著IPM模塊的小型化使模塊Rth（j-c）變大，從而對溫升帶來了越來越多的挑戰(zhàn)。
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